本文在介紹了氮化嫁材料的基本結構特征及物理化學特性之后，從氮化擦的外延結構的屬性和氮化擦基高性能芯片設計兩個方面對氮化家材料和器件結構展開了討論。其中材料屬性部分，介紹了透射電子顯微鏡的工作原理及其主要應用范圍，然后根據實驗分析了TEM圖片，包括GaN多量子阱，重點分析了V型缺陷和塊狀缺陷的高分辨圖形，分析了他們對材料屬性的影響。然后分析了多種氮化擦樣品的光致發光譜和電致發光譜，并解釋其光譜藍移和紅移現象。在屬性部分最后介紹了基于密度泛函理論和第一性原理的CASTEP程序及其在分析GaN材料屬性上的應用。在芯片結構設計部分，本文提出了三種高效率LED芯片的設計結構，分別是基于雙光子晶體的LED芯片，基于微球模型的LED芯片，基于激光剝離襯底的大功率LED芯片。涉及到光子晶體理論，蒙特卡羅理論及激光剝離理論，本文分別介紹和分析了各類理論基礎，并在此基礎上提出新的設計結構，給出仿真分析結果。雙光子晶體可以提供較完善的反射層，出射層。微球LED可以利用大尺寸表面結構來大大提高LED芯片的外量子效率。基于激光剝離襯底的大功率LED可以實現較好散熱效果和功率。
標簽： led
上傳時間： 2022-06-25
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GB/T 18655-2018 車輛、船和內燃機無線電騷擾特性 用于保護車載接收機的限值和測量方法
上傳時間： 2022-06-29
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GJB 572A-2006 飛機外部電源供電特性及一般要求.
標簽： 飛機外部電源
上傳時間： 2022-07-03
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GJB 181B-2012 飛機供電特性
標簽： 飛機供電特性
上傳時間： 2022-07-03
上傳用戶：jiabin
GJB 5558-2006 飛機供電特性測試要求
標簽： 飛機供電特性
上傳時間： 2022-07-03
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基于OrCAD-PSpice的差動放大電路溫度特性分析
上傳時間： 2022-07-07
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文檔為PIC集成芯片軟件編程開發設計之單片機特性詳解文檔，是一份不錯的參考資料，感興趣的可以下載看看，，，，，，，，，，，，，，，
標簽： PIC單片機
上傳時間： 2022-07-12
上傳用戶：xsr1983
摘要：該系統基于掃頻外差基本原理，以單片機和FPGA構成的最小系統為控制核心，可在任意指定頻段內測量被測網絡的幅頻和相頻特性并顯示相應曲線。系統分DDS掃頻信號源、被測網絡、幅度和相位檢測、控制模塊及幅頻、相頻特性曲線顯示等部分，在100Hz-100kHz范圍內可自動步進測量被測網絡的幅須特性和相頻特性并自動設置頻段范圍，觀察不同頻段內網絡的幅須特性和相須特性，并在示波器上同時顯示幅須曲或和相須由線。關鍵詞：掃頻測試；現場可編程門降列（FPGA）；頻率特性；直接數字式須率合成（DDS）頻率特性是網絡的性能最直觀反映。頻率特性測試儀是測量網絡的幅頻特性和相頻特性，并顯示相應曲線的一種快速、方便、動態、直觀的測量儀器，可廣泛應用于電子工程領域。該測試儀以掃頻外差為基本原理，并以單片機和FPGA構成的最小系統為控制核心，很好地完成對有源雙T網絡進行頻率在100Hz~l00kHz范圍內的幅頻響應和相頻響應特性的測試，并實現在通用數字示波器上同時顯示幅頻和相頻響應特性曲線。
上傳時間： 2022-07-23
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電子元器件抗ESD技術講義:引 言 4 第1 章 電子元器件抗ESD損傷的基礎知識 5 1.1 靜電和靜電放電的定義和特點 5 1.2 對靜電認識的發展歷史 6 1.3 靜電的產生 6 1.3.1 摩擦產生靜電 7 1.3.2 感應產生靜電 8 1.3.3 靜電荷 8 1.3.4 靜電勢 8 1.3.5 影響靜電產生和大小的因素 9 1.4 靜電的來源 10 1.4.1 人體靜電 10 1.4.2 儀器和設備的靜電 11 1.4.3 器件本身的靜電 11 1.4.4 其它靜電來源 12 1.5 靜電放電的三種模式 12 1.5.1 帶電人體的放電模式(HBM) 12 1.5.2 帶電機器的放電模式（MM） 13 1.5.3 充電器件的放電模型 13 1.6 靜電放電失效 15 1.6.1 失效模式 15 1.6.2 失效機理 15 第2章 制造過程的防靜電損傷技術 2.1 靜電防護的作用和意義 2.1.1 多數電子元器件是靜電敏感器件 2.1.2 靜電對電子行業造成的損失很大 2.1.3 國內外企業的狀況 2.2 靜電對電子產品的損害 2.2.1 靜電損害的形式 2.2.2 靜電損害的特點 2.2.3 可能產生靜電損害的制造過程 2.3 靜電防護的目的和總的原則 2.3.1 目的和原則 2.3.2 基本思路和技術途徑 2.4 靜電防護材料 2.4.1 與靜電防護材料有關的基本概念 2.4.2 靜電防護材料的主要參數 2.5 靜電防護器材 2.5.1 防靜電材料的制品 2.5.2 靜電消除器（消電器、電中和器或離子平衡器） 2.6 靜電防護的具體措施 2.6.1 建立靜電安全工作區 2.6.2 包裝、運送和存儲工程的防靜電措施 2.6.3 靜電檢測 2.6.4 靜電防護的管理工作 第3章 抗靜電檢測及分析技術 3.1 抗靜電檢測的作用和意義 3.2 靜電放電的標準波形 3.3 抗ESD檢測標準 3.3.1 電子元器件靜電放電靈敏度（ESDS）檢測及分類的常用標準 3.3.2 標準試驗方法的主要內容（以MIL-STD-883E 方法3015.7為例） 3.4 實際ESD檢測的結果統計及分析 3.4.1 試驗條件 3.4.2 ESD評價試驗結果分析 3.5 關于ESD檢測中經常遇到的一些問題 3.6 ESD損傷的失效定位分析技術 3.6.1 端口I－V特性檢測 3.6.2 光學顯微觀察 3.6.3 掃描電鏡分析 3.6.4 液晶分析 3.6.5 光輻射顯微分析技術 3.6.6 分層剝離技術 3.6.7 小結 3.7 ESD和EOS的判別方法討論 3.7.1 概念 3.7.2 ESD和EOS對器件損傷的分析判別方法 第4 章 電子元器件抗ESD設計技術 4.1 元器件抗ESD設計基礎 4.1.1抗ESD過電流熱失效設計基礎 4.1.2抗場感應ESD失效設計基礎 4.2元器件基本抗ESD保護電路 4.2.1基本抗靜電保護電路 4.2.2對抗靜電保護電路的基本要求 4.2.3 混合電路抗靜電保護電路的考慮 4.2.4防靜電保護元器件 4.3 CMOS電路ESD失效模式和機理 4.4 CMOS電路ESD可靠性設計策略 4.4.1 設計保護電路轉移ESD大電流。 4.4.2 使輸入/輸出晶體管自身的ESD閾值達到最大。 4.5 CMOS電路基本ESD保護電路的設計 4.5.1 基本ESD保護電路單元 4.5.2 CMOS電路基本ESD保護電路 4.5.3 ESD設計的輔助工具－TLP測試 4.5.4 CMOS電路ESD保護設計方法 4.5.5 CMOS電路ESD保護電路示例 4.6 工藝控制和管理
上傳時間： 2013-07-13
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本書系統論述DC-DC高頻開關電源的工作原理與工程設計方法。主要包括：PWM變換器和軟開關PWM變換器的電路拓撲、原理、控制、動態分析及穩定校正；功率開關元件MOSFET、IGBT的特性及應用；智能功率開關變換器的原理與應用；磁性元件的特性與設計計算方法；開關電源中有源功率因數校正；同步整流與并聯均流等技術；PWM開關電源的可靠穩定性與制作問題；開關電源的數字仿真方法、計算機輔助優化設計和最優控制方法等。
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