PCB特性阻抗資料合集，有多個關(guān)于PCB特性阻抗的知識資料，讀后可以熟知阻抗設(shè)計的相關(guān)原理，還有關(guān)于阻抗計算軟件si9000的使用教程等。
標(biāo)簽： PCB
上傳時間： 2022-06-25
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本文在介紹了氮化嫁材料的基本結(jié)構(gòu)特征及物理化學(xué)特性之后，從氮化擦的外延結(jié)構(gòu)的屬性和氮化擦基高性能芯片設(shè)計兩個方面對氮化家材料和器件結(jié)構(gòu)展開了討論。其中材料屬性部分，介紹了透射電子顯微鏡的工作原理及其主要應(yīng)用范圍，然后根據(jù)實驗分析了TEM圖片，包括GaN多量子阱，重點分析了V型缺陷和塊狀缺陷的高分辨圖形，分析了他們對材料屬性的影響。然后分析了多種氮化擦樣品的光致發(fā)光譜和電致發(fā)光譜，并解釋其光譜藍(lán)移和紅移現(xiàn)象。在屬性部分最后介紹了基于密度泛函理論和第一性原理的CASTEP程序及其在分析GaN材料屬性上的應(yīng)用。在芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計部分，本文提出了三種高效率LED芯片的設(shè)計結(jié)構(gòu)，分別是基于雙光子晶體的LED芯片，基于微球模型的LED芯片，基于激光剝離襯底的大功率LED芯片。涉及到光子晶體理論，蒙特卡羅理論及激光剝離理論，本文分別介紹和分析了各類理論基礎(chǔ)，并在此基礎(chǔ)上提出新的設(shè)計結(jié)構(gòu)，給出仿真分析結(jié)果。雙光子晶體可以提供較完善的反射層，出射層。微球LED可以利用大尺寸表面結(jié)構(gòu)來大大提高LED芯片的外量子效率。基于激光剝離襯底的大功率LED可以實現(xiàn)較好散熱效果和功率。
標(biāo)簽： led
上傳時間： 2022-06-25
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GB/T 18655-2018 車輛、船和內(nèi)燃機無線電騷擾特性 用于保護車載接收機的限值和測量方法
上傳時間： 2022-06-29
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GJB 572A-2006 飛機外部電源供電特性及一般要求.
標(biāo)簽： 飛機外部電源
上傳時間： 2022-07-03
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GJB 181B-2012 飛機供電特性
標(biāo)簽： 飛機供電特性
上傳時間： 2022-07-03
上傳用戶：jiabin
GJB 5558-2006 飛機供電特性測試要求
標(biāo)簽： 飛機供電特性
上傳時間： 2022-07-03
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基于OrCAD-PSpice的差動放大電路溫度特性分析
標(biāo)簽： orcad 差動放大電路 溫度特性 pspice
上傳時間： 2022-07-07
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文檔為PIC集成芯片軟件編程開發(fā)設(shè)計之單片機特性詳解文檔，是一份不錯的參考資料，感興趣的可以下載看看，，，，，，，，，，，，，，，
標(biāo)簽： PIC單片機
上傳時間： 2022-07-12
上傳用戶：xsr1983
摘要：該系統(tǒng)基于掃頻外差基本原理，以單片機和FPGA構(gòu)成的最小系統(tǒng)為控制核心，可在任意指定頻段內(nèi)測量被測網(wǎng)絡(luò)的幅頻和相頻特性并顯示相應(yīng)曲線。系統(tǒng)分DDS掃頻信號源、被測網(wǎng)絡(luò)、幅度和相位檢測、控制模塊及幅頻、相頻特性曲線顯示等部分，在100Hz-100kHz范圍內(nèi)可自動步進測量被測網(wǎng)絡(luò)的幅須特性和相頻特性并自動設(shè)置頻段范圍，觀察不同頻段內(nèi)網(wǎng)絡(luò)的幅須特性和相須特性，并在示波器上同時顯示幅須曲或和相須由線。關(guān)鍵詞：掃頻測試；現(xiàn)場可編程門降列（FPGA）；頻率特性；直接數(shù)字式須率合成（DDS）頻率特性是網(wǎng)絡(luò)的性能最直觀反映。頻率特性測試儀是測量網(wǎng)絡(luò)的幅頻特性和相頻特性，并顯示相應(yīng)曲線的一種快速、方便、動態(tài)、直觀的測量儀器，可廣泛應(yīng)用于電子工程領(lǐng)域。該測試儀以掃頻外差為基本原理，并以單片機和FPGA構(gòu)成的最小系統(tǒng)為控制核心，很好地完成對有源雙T網(wǎng)絡(luò)進行頻率在100Hz~l00kHz范圍內(nèi)的幅頻響應(yīng)和相頻響應(yīng)特性的測試，并實現(xiàn)在通用數(shù)字示波器上同時顯示幅頻和相頻響應(yīng)特性曲線。
上傳時間： 2022-07-23
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電子元器件抗ESD技術(shù)講義:引 言 4 第1 章 電子元器件抗ESD損傷的基礎(chǔ)知識 5 1.1 靜電和靜電放電的定義和特點 5 1.2 對靜電認(rèn)識的發(fā)展歷史 6 1.3 靜電的產(chǎn)生 6 1.3.1 摩擦產(chǎn)生靜電 7 1.3.2 感應(yīng)產(chǎn)生靜電 8 1.3.3 靜電荷 8 1.3.4 靜電勢 8 1.3.5 影響靜電產(chǎn)生和大小的因素 9 1.4 靜電的來源 10 1.4.1 人體靜電 10 1.4.2 儀器和設(shè)備的靜電 11 1.4.3 器件本身的靜電 11 1.4.4 其它靜電來源 12 1.5 靜電放電的三種模式 12 1.5.1 帶電人體的放電模式(HBM) 12 1.5.2 帶電機器的放電模式（MM） 13 1.5.3 充電器件的放電模型 13 1.6 靜電放電失效 15 1.6.1 失效模式 15 1.6.2 失效機理 15 第2章 制造過程的防靜電損傷技術(shù) 2.1 靜電防護的作用和意義 2.1.1 多數(shù)電子元器件是靜電敏感器件 2.1.2 靜電對電子行業(yè)造成的損失很大 2.1.3 國內(nèi)外企業(yè)的狀況 2.2 靜電對電子產(chǎn)品的損害 2.2.1 靜電損害的形式 2.2.2 靜電損害的特點 2.2.3 可能產(chǎn)生靜電損害的制造過程 2.3 靜電防護的目的和總的原則 2.3.1 目的和原則 2.3.2 基本思路和技術(shù)途徑 2.4 靜電防護材料 2.4.1 與靜電防護材料有關(guān)的基本概念 2.4.2 靜電防護材料的主要參數(shù) 2.5 靜電防護器材 2.5.1 防靜電材料的制品 2.5.2 靜電消除器（消電器、電中和器或離子平衡器） 2.6 靜電防護的具體措施 2.6.1 建立靜電安全工作區(qū) 2.6.2 包裝、運送和存儲工程的防靜電措施 2.6.3 靜電檢測 2.6.4 靜電防護的管理工作 第3章 抗靜電檢測及分析技術(shù) 3.1 抗靜電檢測的作用和意義 3.2 靜電放電的標(biāo)準(zhǔn)波形 3.3 抗ESD檢測標(biāo)準(zhǔn) 3.3.1 電子元器件靜電放電靈敏度（ESDS）檢測及分類的常用標(biāo)準(zhǔn) 3.3.2 標(biāo)準(zhǔn)試驗方法的主要內(nèi)容（以MIL-STD-883E 方法3015.7為例） 3.4 實際ESD檢測的結(jié)果統(tǒng)計及分析 3.4.1 試驗條件 3.4.2 ESD評價試驗結(jié)果分析 3.5 關(guān)于ESD檢測中經(jīng)常遇到的一些問題 3.6 ESD損傷的失效定位分析技術(shù) 3.6.1 端口I－V特性檢測 3.6.2 光學(xué)顯微觀察 3.6.3 掃描電鏡分析 3.6.4 液晶分析 3.6.5 光輻射顯微分析技術(shù) 3.6.6 分層剝離技術(shù) 3.6.7 小結(jié) 3.7 ESD和EOS的判別方法討論 3.7.1 概念 3.7.2 ESD和EOS對器件損傷的分析判別方法 第4 章 電子元器件抗ESD設(shè)計技術(shù) 4.1 元器件抗ESD設(shè)計基礎(chǔ) 4.1.1抗ESD過電流熱失效設(shè)計基礎(chǔ) 4.1.2抗場感應(yīng)ESD失效設(shè)計基礎(chǔ) 4.2元器件基本抗ESD保護電路 4.2.1基本抗靜電保護電路 4.2.2對抗靜電保護電路的基本要求 4.2.3 混合電路抗靜電保護電路的考慮 4.2.4防靜電保護元器件 4.3 CMOS電路ESD失效模式和機理 4.4 CMOS電路ESD可靠性設(shè)計策略 4.4.1 設(shè)計保護電路轉(zhuǎn)移ESD大電流。 4.4.2 使輸入/輸出晶體管自身的ESD閾值達(dá)到最大。 4.5 CMOS電路基本ESD保護電路的設(shè)計 4.5.1 基本ESD保護電路單元 4.5.2 CMOS電路基本ESD保護電路 4.5.3 ESD設(shè)計的輔助工具－TLP測試 4.5.4 CMOS電路ESD保護設(shè)計方法 4.5.5 CMOS電路ESD保護電路示例 4.6 工藝控制和管理
上傳時間： 2013-07-13
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