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基于BCB鍵合的MEMS加速度計圓片級封裝工藝

　　對基于BCB的圓片級封裝工藝進(jìn)行了研究，該工藝代表了MEMS加速度計傳感器封裝的發(fā)展趨勢，是MEMS加速度計產(chǎn)業(yè)化的關(guān)鍵。選用3000系列BCB材料進(jìn)行MEMS傳感器的粘結(jié)鍵合工藝試驗(yàn)，解決了圓片級封裝問題，在低溫250 ℃和適當(dāng)壓力輔助下≤2.5 bar（1 bar=100 kPa）實(shí)現(xiàn)了加速度計的圓片級封裝，并對相關(guān)的旋涂、鍵合、氣氛、壓力等諸多工藝參數(shù)進(jìn)行了優(yōu)化。

標(biāo)簽： MEMS BCB 鍵合 加速度計

上傳時間： 2013-11-17

上傳用戶：JasonC

ICL8038 單片函數(shù)發(fā)生器

ICL8038 單片函數(shù)發(fā)生器

標(biāo)簽： 8038 ICL 函數(shù)發(fā)生器

上傳時間： 2014-12-23

上傳用戶：wushengwu

PADS制作鍋?zhàn)衅馕?/a>

標(biāo)簽： PADS

上傳時間： 2013-11-18

上傳用戶：michael20

一種無片外電容LDO的穩(wěn)定性分析

電路如果存在不穩(wěn)定性因素，就有可能出現(xiàn)振蕩。本文對比分析了傳統(tǒng)LDO和無片電容LDO的零極點(diǎn)，運(yùn)用電流緩沖器頻率補(bǔ)償設(shè)計了一款無片外電容LDO，電流緩沖器頻率補(bǔ)償不僅可減小片上補(bǔ)償電容而且可以增加帶寬。對理論分析結(jié)果在Cadence平臺基上于CSMC0.5um工藝對電路進(jìn)行了仿真驗(yàn)證。本文無片外電容LDO的片上補(bǔ)償電容僅為3 pF，減小了制造成本。它的電源電壓為3.5~6 V，輸出電壓為3.5 V。當(dāng)在輸入電源電壓6 V時輸出電流從100 μA到100 mA變化時，最小相位裕度為830，最小帶寬為4.58 MHz

標(biāo)簽： LDO 無片外電容 穩(wěn)定性分析

上傳時間： 2014-12-24

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XL4016高效率，大電流，單片集成降壓型開關(guān)電源芯片

XL4016高效率，大電流，單片集成降壓型開關(guān)電源芯片，測試板加芯片資料

標(biāo)簽： 4016 XL 高效率 大電流

上傳時間： 2014-12-24

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單片開關(guān)電源最新應(yīng)用技術(shù)

單片開關(guān)電源設(shè)計

標(biāo)簽： 單片開關(guān) 電源 應(yīng)用技術(shù)

上傳時間： 2013-10-27

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新型單片開關(guān)電源設(shè)計與應(yīng)用

單片開關(guān)電源設(shè)計與應(yīng)用

標(biāo)簽： 單片開關(guān) 電源設(shè)計

上傳時間： 2013-11-14

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單片開關(guān)電源

單片開關(guān)電源

標(biāo)簽： 單片開關(guān) 電源

上傳時間： 2013-12-23

上傳用戶：葉夜alex

基于TOP243Y的單片反激開關(guān)電源設(shè)計

介紹了一種具有多路輸出的單端反激式開關(guān)電源的設(shè)計方法，給出了利用單片開關(guān)電源集成芯片TOP243Y的電源設(shè)計實(shí)例，對外圍輸入EMI濾波電路、鉗位電路、高頻變壓器、輸出整流濾波電路等部分的設(shè)計過程進(jìn)行了詳細(xì)的分析和說明，并對設(shè)計樣機(jī)進(jìn)行組裝和調(diào)試。

標(biāo)簽： 243Y TOP 243 反激

上傳時間： 2013-10-27

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單片開關(guān)電源設(shè)計實(shí)例

單片開關(guān)電源設(shè)計實(shí)例

標(biāo)簽： 單片開關(guān) 電源 設(shè)計實(shí)例

上傳時間： 2013-11-22

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