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環(huán)(huán)路分析

  • 被動(dòng)組件之電感設(shè)計(jì)與分析

    隨著高頻微波在日常生活上的廣泛應(yīng)用,例如行動(dòng)電話(huà)、無(wú)線個(gè)人計(jì)算機(jī)、無(wú)線網(wǎng)絡(luò)等,高頻電路的技術(shù)也日新月異。良好的高頻電路設(shè)計(jì)的實(shí)現(xiàn)與改善,則建立在于精確的組件模型的基礎(chǔ)上。被動(dòng)組件如電感、濾波器等的電路模型與電路制作的材料、制程有緊密的關(guān)系,而建立這些組件等效電路模型的方法稱(chēng)為參數(shù)萃取。 早期的電感制作以金屬繞線為主要的材料與技術(shù),而近年來(lái),由于高頻與高速電路的應(yīng)用日益廣泛,加上電路設(shè)計(jì)趨向輕薄短小,電感制作的材質(zhì)與技術(shù)也不斷的進(jìn)步。例如射頻機(jī)體電路(RFIC)運(yùn)用硅材質(zhì),微波集成電路則廣泛的運(yùn)用砷化鎵(GaAs)技術(shù);此外,在低成本的無(wú)線通訊射頻應(yīng)用上,如混合(Hybrid)集成電路則運(yùn)用有機(jī)多芯片模塊(MCMs)結(jié)合傳統(tǒng)的玻璃基板制程,以及低溫共燒陶瓷(LTCC)技術(shù),制作印刷式平面電感等,以提升組件的質(zhì)量與效能,并減少體積與成本。 本章的重點(diǎn)包涵探討電感的原理與專(zhuān)有名詞,以及以常見(jiàn)的電感結(jié)構(gòu),并分析影響電感效能的主要因素與其電路模型,最后將以電感的模擬設(shè)計(jì)為例,說(shuō)明電感參數(shù)的萃取。

    標(biāo)簽: 被動(dòng)組件 電感 設(shè)計(jì)與分析

    上傳時(shí)間: 2013-11-20

    上傳用戶(hù):yuanxiaoqiang

  • 高速電路信號(hào)完整性分析之應(yīng)用篇

    高速電路信號(hào)完整性分析之應(yīng)用篇

    標(biāo)簽: 高速電路 信號(hào)完整性

    上傳時(shí)間: 2013-11-19

    上傳用戶(hù):小寶愛(ài)考拉

  • 電路板維修相關(guān)技術(shù)資料

    電路板故障分析 維修方式介紹 ASA維修技術(shù) ICT維修技術(shù) 沒(méi)有線路圖,無(wú)從修起 電路板太複雜,維修困難 維修經(jīng)驗(yàn)及技術(shù)不足 無(wú)法維修的死板,廢棄可惜 送電中作動(dòng)態(tài)維修,危險(xiǎn)性極高 備份板太多,積壓資金 送國(guó)外維修費(fèi)用高,維修時(shí)間長(zhǎng) 對(duì)老化零件無(wú)從查起無(wú)法預(yù)先更換 維修速度及效率無(wú)法提升,造成公司負(fù)擔(dān),客戶(hù)埋怨 投資大量維修設(shè)備,操作複雜,績(jī)效不彰

    標(biāo)簽: 電路板維修 技術(shù)資料

    上傳時(shí)間: 2013-10-26

    上傳用戶(hù):neu_liyan

  • 冗余開(kāi)關(guān)電源均流試驗(yàn)分析

    隨著數(shù)字儀控系統(tǒng)在工業(yè)行業(yè)應(yīng)用的日益廣泛,效率及可靠性更高的開(kāi)關(guān)電源在數(shù)字儀控系統(tǒng)設(shè)計(jì)中的應(yīng)用也越來(lái)越多。針對(duì)數(shù)字儀控系統(tǒng)工程中開(kāi)關(guān)電源的典型應(yīng)用配電回路,在電源擴(kuò)容、電源冗余可靠性設(shè)計(jì)方面進(jìn)行分析描述,同時(shí)結(jié)合試驗(yàn)分析由此設(shè)計(jì)而產(chǎn)生的電源模塊均流問(wèn)題對(duì)配電回路可靠性的影響。

    標(biāo)簽: 冗余 開(kāi)關(guān)電源 均流

    上傳時(shí)間: 2013-10-14

    上傳用戶(hù):huyiming139

  • 帶后備電池的多路隔離輸出開(kāi)關(guān)電源

    介紹了一種帶后備電池的多路隔離輸出開(kāi)關(guān)電源,可用于大功率器件驅(qū)動(dòng)電路的供電。在市電掉電的情況下,后備電池立即接入系統(tǒng),保證多路輸出開(kāi)關(guān)電源的正常工作,提高整個(gè)驅(qū)動(dòng)供電電源的可靠性。

    標(biāo)簽: 后備電池 多路 隔離 輸出開(kāi)關(guān)

    上傳時(shí)間: 2013-11-24

    上傳用戶(hù):781354052

  • 電傳動(dòng)車(chē)輛用高功率鋰離子電池性能分析研究

    為研究功率型鋰離子電池性能,對(duì)某35 Ah功率型鋰離子電池單體進(jìn)行了充放電特性試驗(yàn)和分析,由此獲得功率型電池在不同溫度和不同倍率下的充放電特性、內(nèi)阻特性和溫升特性。研究結(jié)果表明,低溫下電池的充放電內(nèi)阻較大,充放電性能衰減顯著;常溫下電池的內(nèi)阻較小,充放電溫升較小,大電流充放電的容量穩(wěn)定性好,質(zhì)量比能量高,作為電傳動(dòng)車(chē)輛主要或輔助動(dòng)力源具有良好的應(yīng)用前景。

    標(biāo)簽: 電傳 性能分析 高功率 鋰離子電池

    上傳時(shí)間: 2013-11-13

    上傳用戶(hù):清風(fēng)冷雨

  • 開(kāi)關(guān)電源中功率MOSFET管損壞模式及分析

    結(jié)合功率MOSFET管不同的失效形態(tài),論述了功率MOSFET管分別在過(guò)電流和過(guò)電壓條件下?lián)p壞的模式,并說(shuō)明了產(chǎn)生這樣的損壞形態(tài)的原因,也分析了功率MOSFET管在關(guān)斷及開(kāi)通過(guò)程中發(fā)生失效形態(tài)的差別,從而為失效在關(guān)斷或在開(kāi)通過(guò)程中發(fā)生損壞提供了判斷依據(jù)。給出了測(cè)試過(guò)電流和過(guò)電壓的電路圖。同時(shí)分析了功率MOSFET管在動(dòng)態(tài)老化測(cè)試中慢速開(kāi)通、在電池保護(hù)電路應(yīng)用中慢速關(guān)斷及較長(zhǎng)時(shí)間工作在線性區(qū)時(shí)損壞的形態(tài)。最后,結(jié)合實(shí)際應(yīng)用,論述了功率MOSFET通常會(huì)產(chǎn)生過(guò)電流和過(guò)電壓二種混合損壞方式損壞機(jī)理和過(guò)程。

    標(biāo)簽: MOSFET 開(kāi)關(guān)電源 功率

    上傳時(shí)間: 2013-11-14

    上傳用戶(hù):dongqiangqiang

  • 隔直旁路電容及扼流電感的取值

    這里僅討論電容及電感值的選取。種類(lèi)的選取,則需要更多的工程實(shí)踐,更多的RF電路的經(jīng)驗(yàn),這里不再討論。從理論上講,隔直電容、旁路電容的容量應(yīng)滿(mǎn)足。顯然,在任何角頻率下,這在工程上是作不到的。電容量究竟取多大是合理的呢?圖1-5(a),(b)給出了隔直電容(多數(shù)情況下,這個(gè)電容又稱(chēng)為耦合電容)和旁路電容的使用簡(jiǎn)化

    標(biāo)簽: 旁路電容 扼流 電感

    上傳時(shí)間: 2013-11-12

    上傳用戶(hù):13188549192

  • 鎂合金微弧氧化電源驅(qū)動(dòng)電路的可靠性分析

    微弧氧化是一種新型的表面處理方法,利用該電路可輸出雙端不對(duì)稱(chēng)的高壓脈沖,且脈沖幅值、頻率、占空比均在一定范圍內(nèi)連續(xù)可調(diào)。本文首先介紹了微弧氧化電源技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)狀,然后對(duì)試驗(yàn)中使用過(guò)的幾種IGBT驅(qū)動(dòng)模塊M57959、2ED300、2SD315 3種驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)、工作原理和使用性能做了詳細(xì)分析對(duì)比。實(shí)驗(yàn)表明,Eupec系列的2ED300驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,可靠性高,適用于大功率微弧氧化電源的驅(qū)動(dòng)。

    標(biāo)簽: 鎂合金 氧化 可靠性分析 電源驅(qū)動(dòng)電路

    上傳時(shí)間: 2014-01-21

    上傳用戶(hù):hahayou

  • 一種無(wú)片外電容LDO的穩(wěn)定性分析

    電路如果存在不穩(wěn)定性因素,就有可能出現(xiàn)振蕩。本文對(duì)比分析了傳統(tǒng)LDO和無(wú)片電容LDO的零極點(diǎn),運(yùn)用電流緩沖器頻率補(bǔ)償設(shè)計(jì)了一款無(wú)片外電容LDO,電流緩沖器頻率補(bǔ)償不僅可減小片上補(bǔ)償電容而且可以增加帶寬。對(duì)理論分析結(jié)果在Cadence平臺(tái)基上于CSMC0.5um工藝對(duì)電路進(jìn)行了仿真驗(yàn)證。本文無(wú)片外電容LDO的片上補(bǔ)償電容僅為3 pF,減小了制造成本。它的電源電壓為3.5~6 V,輸出電壓為3.5 V。當(dāng)在輸入電源電壓6 V時(shí)輸出電流從100 μA到100 mA變化時(shí),最小相位裕度為830,最小帶寬為4.58 MHz

    標(biāo)簽: LDO 無(wú)片外電容 穩(wěn)定性分析

    上傳時(shí)間: 2014-12-24

    上傳用戶(hù):wangjin2945

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