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介紹了廣泛應用于各種電流模式電路的第二代電流控制電流傳輸器原件的跨導線性環特性和端口特性，以及其基本組成共源共柵電流鏡，并提出了基于共源共柵電流鏡的新型COMS電流傳輸器。在此基礎上，設計了基于電流控制電流傳輸器的電流模式積分電路，并利用Hspice軟件進行輸入為正弦波和方波時的輸出波形的仿真驗證。
標簽： CCCII 電流模式 積分電路
上傳時間： 2013-10-22
上傳用戶：wtrl
計數器是一種重要的時序邏輯電路，廣泛應用于各類數字系統中。介紹以集成計數器74LS161和74LS160為基礎，用歸零法設計N進制計數器的原理與步驟。用此方法設計了3種36進制計數器，并用Multisim10軟件進行仿真。計算機仿真結果表明設計的計數器實現了36進制計數的功能。基于集成計數器的N進制計數器設計方法簡單、可行，運用Multisim 10進行電子電路設計和仿真具有省時、低成本、高效率的優越性。
標簽： 歸零法 N進制計數器原
上傳時間： 2013-10-11
上傳用戶：gtzj
在理論模型的基礎上探討了電子勢壘的形狀以及勢壘形狀隨外加電壓的變化, 并進行定量計算, 得出隧穿電壓隨雜質摻雜濃度的變化規律。所得結論與硅、鍺p-n 結實驗數據相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量 研究p-n 結的隧道擊穿中的合理性與實用性。該理論模型對研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意義。
標簽： p-n 隧道 擊穿 模型研究
上傳時間： 2013-10-31
上傳用戶：summery
結合功率MOSFET管不同的失效形態，論述了功率MOSFET管分別在過電流和過電壓條件下損壞的模式，并說明了產生這樣的損壞形態的原因，也分析了功率MOSFET管在關斷及開通過程中發生失效形態的差別，從而為失效在關斷或在開通過程中發生損壞提供了判斷依據。給出了測試過電流和過電壓的電路圖。同時分析了功率MOSFET管在動態老化測試中慢速開通、在電池保護電路應用中慢速關斷及較長時間工作在線性區時損壞的形態。最后，結合實際應用，論述了功率MOSFET通常會產生過電流和過電壓二種混合損壞方式損壞機理和過程。
標簽： MOSFET 開關電源 功率 分
上傳時間： 2013-11-14
上傳用戶：dongqiangqiang
N+緩沖層設計對PT-IGBT器件特性的影響至關重要。文中利用Silvaco軟件對PT-IGBT的I-V特性進行仿真。提取相同電流密度下，不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態壓降，得到了通態壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線，該仿真結果與理論分析一致。對于PT-IGBT結構，N+緩沖層濃度及厚度存在最優值，只要合理的選取可以有效地降低通態壓降。
標簽： PT-IGBT 緩沖層
上傳時間： 2013-11-12
上傳用戶：thesk123
峰值電流模式的單片式DCDC變換器設計
標簽： DCDC 峰值電流 單片式 變換器
上傳時間： 2014-12-24
上傳用戶：debuchangshi
五種PWM反饋控制模式研究
標簽： PWM 反饋控制 模式
上傳時間： 2013-10-14
上傳用戶：Amygdala
結構電流模式與電壓模式的比較 中文
標簽： 電流模式 電壓模式 比較
上傳時間： 2013-11-16
上傳用戶：1406054127
經由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們如何對EMI產生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉接器(adapter)來做傳導性及輻射性EMI測試。
標簽： MOSFET EMI 電壓電流 控制
上傳時間： 2014-09-08
上傳用戶：swing
艾默生開關電源基礎
標簽： 開關電源
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