深夜福利视频一区二区,久久免费的精品国产v∧,欧美老妇交乱视频

產(chǎn)(chǎn)品信息

基于N溝道MOS管H橋驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)與制作

基于N溝道MOS管H橋驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)與制作

標(biāo)簽： MOS N溝道 H橋驅(qū)動(dòng) 電路設(shè)計(jì)

上傳時(shí)間： 2014-08-01

上傳用戶：1109003457
采用歸零法的N進(jìn)制計(jì)數(shù)器原理

計(jì)數(shù)器是一種重要的時(shí)序邏輯電路，廣泛應(yīng)用于各類數(shù)字系統(tǒng)中。介紹以集成計(jì)數(shù)器74LS161和74LS160為基礎(chǔ)，用歸零法設(shè)計(jì)N進(jìn)制計(jì)數(shù)器的原理與步驟。用此方法設(shè)計(jì)了3種36進(jìn)制計(jì)數(shù)器，并用Multisim10軟件進(jìn)行仿真。計(jì)算機(jī)仿真結(jié)果表明設(shè)計(jì)的計(jì)數(shù)器實(shí)現(xiàn)了36進(jìn)制計(jì)數(shù)的功能?；诩捎?jì)數(shù)器的N進(jìn)制計(jì)數(shù)器設(shè)計(jì)方法簡(jiǎn)單、可行，運(yùn)用Multisim 10進(jìn)行電子電路設(shè)計(jì)和仿真具有省時(shí)、低成本、高效率的優(yōu)越性。

標(biāo)簽： 歸零法 N進(jìn)制計(jì)數(shù)器原

上傳時(shí)間： 2013-10-11

上傳用戶：gtzj
p-n結(jié)的隧道擊穿模型研究

在理論模型的基礎(chǔ)上探討了電子勢(shì)壘的形狀以及勢(shì)壘形狀隨外加電壓的變化, 并進(jìn)行定量計(jì)算, 得出隧穿電壓隨雜質(zhì)摻雜濃度的變化規(guī)律。所得結(jié)論與硅、鍺p-n 結(jié)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量研究p-n 結(jié)的隧道擊穿中的合理性與實(shí)用性。該理論模型對(duì)研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意義。

標(biāo)簽： p-n 隧道擊穿模型研究

上傳時(shí)間： 2013-10-31

上傳用戶：summery
IC封裝製程簡(jiǎn)介(IC封裝制程簡(jiǎn)介)

半導(dǎo)體的產(chǎn)品很多，應(yīng)用的場(chǎng)合非常廣泛，圖一是常見的幾種半導(dǎo)體元件外型。半導(dǎo)體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別，圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 雖然半導(dǎo)體元件的外型種類很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。從半導(dǎo)體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導(dǎo)體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內(nèi)一片非常小的晶片，透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內(nèi)部的晶片，圖三是以顯微鏡將內(nèi)部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請(qǐng)注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當(dāng)引發(fā)過電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。圖四是常見的LED，也就是發(fā)光二極體，其內(nèi)部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來做分別，晶片是貼附在負(fù)極的腳上，經(jīng)由銲線連接正極的腳。當(dāng)LED通過正向電流時(shí)，晶片會(huì)發(fā)光而使LED發(fā)亮，如圖六所示。半導(dǎo)體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產(chǎn)品，稱為IC封裝製程，又可細(xì)分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節(jié)中將簡(jiǎn)介這兩段的製造程序。

標(biāo)簽： 封裝 IC封裝制程

上傳時(shí)間： 2014-01-20

上傳用戶：蒼山觀海
GB/T 1447-1993 信息技術(shù)設(shè)備用不間斷電源通用技術(shù)條件

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)GB/T 1447-1993 信息技術(shù)設(shè)備用不間斷電源通用技術(shù)條件

標(biāo)簽： 1447 1993 GB 信息技術(shù)

上傳時(shí)間： 2013-12-16

上傳用戶：zq70996813
按鈕接通關(guān)斷控制器簡(jiǎn)化了系統(tǒng)設(shè)計(jì)

手持式產(chǎn)品設(shè)計(jì)師常常需要找到實(shí)現(xiàn)便攜式設(shè)備接通/關(guān)斷按鈕的防反跳和控制的方法

標(biāo)簽： 按鈕關(guān)斷控制器系統(tǒng)設(shè)計(jì)

上傳時(shí)間： 2013-11-14

上傳用戶：225588
按鈕接通關(guān)斷控制器簡(jiǎn)化了系統(tǒng)設(shè)計(jì)

手持式產(chǎn)品設(shè)計(jì)師常常需要找到實(shí)現(xiàn)便攜式設(shè)備接通/關(guān)斷按鈕的防反跳和控制的方法

標(biāo)簽： 按鈕關(guān)斷控制器系統(tǒng)設(shè)計(jì)

上傳時(shí)間： 2013-11-11

上傳用戶：dianxin61
N+緩沖層對(duì)PT-IGBT通態(tài)壓降影響的研究

N+緩沖層設(shè)計(jì)對(duì)PT-IGBT器件特性的影響至關(guān)重要。文中利用Silvaco軟件對(duì)PT-IGBT的I-V特性進(jìn)行仿真。提取相同電流密度下，不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態(tài)壓降，得到了通態(tài)壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線，該仿真結(jié)果與理論分析一致。對(duì)于PT-IGBT結(jié)構(gòu)，N+緩沖層濃度及厚度存在最優(yōu)值，只要合理的選取可以有效地降低通態(tài)壓降。

標(biāo)簽： PT-IGBT 緩沖層

上傳時(shí)間： 2013-11-12

上傳用戶：thesk123
基于無線傳感器網(wǎng)絡(luò)的生物信息檢測(cè)系統(tǒng)節(jié)點(diǎn)電源設(shè)計(jì)

提出一種生物信息檢測(cè)系統(tǒng)中無線傳感器網(wǎng)絡(luò)（WSN）節(jié)點(diǎn)的電源設(shè)計(jì)方案。除了通過內(nèi)部3.7 V鋰電池，振動(dòng)產(chǎn)生的機(jī)械能也可以用來提供能量。系統(tǒng)工作過程中能自動(dòng)對(duì)供電方式進(jìn)行選擇，并完成對(duì)鋰電池的充電任務(wù)。

標(biāo)簽： 無線傳感器網(wǎng)絡(luò) 信息檢測(cè) 系統(tǒng)節(jié)點(diǎn) 電源設(shè)計(jì)

上傳時(shí)間： 2013-11-09

上傳用戶：止絮那夏
FR-E500-CH變頻用戶手冊(cè)

本內(nèi)容提供了FR-E500-CH變頻用戶手冊(cè)

標(biāo)簽： FR-E 500 CH 用戶手冊(cè)

上傳時(shí)間： 2013-11-13

上傳用戶：xhz1993