自拍偷拍一区二区三区,一区二区三区四区五区精品,亚洲欧美国产不卡

產(chǎn)(chǎn)品檢測

p-n結(jié)的隧道擊穿模型研究

在理論模型的基礎(chǔ)上探討了電子勢壘的形狀以及勢壘形狀隨外加電壓的變化, 并進(jìn)行定量計算, 得出隧穿電壓隨雜質(zhì)摻雜濃度的變化規(guī)律。所得結(jié)論與硅、鍺p-n 結(jié)實驗數(shù)據(jù)相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量研究p-n 結(jié)的隧道擊穿中的合理性與實用性。該理論模型對研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意義。

標(biāo)簽： p-n 隧道擊穿模型研究

上傳時間： 2013-10-31

上傳用戶：summery
IC封裝製程簡介(IC封裝制程簡介)

半導(dǎo)體的產(chǎn)品很多，應(yīng)用的場合非常廣泛，圖一是常見的幾種半導(dǎo)體元件外型。半導(dǎo)體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別，圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 雖然半導(dǎo)體元件的外型種類很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。從半導(dǎo)體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導(dǎo)體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內(nèi)一片非常小的晶片，透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內(nèi)部的晶片，圖三是以顯微鏡將內(nèi)部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當(dāng)引發(fā)過電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。圖四是常見的LED，也就是發(fā)光二極體，其內(nèi)部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來做分別，晶片是貼附在負(fù)極的腳上，經(jīng)由銲線連接正極的腳。當(dāng)LED通過正向電流時，晶片會發(fā)光而使LED發(fā)亮，如圖六所示。半導(dǎo)體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產(chǎn)品，稱為IC封裝製程，又可細(xì)分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節(jié)中將簡介這兩段的製造程序。

標(biāo)簽： 封裝 IC封裝制程

上傳時間： 2014-01-20

上傳用戶：蒼山觀海
按鈕接通關(guān)斷控制器簡化了系統(tǒng)設(shè)計

手持式產(chǎn)品設(shè)計師常常需要找到實現(xiàn)便攜式設(shè)備接通/關(guān)斷按鈕的防反跳和控制的方法

標(biāo)簽： 按鈕關(guān)斷控制器系統(tǒng)設(shè)計

上傳時間： 2013-11-14

上傳用戶：225588
按鈕接通關(guān)斷控制器簡化了系統(tǒng)設(shè)計

手持式產(chǎn)品設(shè)計師常常需要找到實現(xiàn)便攜式設(shè)備接通/關(guān)斷按鈕的防反跳和控制的方法

標(biāo)簽： 按鈕關(guān)斷控制器系統(tǒng)設(shè)計

上傳時間： 2013-11-11

上傳用戶：dianxin61
N+緩沖層對PT-IGBT通態(tài)壓降影響的研究

N+緩沖層設(shè)計對PT-IGBT器件特性的影響至關(guān)重要。文中利用Silvaco軟件對PT-IGBT的I-V特性進(jìn)行仿真。提取相同電流密度下，不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態(tài)壓降，得到了通態(tài)壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線，該仿真結(jié)果與理論分析一致。對于PT-IGBT結(jié)構(gòu)，N+緩沖層濃度及厚度存在最優(yōu)值，只要合理的選取可以有效地降低通態(tài)壓降。

標(biāo)簽： PT-IGBT 緩沖層

上傳時間： 2013-11-12

上傳用戶：thesk123
透過MOSFET電壓電流最佳化控制傳導(dǎo)性及輻射性EMI

經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們?nèi)绾螌MI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側(cè)MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉(zhuǎn)接器(adapter)來做傳導(dǎo)性及輻射性EMI測試。

標(biāo)簽： MOSFET EMI 電壓電流控制

上傳時間： 2014-09-08

上傳用戶：swing
PC電源測試系統(tǒng)chroma8000

PC電源測試系統(tǒng)chroma8000簡介

標(biāo)簽： chroma 8000 電源測試系統(tǒng)

上傳時間： 2013-11-08

上傳用戶：xiehao13
FR-E500-CH變頻用戶手冊

本內(nèi)容提供了FR-E500-CH變頻用戶手冊

標(biāo)簽： FR-E 500 CH 用戶手冊

上傳時間： 2013-11-13

上傳用戶：xhz1993
CCFL背光簡單介紹

　　熱陰極螢光燈(HCFL)發(fā)光原理　　冷陰極螢光燈(CCFL)發(fā)光原理　　產(chǎn)品特性　　CCFL製程概述　　產(chǎn)品結(jié)構(gòu)

標(biāo)簽： CCFL 背光

上傳時間： 2013-11-18

上傳用戶：cknck
（N+X）熱插拔模塊并聯(lián)逆變電源應(yīng)用前景

隨著我國通信、電力事業(yè)的發(fā)展，通信、電力網(wǎng)絡(luò)的規(guī)模越來越大，系統(tǒng)越來越復(fù)雜。與之相應(yīng)的對交流供電的可靠性、靈活性、智能化、免維護(hù)越來越重要。在中國通信、電力網(wǎng)絡(luò)中，傳統(tǒng)的交流供電方案是以UPS或單機式逆變器提供純凈不間斷的交流電源。由于控制技術(shù)的進(jìn)步、完善，（N+X）熱插拔模塊并聯(lián)逆變電源已經(jīng)非常成熟、可靠；在歐美的通信、電力發(fā)達(dá)的國家，各大通信運營商、電力供應(yīng)商、軍隊均大量應(yīng)用了這種更合理的供電方案。與其它方案相比較，（N+X）熱插拔模塊并聯(lián)逆變電源具有以下明顯的優(yōu)點。

標(biāo)簽： 熱插拔模塊并聯(lián) 應(yīng)用前景

上傳時間： 2014-03-24

上傳用戶：alan-ee