第一部分 信號完整性知識基礎.................................................................................5第一章 高速數字電路概述.....................................................................................51.1 何為高速電路...............................................................................................51.2 高速帶來的問題及設計流程剖析...............................................................61.3 相關的一些基本概念...................................................................................8第二章 傳輸線理論...............................................................................................122.1 分布式系統和集總電路.............................................................................122.2 傳輸線的RLCG 模型和電報方程...............................................................132.3 傳輸線的特征阻抗.....................................................................................142.3.1 特性阻抗的本質.................................................................................142.3.2 特征阻抗相關計算.............................................................................152.3.3 特性阻抗對信號完整性的影響.........................................................172.4 傳輸線電報方程及推導.............................................................................182.5 趨膚效應和集束效應.................................................................................232.6 信號的反射.................................................................................................252.6.1 反射機理和電報方程.........................................................................252.6.2 反射導致信號的失真問題.................................................................302.6.2.1 過沖和下沖.....................................................................................302.6.2.2 振蕩：.............................................................................................312.6.3 反射的抑制和匹配.............................................................................342.6.3.1 串行匹配.........................................................................................352.6.3.1 并行匹配.........................................................................................362.6.3.3 差分線的匹配.................................................................................392.6.3.4 多負載的匹配.................................................................................41第三章 串擾的分析...............................................................................................423.1 串擾的基本概念.........................................................................................423.2 前向串擾和后向串擾.................................................................................433.3 后向串擾的反射.........................................................................................463.4 后向串擾的飽和.........................................................................................463.5 共模和差模電流對串擾的影響.................................................................483.6 連接器的串擾問題.....................................................................................513.7 串擾的具體計算.........................................................................................543.8 避免串擾的措施.........................................................................................57第四章 EMI 抑制....................................................................................................604.1 EMI/EMC 的基本概念..................................................................................604.2 EMI 的產生..................................................................................................614.2.1 電壓瞬變.............................................................................................614.2.2 信號的回流.........................................................................................624.2.3 共模和差摸EMI ..................................................................................634.3 EMI 的控制..................................................................................................654.3.1 屏蔽.....................................................................................................654.3.1.1 電場屏蔽.........................................................................................654.3.1.2 磁場屏蔽.........................................................................................674.3.1.3 電磁場屏蔽.....................................................................................674.3.1.4 電磁屏蔽體和屏蔽效率.................................................................684.3.2 濾波.....................................................................................................714.3.2.1 去耦電容.........................................................................................714.3.2.3 磁性元件.........................................................................................734.3.3 接地.....................................................................................................744.4 PCB 設計中的EMI.......................................................................................754.4.1 傳輸線RLC 參數和EMI ........................................................................764.4.2 疊層設計抑制EMI ..............................................................................774.4.3 電容和接地過孔對回流的作用.........................................................784.4.4 布局和走線規則.................................................................................79第五章 電源完整性理論基礎...............................................................................825.1 電源噪聲的起因及危害.............................................................................825.2 電源阻抗設計.............................................................................................855.3 同步開關噪聲分析.....................................................................................875.3.1 芯片內部開關噪聲.............................................................................885.3.2 芯片外部開關噪聲.............................................................................895.3.3 等效電感衡量SSN ..............................................................................905.4 旁路電容的特性和應用.............................................................................925.4.1 電容的頻率特性.................................................................................935.4.3 電容的介質和封裝影響.....................................................................955.4.3 電容并聯特性及反諧振.....................................................................955.4.4 如何選擇電容.....................................................................................975.4.5 電容的擺放及Layout ........................................................................99第六章 系統時序.................................................................................................1006.1 普通時序系統...........................................................................................1006.1.1 時序參數的確定...............................................................................1016.1.2 時序約束條件...................................................................................1063.2 高速設計的問題.......................................................................................2093.3 SPECCTRAQuest SI Expert 的組件.......................................................2103.3.1 SPECCTRAQuest Model Integrity .................................................2103.3.2 SPECCTRAQuest Floorplanner/Editor .........................................2153.3.3 Constraint Manager .......................................................................2163.3.4 SigXplorer Expert Topology Development Environment .......2233.3.5 SigNoise 仿真子系統......................................................................2253.3.6 EMControl .........................................................................................2303.3.7 SPECCTRA Expert 自動布線器.......................................................2303.4 高速設計的大致流程...............................................................................2303.4.1 拓撲結構的探索...............................................................................2313.4.2 空間解決方案的探索.......................................................................2313.4.3 使用拓撲模板驅動設計...................................................................2313.4.4 時序驅動布局...................................................................................2323.4.5 以約束條件驅動設計.......................................................................2323.4.6 設計后分析.......................................................................................233第四章 SPECCTRAQUEST SIGNAL EXPLORER 的進階運用..........................................2344.1 SPECCTRAQuest Signal Explorer 的功能包括：................................2344.2 圖形化的拓撲結構探索...........................................................................2344.3 全面的信號完整性(Signal Integrity)分析.......................................2344.4 完全兼容 IBIS 模型...............................................................................2344.5 PCB 設計前和設計的拓撲結構提取.......................................................2354.6 仿真設置顧問...........................................................................................2354.7 改變設計的管理.......................................................................................2354.8 關鍵技術特點...........................................................................................2364.8.1 拓撲結構探索...................................................................................2364.8.2 SigWave 波形顯示器........................................................................2364.8.3 集成化的在線分析(Integration and In-process Analysis) .236第五章 部分特殊的運用...............................................................................2375.1 Script 指令的使用..................................................................................2375.2 差分信號的仿真.......................................................................................2435.3 眼圖模式的使用.......................................................................................249第四部分：HYPERLYNX 仿真工具使用指南............................................................251第一章 使用LINESIM 進行前仿真.......................................................................2511.1 用LineSim 進行仿真工作的基本方法...................................................2511.2 處理信號完整性原理圖的具體問題.......................................................2591.3 在LineSim 中如何對傳輸線進行設置...................................................2601.4 在LineSim 中模擬IC 元件.....................................................................2631.5 在LineSim 中進行串擾仿真...................................................................268第二章 使用BOARDSIM 進行后仿真......................................................................2732.1 用BOARDSIM 進行后仿真工作的基本方法...................................................2732.2 BoardSim 的進一步介紹..........................................................................2922.3 BoardSim 中的串擾仿真..........................................................................309
上傳時間： 2014-04-18
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半導體的產品很多，應用的場合非常廣泛，圖一是常見的幾種半導體元件外型。半導體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別，圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 雖然半導體元件的外型種類很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。 從半導體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內一片非常小的晶片，透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內部的晶片，圖三是以顯微鏡將內部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當引發過電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。 圖四是常見的LED，也就是發光二極體，其內部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來做分別，晶片是貼附在負極的腳上，經由銲線連接正極的腳。當LED通過正向電流時，晶片會發光而使LED發亮，如圖六所示。 半導體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產品，稱為IC封裝製程，又可細分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節中將簡介這兩段的製造程序。
上傳時間： 2014-01-20
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附件附帶破解補丁 浩辰CAD 2012專業版破解方法： 按正常安裝浩辰CAD 2012專業版，點擊安裝KeyGen.exe。 浩辰CAD2012，以增強軟件實用性、易用性為主要目標，新增了大量實用功能，改進了著色、消隱的正確性，提升了大幅面光柵圖像處理的性能，同時改進了LISP\VBA二次開發接口的正確性和兼容性。 浩辰CAD 2012根據國內外用戶的需求，增加了大量實用功能，例如動態塊、DWF文件插入、隔離隱藏對象、轉換EXCEL表格、塊屬性管理器、放樣、超級填充等。 浩辰cad2012新增功能： 1、動態塊（bedit） 動態塊具有靈活性和智能性。 用戶在操作時可以輕松地更改圖形中的動態塊參照。 可以通過自定義夾點或自定義特性來操作動態塊參照中的幾何圖形。 a)通過設置圖塊中元素的可見性，一個圖塊中可以包含一種圖形的多種形態，如下圖的汽車模塊就包含跑車、轎車和卡車的各向視圖，只需在可見性列表中選擇一個選項，就可以顯示相應的圖形。 還可對圖塊中的圖形設置參數和動作，可對圖塊的整體或部分圖形進行移動、旋轉、翻轉、縮放、陣列等；并可建立查詢列表，對圖塊進行參數化控制。通過圖塊的動作設置，一個圖塊可以派生出數個圖塊，如下圖所示： 2、DWF參考底圖（dwfattach） 可以將dwf文件插入到當前圖中作為參考底圖，并可以捕捉到底圖的端點、中點，如下圖所示： 3、對象隔離、對象隱藏、取消對象隔離 可將選擇的對象暫時隱藏，也可將選擇對象以外的其他所有對象隱藏。當圖中對象較多，利用此命令可以簡化圖紙，方便后續操作，操作起來比圖層隔離更加簡便、直觀。 4、凍結其它圖層和鎖定其它圖層 浩辰CAD 之前版本提供了圖層隔離的功能，凍結其他圖層和鎖定其它圖層與圖層隔離功能類似，可以通過選擇需要顯示或可編輯對象，將其他圖層進行凍結和鎖定。 5、CAD表格轉EXCEL表格 可以直接選擇CAD中由直線、多段線和單行文字、多行文字組成的表格輸出為EXCEL表格。 6、文字遞增 可以對序號、編號、數值進行遞增復制，間距、數量和增量均可隨心所欲地控制。 7、多段線布爾運算 可直接對封閉的多段線進行差并交計算，無需轉換面域，有時比修剪更簡便。 8、拼寫檢查（spell） 此功能實現對用戶輸入的單詞或文章進行單詞校驗，提示匹配的單詞列表，方便用戶進行正確的單詞填寫工作?？梢詫崿F不同語言的單詞校驗工作，包括英文，德文，等8種語言。 可以對全部實體（包括布局，模型中的所有實體）進行校驗。 可以分別對布局或模型中的實體進行校驗。 可以單獨對一個實體或一個選擇集進行校驗。 方便用戶自定義詞典。 兼容的自定義詞典。 支持文字，塊內文字，塊屬性，屬性，標注的校驗。 9、放樣（Loft） 通過對包含兩條或者兩條以上的橫截面曲線的一組曲線進行放樣（繪制實體或曲面）來創建三維實體或曲面。 10、塊屬性管理器（battman） 創建帶屬性的塊后，執行 battman 對塊中屬性定義進行查詢和修改，如果將修改應用到所有塊參照，則對應塊的塊參照中屬性實體也會做對應修改。 11、超級填充（superhatch） 超級填充命令有點像hatch命令，不同的是，可以使用該命令將光柵圖像、塊、外部參照和擦除這些實體作為填充實體對閉合區域進行填充。 12、線上寫字 可以在選擇線上書寫文字，線會被自動打斷，文字會放到線中間。 ◆ 重要功能改進 1、超鏈接 浩辰CAD 2012版的超鏈接不僅修改了以前存在的一些錯誤，而且提供了更為豐富的功能。 a)支持web鏈接的瀏覽和連接的設置。 b)支持打開操作系統可打開的所有文件。 c)支持dwg圖紙的視圖定位。 d)支持超鏈接的復制粘貼。 e)可以通過鼠標光標狀態來判斷是否存在鏈接，方便用戶判斷是否存在鏈接。 f)可以通過ctrl+鼠標點擊打開設置的文件，方便用戶的操作。 g)可以通過右鍵打開塊內實體的鏈接。 2、光柵圖像 浩辰CAD 2012版不僅增加了圖像格式的支持，同時提升了大分辨率光柵圖像的插入、顯示和打印的效果和速度。 a) 增加了對多種圖像格式的支持，諸如：CALS-1(*.cal,*.mil,*.rst,*.cg4)、RLC、GEOSPORT(.bil)、PICT(.pct/.pict)、IG4、Autodesk Animator(.fil/.flc)。 b) 內存使用問題，可以插入多張圖片，內存不會增加。 c) 光柵圖像打印問題（不清晰）。 d) 插入大圖像時，預覽速度大幅提升。 3、二次開發改進 浩辰CAD 2012版針對二次開發商和用戶提出的一些LISP及VBA與AutoCAD存在的兼容性問題進行了系統梳理，兼容性有明顯提升，此外還針對國外二次開發商的需求開發了Lisp調試器。 a) Lisp改進 處理了線程問題、命令范圍值問題、VLX解析問題，對Lisp程序執行速度進行了優化。 b) VBA改進 處理了VBA的文檔管理、接口不全、接口錯誤、類派生關系錯誤問題。 c) Lisp調試器 用戶在使用浩辰CAD時，由于LISP與AutoCAD不完全兼容，用戶需要一個工具進行調試，以協助用戶解決及分析報告LISP問題。此系統以完成調試功能為主，不處理詞法分析前的映射。適用于中級以上開發用戶。
上傳時間： 2013-11-10
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基于DDS AD9835的高壓射頻信號源的設計
上傳時間： 2013-10-23
上傳用戶：woshiayin
6 GEMS壓力變送器3000系列-超高壓變送器 GEMS壓力變送器3000的行業應用： 船舶、工程機械 產品特點： ■工作壓力可高達10,000PSI ■高精度-在整個應用過程中,精度在±0.15%之內 ■高穩定性-長期漂移≤0.05%FS/6年 ■高的抗震動性能-采用了薄膜濺射式設計,取消了易破的連接線 GEMS壓力變送器3000的性能參數 精度 0.15%FS 重復性 0.03%FS 長期穩定性 0.06%F.S/年 壓力范圍 0-500、1000、2000、3000、5000、6000、7500、10,000psi 耐壓 2xF.S,15,000PSI,Max. 破裂壓力 7xFS 4xFS,對于10,000psi 疲勞壽命 108次滿量程循環 零點公差 0.5%F.S 量程公差 0.5%F.S,響應時間0.5毫秒 溫度影響 溫漂 1.5%FS(-20℃到80℃) 2%FS(-40℃到100℃) 2.7%FS(-55℃到120℃) GEMS壓力變送器3000的環境參數 振動 正弦曲線,峰值70g,5～5000HZ(根據MIL-STD810,514.2方法程序I) EMC 30V/m(100V/m Survivability) 電壓輸出 電路 見PDF文件(3線) 激勵 高于滿程電壓1.5VDC,最大到35VDC@6mA 最小環路電阻 (FS輸出/2)Kohms 供電靈敏度 0.01%FS/Volt 電流輸出 電路 2線 環路供電電壓 24VDC(7-35VDC) 輸出 4-20mA 最大環路電阻 (Vs-7)x50Ω 供電靈敏度 0.01%FS/V 比率輸出 輸出 0.5v到4.5v(3線)@5VDC供電 輸出激勵電壓 5VDC(4.75V-7VDC) GEMS壓力變送器3000的物理參數 殼體 IP65代碼G(NEMA4);IP67代碼F(NEMA6) 接液部件 17-4和15-5不銹鋼 電氣連接 見訂貨指南 壓力連接 1/4″NPT或G1/4 重量(約) 110g(電纜重量另加:75g/m) 機械震動 1000g/MIL-STD810,方法516.2,程序Ⅳ 加速度 在任意方向施加100g的穩定加速度時1bar(15psi)量程變送器的輸出會波動0.032%FS/g,量程增大到400bar(6000psi)時輸出波動會按對數遞減至0.0007%FS/g. 認證等級 CE
上傳時間： 2013-10-09
上傳用戶：sdfsdfs1
電工最常見電路集:
上傳時間： 2013-10-29
上傳用戶：xy@1314
設計了一種可在CMOS射頻功率放大器中用于功率合成的寬帶變壓器。通過對變壓器的并聯和串聯兩種功率合成形式進行分析與比較，指出了匝數比、功率單元數目以及寄生電阻對變壓器功率合成性能的影響；提出了一種片上變壓器的設計方法，即采用多層金屬疊層并聯以及將功放單元內置于變壓器線圈中的方式，解決了在CMOS工藝中設計變壓器時面臨的寄生電阻過大及有效耦合長度不足等困難。設計的變壓器在2～3 GHz頻段內的損耗小于1．35 dB，其功率合成效率高達76 以上，適合多模多頻段射頻前端的應用。
上傳時間： 2014-12-24
上傳用戶：ewtrwrtwe
淮南煤礦區地跨淮河兩岸，轄有大通、田家庵、謝家集、八公山、潘集5個行政區，人口106．30萬，是國家大型煤炭生產基地之一?；茨瞎╇娛加诿駠?9年（1930年）4月，當時僅有1臺7．5千瓦直流發電機發電，供九龍崗礦場地面照明。民國25年，九龍崗東西兩礦，有1路1．70公里的2．3千伏送電線相聯，各裝1臺10千伏安變壓器。民國27年后，日本侵略軍占領淮南，在大通、九龍崗兩區建礦采煤，掠奪煤炭資源，民國32年，建成下窯（田家庵）發電所，架設經大通至九龍崗22千伏同桿（鐵塔）雙固路輸電線，和大通、九龍崗2個變電所，以3．3千伏向礦井配電。抗日戰爭勝利后，民國36年4月，淮南路礦公司架設田家庵至八公山22千伏輸電線。至此22千伏線路全長37．10公里，變電所4個，降壓變壓器11臺，總容量7500千伏安。民國37年售電量1189．60萬千瓦·時，主要供煤礦用電。建國后，先后對謝一、謝二、謝三礦和李咀孜礦進行勘探建井。1954年，原22千伏線路和變電所升壓為35千伏供電。1958年起以110千伏電壓供電。至1972年，發展成為工商業區和政治文化中心的東部地區，也升壓為110千伏供電。1975年淮河北岸潘集礦區開始建設，負荷中心北移，由田家庵電廠出線跨越淮河至潘集礦區的110千伏輸變電工程同時投運。1978～1982年間，淮南礦區又先后建成田家庵電廠經西山變電所至淮河北岸蘆集變電所的220千伏系統。1985年，田家庵、洛河電廠裝機總容量達90．10萬千瓦，市內供電網相應加強，全礦區已形成主要由田家庵電廠110千伏母線和220千伏西山變電所、蘆集變電所3點分片供電，以220千伏和110千伏高壓配電網聯合供電的格局。同時，一些大型廠礦都有自備35千伏及以上變電所，并向附近中小企業轉供電，形成東部田家庵、大通兩區，中部望峰崗地區，西部謝集、八公山兩區，淮河北岸潘集區組成的4個公用中低壓配電網絡。1985年，全市最高負荷19．55萬千瓦，供電量16億多千瓦·時。其中，煤炭工業最高負荷9．34萬千瓦，用電量4．99億千瓦·時，占全市用電量的三分之一。
標簽： 礦區供電
上傳時間： 2013-10-12
上傳用戶：fandeshun
當今電子系統如高端處理器及記憶體，對電源的需求是趨向更低電壓、更高電流的應用。同時、對負載的反應速度也要提高。因此功率系統工程師要面對的挑戰，是要設計出符合系統要求的細小、價廉但高效率的電源系統。而這些要求都不是傳統功率架構能夠完全滿足的。Vicor提出的分比功率架構(Factorized Power Architecture FPA)以及一系列的整合功率元件，可提供革命性的功率轉換方案，應付以上提及的各項挑戰。這些功率元件稱為V•I晶片。
上傳時間： 2013-11-15
上傳用戶：yan2267246
藍牙模塊指令集
上傳時間： 2013-12-30
上傳用戶：清山綠水
