SCR三相調(diào)壓觸發(fā)電路已有不少設(shè)計(jì)與應(yīng)用，文中提出了一種簡化的基于STM32的調(diào)壓觸發(fā)電路設(shè)計(jì)方案，并完成了系統(tǒng)的軟硬件設(shè)計(jì)。該設(shè)計(jì)主要采用了光電隔離并利用三相電源自身的相間換流特性，只用三組觸發(fā)信號就可以達(dá)到控制六只晶閘管導(dǎo)通角的作用。軟件部分采用了STM32芯片多個高性能定時器及周邊AD接口，完成了高精度觸發(fā)信號發(fā)生、PID控制調(diào)壓等功能。通過實(shí)驗(yàn)表明該系統(tǒng)簡便可靠，達(dá)到了設(shè)計(jì)要求。
標(biāo)簽： STM 32 晶閘管 三相調(diào)壓電路
上傳時間： 2013-10-21
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基于DDS AD9835的高壓射頻信號源的設(shè)計(jì)
上傳時間： 2013-10-23
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場效應(yīng)管的開關(guān)電路在電源技術(shù)中應(yīng)用較多
標(biāo)簽： 場效應(yīng)管 中的應(yīng)用 開關(guān)電路
上傳時間： 2013-11-08
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常用穩(wěn)壓二級管技術(shù)參數(shù)
標(biāo)簽： 常用穩(wěn)壓 二級 合成 技術(shù)參數(shù)
上傳時間： 2013-10-23
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晶閘管交流調(diào)功器主電路設(shè)計(jì)
標(biāo)簽： 晶閘管 交流 主電路 調(diào)功器
上傳時間： 2013-12-13
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一種實(shí)用的晶閘管調(diào)速電路
標(biāo)簽： 晶閘管 調(diào)速電路
上傳時間： 2013-11-18
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5000種場效應(yīng)管速查
標(biāo)簽： 5000 場效應(yīng)管 速查
上傳時間： 2013-11-06
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6 GEMS壓力變送器3000系列-超高壓變送器 GEMS壓力變送器3000的行業(yè)應(yīng)用： 船舶、工程機(jī)械 產(chǎn)品特點(diǎn)： ■工作壓力可高達(dá)10,000PSI ■高精度-在整個應(yīng)用過程中,精度在±0.15%之內(nèi) ■高穩(wěn)定性-長期漂移≤0.05%FS/6年 ■高的抗震動性能-采用了薄膜濺射式設(shè)計(jì),取消了易破的連接線 GEMS壓力變送器3000的性能參數(shù) 精度 0.15%FS 重復(fù)性 0.03%FS 長期穩(wěn)定性 0.06%F.S/年 壓力范圍 0-500、1000、2000、3000、5000、6000、7500、10,000psi 耐壓 2xF.S,15,000PSI,Max. 破裂壓力 7xFS 4xFS,對于10,000psi 疲勞壽命 108次滿量程循環(huán) 零點(diǎn)公差 0.5%F.S 量程公差 0.5%F.S,響應(yīng)時間0.5毫秒 溫度影響 溫漂 1.5%FS(-20℃到80℃) 2%FS(-40℃到100℃) 2.7%FS(-55℃到120℃) GEMS壓力變送器3000的環(huán)境參數(shù) 振動 正弦曲線,峰值70g,5～5000HZ(根據(jù)MIL-STD810,514.2方法程序I) EMC 30V/m(100V/m Survivability) 電壓輸出 電路 見PDF文件(3線) 激勵 高于滿程電壓1.5VDC,最大到35VDC@6mA 最小環(huán)路電阻 (FS輸出/2)Kohms 供電靈敏度 0.01%FS/Volt 電流輸出 電路 2線 環(huán)路供電電壓 24VDC(7-35VDC) 輸出 4-20mA 最大環(huán)路電阻 (Vs-7)x50Ω 供電靈敏度 0.01%FS/V 比率輸出 輸出 0.5v到4.5v(3線)@5VDC供電 輸出激勵電壓 5VDC(4.75V-7VDC) GEMS壓力變送器3000的物理參數(shù) 殼體 IP65代碼G(NEMA4);IP67代碼F(NEMA6) 接液部件 17-4和15-5不銹鋼 電氣連接 見訂貨指南 壓力連接 1/4″NPT或G1/4 重量(約) 110g(電纜重量另加:75g/m) 機(jī)械震動 1000g/MIL-STD810,方法516.2,程序Ⅳ 加速度 在任意方向施加100g的穩(wěn)定加速度時1bar(15psi)量程變送器的輸出會波動0.032%FS/g,量程增大到400bar(6000psi)時輸出波動會按對數(shù)遞減至0.0007%FS/g. 認(rèn)證等級 CE
上傳時間： 2013-10-09
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提高mos管的效率，MOS的損耗計(jì)算。
上傳時間： 2013-12-24
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設(shè)計(jì)了一種可在CMOS射頻功率放大器中用于功率合成的寬帶變壓器。通過對變壓器的并聯(lián)和串聯(lián)兩種功率合成形式進(jìn)行分析與比較，指出了匝數(shù)比、功率單元數(shù)目以及寄生電阻對變壓器功率合成性能的影響；提出了一種片上變壓器的設(shè)計(jì)方法，即采用多層金屬疊層并聯(lián)以及將功放單元內(nèi)置于變壓器線圈中的方式，解決了在CMOS工藝中設(shè)計(jì)變壓器時面臨的寄生電阻過大及有效耦合長度不足等困難。設(shè)計(jì)的變壓器在2～3 GHz頻段內(nèi)的損耗小于1．35 dB，其功率合成效率高達(dá)76 以上，適合多模多頻段射頻前端的應(yīng)用。
標(biāo)簽： CMOS 射頻功率放大器 變壓器 合成技術(shù)
上傳時間： 2014-12-24
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