基于DDS AD9835的高壓射頻信號(hào)源的設(shè)計(jì)
標(biāo)簽： 9835 DDS AD 射頻信號(hào)源
上傳時(shí)間： 2013-10-23
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開關(guān)電源設(shè)計(jì)與開發(fā) 資料
標(biāo)簽： 開關(guān)電源設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間： 2014-12-24
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6 GEMS壓力變送器3000系列-超高壓變送器 GEMS壓力變送器3000的行業(yè)應(yīng)用： 船舶、工程機(jī)械 產(chǎn)品特點(diǎn)： ■工作壓力可高達(dá)10,000PSI ■高精度-在整個(gè)應(yīng)用過程中,精度在±0.15%之內(nèi) ■高穩(wěn)定性-長(zhǎng)期漂移≤0.05%FS/6年 ■高的抗震動(dòng)性能-采用了薄膜濺射式設(shè)計(jì),取消了易破的連接線 GEMS壓力變送器3000的性能參數(shù) 精度 0.15%FS 重復(fù)性 0.03%FS 長(zhǎng)期穩(wěn)定性 0.06%F.S/年 壓力范圍 0-500、1000、2000、3000、5000、6000、7500、10,000psi 耐壓 2xF.S,15,000PSI,Max. 破裂壓力 7xFS 4xFS,對(duì)于10,000psi 疲勞壽命 108次滿量程循環(huán) 零點(diǎn)公差 0.5%F.S 量程公差 0.5%F.S,響應(yīng)時(shí)間0.5毫秒 溫度影響 溫漂 1.5%FS(-20℃到80℃) 2%FS(-40℃到100℃) 2.7%FS(-55℃到120℃) GEMS壓力變送器3000的環(huán)境參數(shù) 振動(dòng) 正弦曲線,峰值70g,5～5000HZ(根據(jù)MIL-STD810,514.2方法程序I) EMC 30V/m(100V/m Survivability) 電壓輸出 電路 見PDF文件(3線) 激勵(lì) 高于滿程電壓1.5VDC,最大到35VDC@6mA 最小環(huán)路電阻 (FS輸出/2)Kohms 供電靈敏度 0.01%FS/Volt 電流輸出 電路 2線 環(huán)路供電電壓 24VDC(7-35VDC) 輸出 4-20mA 最大環(huán)路電阻 (Vs-7)x50Ω 供電靈敏度 0.01%FS/V 比率輸出 輸出 0.5v到4.5v(3線)@5VDC供電 輸出激勵(lì)電壓 5VDC(4.75V-7VDC) GEMS壓力變送器3000的物理參數(shù) 殼體 IP65代碼G(NEMA4);IP67代碼F(NEMA6) 接液部件 17-4和15-5不銹鋼 電氣連接 見訂貨指南 壓力連接 1/4″NPT或G1/4 重量(約) 110g(電纜重量另加:75g/m) 機(jī)械震動(dòng) 1000g/MIL-STD810,方法516.2,程序Ⅳ 加速度 在任意方向施加100g的穩(wěn)定加速度時(shí)1bar(15psi)量程變送器的輸出會(huì)波動(dòng)0.032%FS/g,量程增大到400bar(6000psi)時(shí)輸出波動(dòng)會(huì)按對(duì)數(shù)遞減至0.0007%FS/g. 認(rèn)證等級(jí) CE
上傳時(shí)間： 2013-10-09
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無線電源接收解決方案
上傳時(shí)間： 2013-11-04
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重點(diǎn)研究了場(chǎng)效應(yīng)管驅(qū)動(dòng)電路、脈沖超聲波高壓激發(fā)電路及接收保護(hù)電路,并簡(jiǎn)要介紹了其余電路的實(shí)現(xiàn)。對(duì)研制的電路進(jìn)行了性能分析,所用電子元器件均無過熱現(xiàn)象,并獲得較為理想的電脈沖信號(hào)。設(shè)計(jì)的電路板已成功用于磁致伸縮式超聲傳感器測(cè)量材料彈性模量。
標(biāo)簽： 脈沖 接收 電路設(shè)計(jì) 超聲傳感器
上傳時(shí)間： 2013-10-15
上傳用戶：fhjdliu
本文較全面探討丁超聲波換能器驅(qū)動(dòng)和接收電路的多種電路組成形式，各種電子元器l件的應(yīng)用及工作特點(diǎn)，并飼舉r實(shí)例加以說明。
標(biāo)簽： 超聲波 換能器 接收電路 驅(qū)動(dòng)
上傳時(shí)間： 2013-10-15
上傳用戶：zhaiye
設(shè)計(jì)了一種可在CMOS射頻功率放大器中用于功率合成的寬帶變壓器。通過對(duì)變壓器的并聯(lián)和串聯(lián)兩種功率合成形式進(jìn)行分析與比較，指出了匝數(shù)比、功率單元數(shù)目以及寄生電阻對(duì)變壓器功率合成性能的影響；提出了一種片上變壓器的設(shè)計(jì)方法，即采用多層金屬疊層并聯(lián)以及將功放單元內(nèi)置于變壓器線圈中的方式，解決了在CMOS工藝中設(shè)計(jì)變壓器時(shí)面臨的寄生電阻過大及有效耦合長(zhǎng)度不足等困難。設(shè)計(jì)的變壓器在2～3 GHz頻段內(nèi)的損耗小于1．35 dB，其功率合成效率高達(dá)76 以上，適合多模多頻段射頻前端的應(yīng)用。
標(biāo)簽： CMOS 射頻功率放大器 變壓器 合成技術(shù)
上傳時(shí)間： 2014-12-24
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一 種基于 MSP430單片機(jī)的藍(lán)牙接收裝置的設(shè)計(jì)
標(biāo)簽： MSP 430 單片機(jī) 藍(lán)牙接收裝置
上傳時(shí)間： 2013-10-22
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紅外接收程
上傳時(shí)間： 2014-12-25
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紅外線遙控Proteus仿真電路 發(fā)射 接收程序
標(biāo)簽： Proteus 紅外線遙控 仿真電路 發(fā)射接收
上傳時(shí)間： 2013-10-12
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