PCB LAYOUT 術語解釋(TERMS)1. COMPONENT SIDE(零件面、正面)︰大多數零件放置之面。2. SOLDER SIDE(焊錫面、反面)。3. SOLDER MASK(止焊膜面)︰通常指Solder Mask Open 之意。4. TOP PAD︰在零件面上所設計之零件腳PAD，不管是否鑽孔、電鍍。5. BOTTOM PAD：在銲錫面上所設計之零件腳PAD，不管是否鑽孔、電鍍。6. POSITIVE LAYER：單、雙層板之各層線路；多層板之上、下兩層線路及內層走線皆屬之。7. NEGATIVE LAYER：通常指多層板之電源層。8. INNER PAD：多層板之POSITIVE LAYER 內層PAD。9. ANTI-PAD：多層板之NEGATIVE LAYER 上所使用之絕緣範圍，不與零件腳相接。10. THERMAL PAD：多層板內NEGATIVE LAYER 上必須零件腳時所使用之PAD，一般稱為散熱孔或導通孔。11. PAD (銲墊)：除了SMD PAD 外，其他PAD 之TOP PAD、BOTTOM PAD 及INNER PAD 之形狀大小皆應相同。12. Moat : 不同信號的 Power& GND plane 之間的分隔線13. Grid : 佈線時的走線格點2. Test Point : ATE 測試點供工廠ICT 測試治具使用ICT 測試點 LAYOUT 注意事項:PCB 的每條TRACE 都要有一個作為測試用之TEST PAD(測試點)，其原則如下：1. 一般測試點大小均為30-35mil，元件分布較密時，測試點最小可至30mil.測試點與元件PAD 的距離最小為40mil。2. 測試點與測試點間的間距最小為50-75mil，一般使用75mil。密度高時可使用50mil,3. 測試點必須均勻分佈於PCB 上，避免測試時造成板面受力不均。4. 多層板必須透過貫穿孔(VIA)將測試點留於錫爐著錫面上(Solder Side)。5. 測試點必需放至於Bottom Layer6. 輸出test point report(.asc 檔案powerpcb v3.5)供廠商分析可測率7. 測試點設置處:Setuppadsstacks
標簽： layout design pcb 硬件工程師
上傳時間： 2013-10-22
上傳用戶：pei5
介紹了一種帶后備電池的多路隔離輸出開關電源，可用于大功率器件驅動電路的供電。在市電掉電的情況下，后備電池立即接入系統，保證多路輸出開關電源的正常工作，提高整個驅動供電電源的可靠性。
標簽： 后備電池 多路 隔離 輸出開關
上傳時間： 2013-11-24
上傳用戶：781354052
這里僅討論電容及電感值的選取。種類的選取,則需要更多的工程實踐,更多的RF電路的經驗,這里不再討論。從理論上講,隔直電容、旁路電容的容量應滿足。顯然,在任何角頻率下,這在工程上是作不到的。電容量究竟取多大是合理的呢？圖1-5(a),(b)給出了隔直電容(多數情況下,這個電容又稱為耦合電容)和旁路電容的使用簡化
標簽： 旁路電容 扼流 電感
上傳時間： 2013-11-12
上傳用戶：13188549192
多路輸出開關電源交叉調整率
標簽： 多路輸出 交叉調整率 開關電源
上傳時間： 2013-10-31
上傳用戶：15070202241
大型 TFT-LCD 的功率需求量之大似乎永遠得不到滿足。電源必須滿足晶體管數目不斷增加和顯示器分辨率日益攀升的要求，並且還不能占用太大的板級空間。
標簽： TFT-LCD 輸出穩壓器 大型 顯示器
上傳時間： 2014-12-24
上傳用戶：watch100
高可用性繫統常常采用雙路饋送功率分配，旨在實現冗餘並增強系統的可靠性。“或”二極管把兩路電源一起連接在負載點上，最常用的是肖特基二極管，目的在於實現低損耗
標簽： 理想二極管 保護 電源布線 錯誤
上傳時間： 2013-10-19
上傳用戶：BOBOniu
LTM®4616 是一款雙路輸入、雙路輸出 DC/DC μModule™ 穩壓器，采用 15mm x 15mm x 2.8mm LGA 表面貼裝型封裝。由於開關控制器、MOSFET、電感器和其他支持元件均被集成在纖巧型封裝之內，因此只需少量的外部元件。
標簽： uModule DCDC 16A 雙通道
上傳時間： 2013-10-27
上傳用戶：頂得柱
基于ATmega64的智能路燈節電器
標簽： ATmega 64 智能路燈 節電器
上傳時間： 2013-10-29
上傳用戶：wab1981
開關電源設計與開發 資料
標簽： 開關電源設計
上傳用戶：38553903210
經由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們如何對EMI產生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉接器(adapter)來做傳導性及輻射性EMI測試。
標簽： MOSFET EMI 電壓電流 控制
上傳時間： 2014-09-08
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