PCB LAYOUT 術(shù)語(yǔ)解釋(TERMS)1. COMPONENT SIDE(零件面、正面)︰大多數(shù)零件放置之面。2. SOLDER SIDE(焊錫面、反面)。3. SOLDER MASK(止焊膜面)︰通常指Solder Mask Open 之意。4. TOP PAD︰在零件面上所設(shè)計(jì)之零件腳PAD，不管是否鑽孔、電鍍。5. BOTTOM PAD：在銲錫面上所設(shè)計(jì)之零件腳PAD，不管是否鑽孔、電鍍。6. POSITIVE LAYER：?jiǎn)巍㈦p層板之各層線路；多層板之上、下兩層線路及內(nèi)層走線皆屬之。7. NEGATIVE LAYER：通常指多層板之電源層。8. INNER PAD：多層板之POSITIVE LAYER 內(nèi)層PAD。9. ANTI-PAD：多層板之NEGATIVE LAYER 上所使用之絕緣範(fàn)圍，不與零件腳相接。10. THERMAL PAD：多層板內(nèi)NEGATIVE LAYER 上必須零件腳時(shí)所使用之PAD，一般稱為散熱孔或?qū)住?1. PAD (銲墊)：除了SMD PAD 外，其他PAD 之TOP PAD、BOTTOM PAD 及INNER PAD 之形狀大小皆應(yīng)相同。12. Moat : 不同信號(hào)的 Power& GND plane 之間的分隔線13. Grid : 佈線時(shí)的走線格點(diǎn)2. Test Point : ATE 測(cè)試點(diǎn)供工廠ICT 測(cè)試治具使用ICT 測(cè)試點(diǎn) LAYOUT 注意事項(xiàng):PCB 的每條TRACE 都要有一個(gè)作為測(cè)試用之TEST PAD(測(cè)試點(diǎn))，其原則如下：1. 一般測(cè)試點(diǎn)大小均為30-35mil，元件分布較密時(shí)，測(cè)試點(diǎn)最小可至30mil.測(cè)試點(diǎn)與元件PAD 的距離最小為40mil。2. 測(cè)試點(diǎn)與測(cè)試點(diǎn)間的間距最小為50-75mil，一般使用75mil。密度高時(shí)可使用50mil,3. 測(cè)試點(diǎn)必須均勻分佈於PCB 上，避免測(cè)試時(shí)造成板面受力不均。4. 多層板必須透過貫穿孔(VIA)將測(cè)試點(diǎn)留於錫爐著錫面上(Solder Side)。5. 測(cè)試點(diǎn)必需放至於Bottom Layer6. 輸出test point report(.asc 檔案powerpcb v3.5)供廠商分析可測(cè)率7. 測(cè)試點(diǎn)設(shè)置處:Setuppadsstacks
標(biāo)簽： layout design pcb 硬件工程師
上傳時(shí)間： 2013-11-17
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新代數(shù)控系統(tǒng)OpenCNC_PLC發(fā)展工具操作手冊(cè)V2.5。
標(biāo)簽： OpenCNC_PLC 2.5 數(shù)控系統(tǒng) 操作
上傳時(shí)間： 2013-11-07
上傳用戶：shanxiliuxu
微電腦型單相交流集合式電表（單相二線系統(tǒng)） 特點(diǎn)： 精確度0.25%滿刻度±1位數(shù) 可同時(shí)量測(cè)與顯示交流電壓,電流,頻率,瓦特,(功率因數(shù)/視在功率) 交流電壓,電流,瓦特皆為真正有效值(TRMS) 交流電流,瓦特之小數(shù)點(diǎn)可任意設(shè)定 瓦特單位W或KW可任意設(shè)定 CT比可任意設(shè)定(1至999) 輸入與輸出絕緣耐壓 2仟伏特/1分鐘( 突波測(cè)試強(qiáng)度4仟伏特(1.2x50us) 數(shù)位RS-485界面 (Optional) 主要規(guī)格： 精確度: 0.1% F.S.±1 digit (Frequency) 0.25% F.S.±1 digit(ACA,ACV,Watt,VA) 0.25% F.S. ±0.25o(Power Factor) (-.300~+.300) 輸入負(fù)載: <0.2VA (Voltage) <0.2VA (Current) 最大過載能力: Current related input: 3 x rated continuous 10 x rated 30 sec. 25 x rated 3sec. 50 x rated 1sec. Voltage related input: maximum 2 x rated continuous 過載顯示: "doFL" 顯示值范圍: 0~600.0V(Voltage) 0~999.9Hz(Frequency)(<20% for voltage input) 0~19999 digit adjustable(Current,Watt,VA) 取樣時(shí)間: 2 cycles/sec. RS-485通訊位址: "01"-"FF" RS-485傳輸速度: 19200/9600/4800/2400 selective RS-485通信協(xié)議: Modbus RTU mode 溫度系數(shù): 100ppm/℃ (0-50℃) 顯示幕: Red high efficiency LEDs high 10.16 mm(0.4") 參數(shù)設(shè)定方式: Touch switches 記憶型式: Non-volatile E²PROM memory 絕緣抗阻: >100Mohm with 500V DC 絕緣耐壓能力: 2KVac/1 min. (input/output/power) 1600 Vdc (input/output) 突波測(cè)試: ANSI c37.90a/1974,DIN-IEC 255-4 impulse voltage 4KV(1.2x50us) 使用環(huán)境條件: 0-50℃(20 to 90% RH non-condensed) 存放環(huán)境條件: 0-70℃(20 to 90% RH non-condensed) CE認(rèn)證: EN 55022:1998/A1:2000 Class A EN 61000-3-2:2000 EN 61000-3-3:1995/A1:2001 EN 55024:1998/A1:2001
上傳時(shí)間： 2015-01-03
上傳用戶：幾何公差
針對(duì)一般測(cè)溫方法在進(jìn)行流體多點(diǎn)溫度測(cè)量時(shí)存在系統(tǒng)復(fù)雜，準(zhǔn)確度和速度難以兼顧的問題，提出了一種基于溫度-頻率（T-F）變換的測(cè)量系統(tǒng)。該系統(tǒng)使用PIC18F6722單片機(jī)控制MOS管開關(guān)陣列，使多個(gè)測(cè)點(diǎn)的熱敏電阻分別與TLC555構(gòu)成振蕩電路，將測(cè)點(diǎn)的溫度變化轉(zhuǎn)化為振蕩頻率的變化，使用8253計(jì)數(shù)芯片對(duì)TLC555的輸出信號(hào)進(jìn)行測(cè)量并產(chǎn)生中斷，單片機(jī)讀取8253計(jì)數(shù)值反演為測(cè)點(diǎn)溫度。實(shí)驗(yàn)表明，測(cè)點(diǎn)數(shù)目增多不會(huì)增加測(cè)量系統(tǒng)的復(fù)雜程度，通過設(shè)置8253的計(jì)數(shù)初值，可以在不改變硬件的情況下靈活選擇測(cè)量的準(zhǔn)確度和速度，滿足了流體多點(diǎn)精確快速測(cè)溫的需求。同時(shí)該系統(tǒng)具備簡(jiǎn)潔實(shí)用，成本低的優(yōu)點(diǎn)。
上傳時(shí)間： 2013-10-23
上傳用戶：assef
用對(duì)半分法計(jì)算f(x)=0
上傳時(shí)間： 2013-12-10
上傳用戶：小碼農(nóng)lz
用雙點(diǎn)弦截法計(jì)算f(x)=0
標(biāo)簽： 計(jì)算
上傳時(shí)間： 2013-11-28
上傳用戶：shinesyh
關(guān)于操作系統(tǒng)：本程序可選用優(yōu)先數(shù)法或簡(jiǎn)單輪轉(zhuǎn)法對(duì)五個(gè)進(jìn)程進(jìn)行調(diào)度。每個(gè)進(jìn)程處于運(yùn)行R（run）、就緒W（wait）和完成F（finish）三種狀態(tài)之一，并假定起始狀態(tài)都是就緒狀態(tài)W。
標(biāo)簽： finish wait run 進(jìn)程
上傳時(shí)間： 2014-01-27
上傳用戶：1427796291
一個(gè)通用的矩陣綜合算法；能實(shí)現(xiàn)加、減、乘、轉(zhuǎn)置以及初始化設(shè)置功能(大小和初值)。
上傳時(shí)間： 2014-02-18
上傳用戶：Thuan
asfdsa f
標(biāo)簽： asfdsa
上傳時(shí)間： 2015-01-08
上傳用戶：xcy122677
矩陣轉(zhuǎn)置
標(biāo)簽： 矩陣
上傳時(shí)間： 2015-01-09
上傳用戶：離殤
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