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發射板

  • 被動組件之電感設計與分析

    隨著高頻微波在日常生活上的廣泛應用，例如行動電話、無線個人計算機、無線網絡等，高頻電路的技術也日新月異。良好的高頻電路設計的實現與改善，則建立在于精確的組件模型的基礎上。被動組件如電感、濾波器等的電路模型與電路制作的材料、制程有緊密的關系，而建立這些組件等效電路模型的方法稱為參數萃取。 早期的電感制作以金屬繞線為主要的材料與技術，而近年來，由于高頻與高速電路的應用日益廣泛，加上電路設計趨向輕薄短小，電感制作的材質與技術也不斷的進步。例如射頻機體電路（RFIC）運用硅材質，微波集成電路則廣泛的運用砷化鎵（GaAs）技術；此外，在低成本的無線通訊射頻應用上，如混合（Hybrid）集成電路則運用有機多芯片模塊（MCMs）結合傳統的玻璃基板制程，以及低溫共燒陶瓷（LTCC）技術，制作印刷式平面電感等，以提升組件的質量與效能，并減少體積與成本。 本章的重點包涵探討電感的原理與專有名詞，以及以常見的電感結構，并分析影響電感效能的主要因素與其電路模型，最后將以電感的模擬設計為例，說明電感參數的萃取。

    標簽： 被動組件 電感 設計與分析

    上傳時間： 2013-11-20

    上傳用戶：yuanxiaoqiang

  • PCB板各個層的含義.pdf

    PCB板各個層的含義.pdf

    標簽： PCB

    上傳時間： 2013-10-24

    上傳用戶：yangzhiwei

  • IC封裝製程簡介(IC封裝制程簡介)

    半導體的產品很多，應用的場合非常廣泛，圖一是常見的幾種半導體元件外型。半導體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別，圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為   PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array         雖然半導體元件的外型種類很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。    從半導體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內一片非常小的晶片，透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內部的晶片，圖三是以顯微鏡將內部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當引發過電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。   圖四是常見的LED，也就是發光二極體，其內部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來做分別，晶片是貼附在負極的腳上，經由銲線連接正極的腳。當LED通過正向電流時，晶片會發光而使LED發亮，如圖六所示。     半導體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產品，稱為IC封裝製程，又可細分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節中將簡介這兩段的製造程序。

    標簽： 封裝 IC封裝 制程

    上傳時間： 2014-01-20

    上傳用戶：蒼山觀海

  • 基于DDS AD9835的高壓射頻信號源的設計

    基于DDS AD9835的高壓射頻信號源的設計

    標簽： 9835 DDS AD 射頻信號源

    上傳時間： 2013-10-23

    上傳用戶：woshiayin

  • 鋰電池保護板工作原理

    鋰電池保護板工作原理。

    標簽： 鋰電池 保護板 工作原理

    上傳時間： 2013-10-21

    上傳用戶：a1054751988

  • 逆變器驅動板

    小的 正弦波板

    標簽： 逆變器驅動板

    上傳時間： 2013-11-19

    上傳用戶：風行天下

  • 液晶高壓板電路圖大集合

    液晶高壓板電路圖大集

    標簽： 液晶高壓板 電路圖

    上傳時間： 2014-12-24

    上傳用戶：kxw404582151

  • CMOS射頻功率放大器中的變壓器合成技術

    設計了一種可在CMOS射頻功率放大器中用于功率合成的寬帶變壓器。通過對變壓器的并聯和串聯兩種功率合成形式進行分析與比較，指出了匝數比、功率單元數目以及寄生電阻對變壓器功率合成性能的影響；提出了一種片上變壓器的設計方法，即采用多層金屬疊層并聯以及將功放單元內置于變壓器線圈中的方式，解決了在CMOS工藝中設計變壓器時面臨的寄生電阻過大及有效耦合長度不足等困難。設計的變壓器在2～3 GHz頻段內的損耗小于1．35 dB，其功率合成效率高達76 以上，適合多模多頻段射頻前端的應用。

    標簽： CMOS 射頻功率放大器 變壓器 合成技術

    上傳時間： 2014-12-24

    上傳用戶：ewtrwrtwe

  • KZS1212-102Y_stc60s2雙485單片機開發板

    stc60s2雙485單片機開發板

    標簽： Y_stc 1212 KZS 102

    上傳時間： 2013-10-21

    上傳用戶：zhoujunzhen

  • 冷火MCF52255開發板精華資料

    冷火MCF52255開發板精華資料

    標簽： 52255 MCF 開發板

    上傳時間： 2013-11-03

    上傳用戶：ysjing

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