TI-公司msp430開發板原理圖
標簽： 430 msp TI 開發板原理圖
上傳時間： 2013-12-23
上傳用戶：digacha
TI封裝
標簽： 封裝技術
上傳時間： 2013-10-30
上傳用戶：waitingfy
計一種基于Howland電流源電路的精密壓控電流源，論述了該精密壓控電流源的原理。該電路以V/I轉換電路作為核心，Howland電流源做為誤差補償電路，進一步提高了電流源的精度，使絕對誤差仿真值達到nA級，實際電路測量值絕對誤差達到?滋A級，得到高精度的壓控電流源。仿真和實驗測試均證明該方案是可行的。
標簽： Howland 電流源 壓控 精密
上傳時間： 2014-12-24
上傳用戶：sklzzy
電源設計經典案例集錦(TI內部培訓資料)
標簽： 電源設計 案例 內部培訓資料 集錦
上傳時間： 2013-11-04
上傳用戶：wkxiian
對低壓差穩壓器工作與性能的技術綜論TI
標簽： 低壓差穩壓器 性能
上傳時間： 2013-11-07
上傳用戶：lvzhr
三相橋式全控整流電路的工作原理
標簽： 三相橋式 全控整流 電路 工作原理
上傳時間： 2013-10-23
上傳用戶：Miyuki
鋰電池充電前端保護 微弱能量收集器 太陽能充電器 鋰鐵電池充電器 TI電池管理器件選型
標簽： 電池管理 方案
上傳時間： 2013-10-19
上傳用戶：liglechongchong
TI電源設計官方資料
標簽： TI電源
上傳用戶：dbs012280
N+緩沖層設計對PT-IGBT器件特性的影響至關重要。文中利用Silvaco軟件對PT-IGBT的I-V特性進行仿真。提取相同電流密度下，不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態壓降，得到了通態壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線，該仿真結果與理論分析一致。對于PT-IGBT結構，N+緩沖層濃度及厚度存在最優值，只要合理的選取可以有效地降低通態壓降。
標簽： PT-IGBT 緩沖層
上傳時間： 2013-11-12
上傳用戶：thesk123
TI電源設計經驗經典總結，非常不錯的資料
標簽： TI電源 設計經驗
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