<li id="gmsqg"></li> 采用射頻等離子體增強化學氣相沉積(RF2PECVD)技術制備非晶硅(a2Si)NIP 太陽能電池,其中電池的窗口層采用P 型晶化硅薄膜,電池結構為Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / I(a2Si :H) / P(cryst2Si : H) / ITO/ Al。為了使P 型晶化硅薄膜能夠在a2Si 表面成功生長,電池制備過程中采用了H 等離子體處理a2Si 表面的方法。通過調節電池P 層和N 層厚度和H 等離子體處理a2Si 表面的時間,優化了太陽能電池的制備工藝。結果表明,使用H 等離子體處理a2Si 表面5 min ,可以在a2Si 表面獲得高電導率的P 型晶化硅薄膜,并且這種結構可以應用到電池上;當P 型晶化硅層沉積時間12. 5 min ,N 層沉積12 min ,此種結構電池特性最好,效率達6. 40 %。通過調整P 型晶化硅薄膜的結構特征,將能進一步改善電池的性能。
上傳時間： 2013-11-21
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載波相移SPWM 調制法目前是級聯型逆變器的主流調制方法，其等效載波頻率高，諧波特性好，功率單元之間輸出功率平衡。而移相空間矢量調制法基于傳統的兩電平空間矢量調制法，并采用載波移相的思想，因此兼有空間矢量法和載波相移SPWM 法的優勢，諧波特性好，電壓利用率高，且控制方法簡單便于數字實現，可與矢量控制和直接轉矩控制等各種現代方法相結合應用于電機的變頻調速系統中。本文以三級級聯型逆變器為例對載波相移SPWM 調制法和移相空間矢量調制法分別進行了研究，通過仿真對比，總結出移相空間矢量調制法與載波相移SPWM 調制法的異同和所具有的優勢。
上傳時間： 2014-12-24
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詳細分析了移相全橋電路初次級噪聲源和噪聲傳播路徑的特點。針對初級共模噪聲的特點, 分析了為改善初級共模噪音而提供的旁路回路和良好屏蔽措施等的有效性; 研究了變壓器次級繞組對屏蔽層形成不對稱分布電容的原因及其對次級噪聲的影響。從高頻變壓器結構出發, 給出了幾種改進變壓器結構的方案; 改善了次級繞組對屏蔽層分布電容不平衡的情況, 實驗驗證了分析結果。
上傳時間： 2014-03-30
上傳用戶：semi1981
高壓變頻器是指輸入電源電壓在3～10kV的大功率變頻器。由于其功率大、電壓等級高,所以對其輸入諧波、功率因數等要求很高。采用移相變壓器實現高壓變頻器的多重化整流,可使高壓變頻器的輸入諧波減小,功率因數提高。對容量為630kVA, 36脈波移相變壓器的電流、匝數參數進行設計,并對多重化整流電路進行諧波和仿真分析,為工程實踐提供依據。
上傳時間： 2013-11-22
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為拓展單相光伏并網無功補償功能,實現單相并網系統無功和諧波電流的精確檢測和補償,提出一種改進的新型瞬時無功與諧波電流檢測及補償方法。該方法以瞬時無功理論為基礎,推導出單相并網逆變器瞬時無功控制規律,可以簡便、快速地分離所需電流分量;并結合無差拍理論,給出基于無差拍控制的單相并網逆變器的脈寬調制(PWM) 算法,可以對瞬時諧波及無功電流進行補償。將該控制策略應用于單相光伏并網系統,使光伏并網系統除提供有功功率外,同時兼備無功與諧波補償功能,增強了光伏并網功能。
上傳時間： 2014-04-15
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高功率因數、高效率、低噪音是電源裝置和用電設備普遍追求的品質。本文以單相有源功率因數校正控制器和高性能功率模塊的研制、開發為依托，對其從理論和應用開發兩個方面進行了較為全面的研究和討論。
上傳時間： 2014-01-22
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提出采用雙級變換電路的方法,研制出一種新型的單相有源逆變蓄電池回饋放電裝置,主要介紹了本放電裝置中IGBT器件的驅動電路的設計,對從事電力電子技術特別是對從蓄電池放電技術研究的工程技術人員具有較高的參考價值。
上傳時間： 2014-03-24
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分析了對小功率光伏并網逆變器拓撲結構的要求，簡單介紹了幾種典型的并網逆變器的拓撲結構，指出了各個拓撲結構的優缺點、效率和適用場合。給出了一種利用軟開關技術的單相全橋并網逆變器的拓撲結構（DC/AC），分析了其工作過程，通過諧振可以實現主功率開關的零電壓開通和關斷，而且輔助開關和二極管都是零電流開通和關斷，大大減小了功率器件的開關損耗，提高了逆變器的效率。最后，介紹了開關器件的選擇問題
上傳時間： 2013-10-13
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方波逆變器在輸出失真度最小時波形最接近正弦波。采用功率譜分析的方法, 得出了單相方波逆變器諧波失真度最小時的脈寬數值。對于固定脈寬系統, 導通角取21331 rad 時最佳; 對于變脈寬系統, 導通角變化區間兩端失真度相等時, 系統的平均失真最小。該結論在光伏電站控制系統電源的設計中得到了應用與驗證。
上傳時間： 2013-11-29
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特長 3相無刷電機控制用預驅動IC。采用高耐壓CMOS制程位置檢出可與3個霍爾元件或霍爾IC連接120度通電驅動ＰＷＭ控制方式（上側驅動）功率限制回路內藏電流限制回路內藏升壓動作時的初期充電控制可能。回轉數為3脈沖／360度。
上傳時間： 2013-10-26
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