電子工業生產技術手冊 (第五卷) 電真空器件卷.pdf
上傳時間: 2022-01-09
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電子工業生產技術手冊 (第四卷) 電真空器件卷
標簽: 電子工業生產
上傳時間: 2022-01-09
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GD32F103的移植說明和開發指南,幫助新手快速了解GD32F103芯片,縮短上手時間。本教程結合官方的用戶手冊以及固件庫例程,通過實際例程講解以及實驗現象來幫助讀者理解和使 用 GD32F130xx 這 個 系 列 的 芯 片 。 軟 件 平 臺 使 用 的 是 MDK-ARM 和 官 方 外 設 驅 動 庫 GD32F1x0_Firmware_Library_v3.1.0(庫函數開發),硬件使用技新 GD32F130G8U6 核心板 V1.0 和 GD-LINK 下載&調試器。 教程從開發平臺介紹、開發環境搭建、建立工程等基礎內容,到 GD13F130xx 外設應用,包括: GPIO應用、EXTI應用、CLK應用、USART 應用、TIMER 應用、I2C應用、SPI應用、ADC應用、FWDGT 應用和 WWDGT 應用等十大部分內容。外設應用部分的內容都配有源碼,并配合硬件平臺進行實驗講 解。教程面對的對象是具有一定的 MCU 編程基礎以及 C 語言基礎的,主旨是幫助開發者快速入門和快速 開發使用 GD32F130xx 系列產品。
標簽: gd32f103
上傳時間: 2022-06-18
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低壓斷路器是電力系統中低壓配電網中的主要電器開關之一,它不僅可以接通和分斷正常負載電流和過載電流,而且可以接通和分斷短路電流。主要在頻繁操作的低壓配電線路或開關柜中作為電源開關使用,并對線路、電器設備等實行保護,當它們發生嚴重過流、過載、短路、斷相、漏電等故障時,能自動切斷線路,起保護作用,應用十分廣泛。智能控制器是斷路器上的保護裝置,也是斷路器的核心控制裝置。 20世紀90年代,隨著電力電子技術、微電子技術、計算機技術和通信技術的飛速發展,斷路器的保護裝置己由傳統的電磁式過流脫扣器發展成采用集成電路的電子式脫扣器,直至目前出現了帶高性能微處理器的智能控制器。新一代的智能控制器采用了模塊化結構設計,集測量、監視、控制、通信、保護等功能于一體,在低壓系統中得到了廣泛的應用。 在本課題中,該智能控制器在硬件上以美國Microchip公司推出的公司生產的PIC148F448為核心處理器,主要進行數據的實時采集處理和斷路器的故障保護,實時顯示線路運行時電流或故障信息等。利用帶有CAN接口的高性能的PIC18F448單片機設計了CAN總線接口,給出了CAN接口的硬件電路、軟件流程。該電路具有硬件設計簡單、可靠性高、實時性強等特點。實現了智能控制器與PC機的雙向通信功能,通過總線系統達到遙調、遙控的目的,使得智能控制器的性能得到增強,符合配電系統的要求,達到了本課題研究要求。
上傳時間: 2013-04-24
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隨著我國電力系統不斷發展,高壓開關柜以其結構簡單、維護工作量小、適合于頻繁操作等特點,受到廣大用戶歡迎,并成為高壓開關向無油化發展的一大主流。近年來,隨著電力系統不斷向大容量、高電壓、小型化發展,40.5kV高壓開關柜在電力系統中也得到普遍的采用。絕緣問題是電力設備穩定、可靠運行的重要影響因素之一,并且絕緣也是高壓電器設備中的薄弱環節,高壓開關柜故障中很大一部分就是由于絕緣破壞而造成的。因此如何能夠合理的配置母線、真空斷路器及其它電器元件,得到較佳的絕緣配合和設計,達到具有高度可靠的絕緣性能,保證高壓開關柜在配電系統中安全運行,且有較小的安裝空間,是開關柜設計中一個值得研究的重要問題。 在計算機模擬電場分布的求解中,有限元方法以其剖分簡便易行、可適用于多種介質和較高的計算效率,已成為電磁場問題求解的主要方法之一。ANSYS是有限元計算方法的代表軟件,通過對模型特征參數化,使用用戶參數化設計語言(APDL),可以進一步提高分析效率,使得整個分析過程自動、通用。 本文從實際產品設計入手,根據開關柜的結構特點,建立了三維電場數值計算模型,在滿足技術條件要求的基礎上,通過采用電場的數值仿真分析及相應實驗研究,描述了40.5kv高壓開關柜配電系統接地開關相間及接地柜中全場域電場分布情況,確定了接地開關在不同情況下的電場分布、變化情況,通過理論的計算和分析,對產品的絕緣進行了校核與驗證,進而得到合理的布置結構和達到最佳的絕緣配合,為實際產品的開發和設計提供了理論依據。
上傳時間: 2013-07-27
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隨著社會生產的發展和人民生活水平的提高,對供電質量的要求也越來越高,電壓是標志電能質量的一個基本技術指標,它與無功功率密切相關。本文闡述了電壓無功綜合控制對于電力系統運行及工農業生產的重大意義;綜述了國內外在這一領域中的研究所取得的成果、面臨的問題和發展的前景。針對目前我國應用最為廣泛、性能價格比最佳的并聯電容與有載調壓變壓器綜合控制裝置的研制開發中所涉及的問題進行了較全面的分析與研究,提出了一種符合當前變電站綜合自動化發展需要的可靠性高、組態靈活、功能齊全的變電站電壓無功綜合控制方案。該方案主控單元選用抗干擾能力強、指令豐富、擴展靈活、通訊聯網能力強的西門子S7-226PLC作為控制核心;參數檢測單元選用可靠性高、具有通訊功能的智能型綜合電量變送器;控制主機通過與參數檢測單元通訊獲得所需參數,同時還可與上位機或其他具有串口的設備通訊。采用的電壓無功控制策略,從系統的實際需要出發,充分考慮了影響電壓無功控制效果的主要因素,控制決策以實時計算數據為參考,控制精度高,并有效避免了無效調節對設備及系統造成的危害;控制軟件根據已經確定的控制算法做出控制決策并能夠完成系統運行方式的自動識別、電容器的循環投切,電容器及分接頭的保護及通訊等功能。文中還闡述了電容器接線形式選擇、串聯電抗及高壓真空開關的選擇依據以及變壓器調檔控制原理。 理論分析和仿真計算均證明了本文中所提出的控制策略的精確性和嚴密性;試驗證明了該設計方案先進、靈活、可靠、功能齊全,符合電力系統自動化對控制裝置的要求。
上傳時間: 2013-06-01
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選相控制開關又稱同步開關或相控開關,其實質就是控制開關在電壓或電流的期望相位完成合閘或分閘,以主動消除開關過程所產生的涌流和過電壓等電磁暫態效應,提高開關的開斷能力。本論文以電力系統的無功補償為背景,分析了隨機投切電容器組的暫態過程所帶來的各種危害,從而提出選相投切技術;本文以真空開關選相投切電容器組為研究對象,著重介紹了電容器組選相投切技術的相關理論,給出了電容器組選相投切的控制策略,為同步開關選相控制器的設計提供了理論依據。 雙穩態永磁機構結構簡單、動作穩定可靠,其出力特性能與真空開關良好匹配,在中壓領域得到越來越廣泛的應用。相控真空開關采用三相獨立操動的雙穩態永磁機構,其操作電源為由大功率電力電子器件控制的儲能大容量電容器,通過多次的測試結果表明雙穩態永磁機能很好地滿足相控開關的要求,是相控開關的理想選擇。 IPM(智能功率模塊)作為一種新型的大功率開關器件,以其設計簡單(內置驅動和保護電路),低功耗,開關速度快等特點成為越來越多設計者的首選,得到了越來越廣泛的應用。本文討論了IPM在選相投切電容器組中的相關邏輯控制策略,光耦隔離驅動,IPM過流、過熱相關保護等內容,設計了以DSP(TMS320LF2407A)為核心的永磁機構同步控制系統,實時采集電網信號,經過FIR數字濾波提取零點,通過IPM控制大容量電容器放電來驅動永磁機構,實現斷路器在期望相位上分斷或關合以減小暫態沖擊,并保證儲能電容器的一次儲能完成一次完整的O-C-O操作。 通過相關試驗測試,表明本系統已經初步達到了設計所要達到的預期效果,為以后的研究以及同步控制控制系統的完善和優化提供了有益的經驗和參考。
上傳時間: 2013-04-24
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選相控制開關又稱同步開關或相控開關,其實質就是控制開關在電壓或電流的期望相位完成合閘或分閘,以主動消除開關過程所產生的涌流和過電壓等電磁暫態效應,提高開關的開斷能力。本論文首先分析了提高斷路器可靠性的途徑,介紹了相控開關的研究意義及其優點;相控開關的基本原理和分合閘操作過程,為同步開關選相控制器的設計提供了理論依據。 永磁操動機構是近幾年正在發展的一種新型操動機構,它利用永久磁鐵產生的磁力將真空斷路器保持在分合閘位置,而無需任何傳統機械脫扣鎖扣裝置。它機構零部件少,結構簡單,使斷路器動作的可靠性大大提高。二次控制回路采用電子控制模塊,動作迅速并可以實現精確時間控制,采用開關電源輸入范圍寬,輸入輸出用光耦隔離,功耗低,極大地提高了可靠性,使永磁機構真空斷路器成為真正意義的免維護智能化斷路器。單線圈永磁機構結構簡單、體積小,在中壓領域得到越來越廣泛的應用。相控真空開關采用三相獨立操動的單線圈永磁機構,其操作電源為由大功率電力電子器件控制的儲能大容量電容器,通過多次的測試結果表明單線圈永磁機構能很好地滿足相控開關的要求,是相控開關的理想選擇。 本文詳細介紹了以Mega16為控制核心的單線圈永磁機構智能控制器,這種控制系統集保護、控制、開關量監測等功能于一體。可實現對電容電壓實時顯示,具有過電流速斷保護、過電壓和欠電壓保護、閉鎖以及報警等功能。 通過相關試驗測試,表明本系統已經初步達到了設計所要達到的預期效果,為以后的研究以及同步控制系統的完善和優化提供了有益的經驗和參考。
上傳時間: 2013-07-02
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有機發光顯示器件(OrganicLight-EmittingDiodes,OLEDs)作為下一代顯示器倍受關注,它具有輕、薄、高亮度、快速響應、高清晰度、低電壓、高效率和低成本等優點,完全可以媲美CRT、LCD、LED等顯示器件。作為全固化顯示器件,OLED的最大優越性是能夠與塑料晶體管技術相結合實現柔性顯示,應用前景非常誘人。OLED如此眾多的優點和廣闊的商業前景,吸引了全球眾多研究機構和企業參與其研發和產業化。然而,OLED也存在一些問題,特別是在發光機理、穩定性和壽命等方面還需要進一步的研究。要達到這些目標,除了器件的材料,結構設計外,封裝也十分重要。 本論文的主要工作是利用現有的材料,從綠光OLED器件制作工藝、發光機理,結構和封裝入手,首先,探討了作為陽極的ITO玻璃表面處理工藝和ITO玻璃的光刻工藝。ITO表面的清潔程度嚴重影響著光刻質量和器件的最終性能;ITO表面經過氧等離子處理后其表面功函數增大,明顯提高了器件的發光亮度和發光效率。 其次,針對光刻、曝光工藝技術進行了一系列相關實驗,在光刻工藝中,光刻膠的厚度是影響光刻質量的一個重要因素,其厚度在1.2μm左右時,光刻效果理想。研究了OLED器件陰極隔離柱成像過程中的曝光工藝,摸索出了最佳工藝參數。 然后采用以C545T作為綠光摻雜材料制作器件結構為ITO/CuPc(20nm)/NPB(100nm)/Alq3(80nm):C545T(2.1%摻雜比例)/Alq3(70nm)/LiF(0.5nm)/Al(1,00nm)的綠光OLED器件。最后基于以上器件采用了兩種封裝工藝,實驗一中,在封裝玻璃的四周涂上UV膠,放入手套箱,在氮氣保護氣氛下用紫外冷光源照射1min進行一次封裝,然后取出OLED片,在ITO玻璃和封裝玻璃接口處涂上UV膠,真空下用紫外冷光源照射1min,固化進行二次封裝。實驗二中,在各功能層蒸鍍完成后,又在陰極的外面蒸鍍了一層薄膜封裝層,然后再按實驗一的方法進行封裝。薄膜封裝層的材料分別為硒(Se)、碲(Te)、銻(Sb)。分別對兩種封裝工藝器件的電流-電壓特性、亮度-電壓特性、發光光譜及壽命等特性進行了測試與討論。通過對比,研究發現增加薄膜封裝層器件的壽命比未加薄膜封裝層器件壽命都有所延長,其中,Se薄膜封裝層的增加將器件的壽命延長了1.4倍,Te薄膜封裝層的增加將器件的壽命延長了兩倍多,Sb薄膜封裝層的增加將器件的壽命延長了1.3倍,研究還發現薄膜封裝層基本不影響器件的電流-電壓特性、色坐標等光電性能。最后,分別對三種薄膜封裝層材料硒(Se)、碲(Te)、銻(Sb)進行了研究。
上傳時間: 2013-07-11
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國外信號完整性的經典之作,中文譯本 本書全面論述了信號完警性問題,主要講述了信號完整性和物理設概念,帶寬、電感和特性阻抗的實質含義,電阻、電容、電感和阻擾的相關分析,解決信號完整性問題的四個實用技術手段,物理互連世計對信號完格性的影響,數學推導背后隱藏的解決方案,以及改進信號完整推薦的設計準則等。該書與其他大多數同類書籍相比更強調直觀理解、實用工具和工程實踐,它以入門式的切入方式,使得讀者很容易認識到物理互連影響電氣性能的實質,從而可以盡快掌握信號完整性設計技術。本書作者以實踐專家的視角指出了造成信號完整性問題的根源,特別給出了在設計前期階段的問題解決方案,這是面向電子工業界的設技工程師和產品負責人的一本具有實用價值的參考書,其目的在于幫助也們在信號完整性問題出現之前能提前發現并及早加以解決,同時也可作為相關專業水本科生及研究生的教學指導用書
上傳時間: 2013-04-24
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