若不希望用與估計輸入信號矢量有關(guān)的相關(guān)矩陣來加快LMS算法的收斂速度，那么可用變步長方法來縮短其自適應收斂過程，其中一個主要的方法是歸一化LMS算法（NLMS算法），變步長 的更新公式可寫成 W（n+1）=w（n）+ e（n）x（n） =w（n）+ （3.1） 式中， = e（n）x（n）表示濾波權(quán)矢量迭代更新的調(diào)整量。為了達到快速收斂的目的，必須合適的選擇變步長 的值，一個可能策略是盡可能多地減少瞬時平方誤差，即用瞬時平方誤差作為均方誤差的MSE簡單估計，這也是LMS算法的基本思想。
上傳時間： 2016-07-07
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矢量數(shù)據(jù)和柵格數(shù)據(jù)有疊加，定位矢量點數(shù)據(jù)在柵格數(shù)據(jù)中的行列號，用于格點數(shù)據(jù)分析
標簽： 數(shù)據(jù) 矢量 疊加
上傳時間： 2017-02-21
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基于DSP的永磁交流伺服控制系統(tǒng)開發(fā) 本論文在分析了PMSM的結(jié)構(gòu)、運動原理及數(shù)學模型的基礎(chǔ)上，系統(tǒng)地闡述了PMSM交流伺服系統(tǒng)矢量控 制的基本原理、坐標變換方法及空間矢量脈沖寬度調(diào)制(PWM)波的生成算法，論述了PI控制算法和 速度位置計算方法。在MATLAB仿真軟件環(huán)境下建立了交流伺服系統(tǒng)的仿真模型，并對模型進行了仿真
標簽： PMSM DSP 交流伺服控制 系統(tǒng)開發(fā)
上傳時間： 2013-12-23
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LU分解的一個小代碼，數(shù)值分析課是寫的，簡單但是好用
上傳時間： 2017-08-06
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介紹單矢量水聽器的基本知識，單矢量水聽器信號處理基礎(chǔ)理論及方位估計性能還有一些試驗數(shù)據(jù)分析
上傳時間： 2014-01-12
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本書是作者八年MATLAB 使用經(jīng)驗的總結(jié),精心設(shè)計的所有案例均來自于國內(nèi)各大MATLAB技術(shù)論壇網(wǎng)友的切身需求,其中不少案例涉及的內(nèi)容和求解方法在國內(nèi)現(xiàn)已出版的MATLAB書籍中鮮有介紹。 本書首先針對MATLAB新版本特有的一些編程思想、高效的編程方法、新技術(shù)進行了較為詳細的討論,在此基礎(chǔ)上,以大量案例介紹了MATLAB在科學計算中的應用。內(nèi)容包括:MATLAB快速入門、重新認識矢量(向量)化編程、MATLAB處理海量數(shù)據(jù)、匿名函數(shù)類型介紹、嵌套函數(shù)類型介紹、積分以及積分方程求解案例、優(yōu)化及非線性方程(組)求解案例、人臉圖像壓縮與重建案例、有關(guān)預測分類的案例、常微分方程(組)求解案例、層次分析法及其MATLAB實現(xiàn)、定時器及其應用。 本書可作為高等院校本科生、研究生MATLAB課程的輔助讀物,也可作為從事科學計算和算法研究的科研人員的參考用書。
上傳時間： 2016-04-22
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本文以質(zhì)量管理理論為基礎(chǔ)，針對手機芯片封裝行業(yè)過于繁瑣的海量質(zhì)量數(shù)據(jù)，建立以數(shù)據(jù)挖掘技術(shù)為基礎(chǔ)的質(zhì)量管理系統(tǒng)，通過對手機芯片封裝質(zhì)量數(shù)據(jù)的采集、分析和處理，對手機芯片的質(zhì)量缺陷和不合格產(chǎn)品進行分析和統(tǒng)計，診斷造成產(chǎn)品不合格的原因。本文首先回顧了國內(nèi)外關(guān)于質(zhì)量管理的發(fā)展歷程及最新趨勢，并對手機芯片封裝質(zhì)量管理進行了綜述。在對數(shù)據(jù)挖掘、合格率管理等方面進行深入分析探討的基礎(chǔ)上，提出了手機芯片封裝質(zhì)量管理系統(tǒng)的設(shè)計目標、設(shè)計思路和功能模塊。本文的研究工作主要有以下幾個方面：1、對手機芯片封裝的制造過程、系統(tǒng)模式進行了分析，著重研究了合格率管理和數(shù)據(jù)挖掘在手機芯片封裝中的應用；2、運用數(shù)據(jù)挖掘的方法，針對影響芯片封裝質(zhì)量的多個相關(guān)因素，進行各因素的權(quán)重判定，確定哪些因素是影響質(zhì)量的關(guān)鍵因素，針對影響質(zhì)量的關(guān)鍵因素，通過對低合格率數(shù)據(jù)的提取與分析，定位封裝過程中可能造成不合格產(chǎn)品的關(guān)鍵點，為質(zhì)量改善提供依據(jù)：3、搜集W公司2006年5月到8月的手機芯片封裝測試數(shù)據(jù)，進行實證研究，驗證了所提出的研究方法的準確性。
上傳時間： 2022-06-21
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0引言任何器件在工作時都有一定的損耗，大部分的損耗均變成熱量。在實際應用過程中，大功率器件IGBT在工作時會產(chǎn)生很大的損耗，這些損耗通常表現(xiàn)為熱量。為了使ICBT能正常工作，必須保證IGBT的耗散功率不大于最大允許耗散功率P額定1660 w，室溫25℃時），必須保證1GBT的結(jié)溫T，不超過其最大值Timar 50 ℃），因此必須采用適當?shù)纳嵫b置，將熱量傳導到外部環(huán)境。如果散熱裝置設(shè)計或選用不當，這些大功率器件因過熱而損壞。為了在確定的散熱條件下設(shè)計或選用合適的散熱器，確保器件安全、可靠地工作，我們需進行散熱計算。散熱計算是通過計算器件工作時產(chǎn)生的損耗功率Pa、器件允許的結(jié)溫T、環(huán)境溫度T，求出器件允許的總熱阻R，f-a）；：再根據(jù)Raf-a）求出最大允許的散熱器到環(huán)境溫度的熱阻Rinf-）：最后根據(jù)Rbf-a）選取具有合適熱阻的散熱器。1 IGBT損耗分析及計算對于H型雙極模式PWM系統(tǒng)中使用的1GBT模塊，主要由IGBT元件和續(xù)流二極管FWD組成，它們各自發(fā)生的損耗之和就是IGBT本身的損耗。除此，加上1GBT的基極驅(qū)動功耗，即構(gòu)成IGRT模塊整體發(fā)生的損耗。另外，發(fā)生損耗的情況可分為穩(wěn)態(tài)時和交換時。對上述內(nèi)容進行整理可表述如下：
上傳時間： 2022-06-21
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1前言萊鋼型鋼廠大型生產(chǎn)線傳動系統(tǒng)采用西門子SIMOVERT MASTER系列PWM交-直-交電壓型變頻器供電，變頻器采用公共直流母線式結(jié)構(gòu)；冷床傳輸鏈采用4臺電機單獨傳動，每臺電機分別由獨立的逆變單元控制，逆變單元的控制方式為無速度編碼器的矢量控制，相互之間依靠速度給定的同時性保持同步。自2005年投入生產(chǎn)以來，冷床傳輸鏈運行較為穩(wěn)定，但2007年2月以后，冷床傳輸鏈逆變單元頻繁出現(xiàn)絕緣柵雙極型晶體管（Insolated Gate Bipolar Transistor，IGBT）損壞現(xiàn)象，具體故障情況統(tǒng)計見表1由表1可知，冷床傳輸鏈4臺逆變器都出現(xiàn)過IGBT損壞的現(xiàn)象，故障代碼是F025和F0272原因分析1）IGBT損壞一般是由于輸出短路或接地等外部原因造成。但從實際情況上看，檢查輸出電纜及電機等外部條件沒有問題，并且更換新的IGBT后，系統(tǒng)可以立即正常運行，從而排除了輸出短路或接地等外部條件造成IGBT損壞。2）IGBT存在過壓。該系統(tǒng)采用公共直流母線控制方式，制動電阻直接掛接于直流母線上，當逆變單元的反饋能量使直流母線電壓超過DC 715 V時，制動單元動作，進行能耗制動；此外掛接于該直流母線上的其他逆變單元并沒有出現(xiàn)IGBT損壞的現(xiàn)象，因此不是由于制動反饋過壓造成IGBT燒壞。3）由于負荷分配不均造成出力大的IGBT損壞。從實際運行波形上看，負荷分配相對較為均勻，相互差別僅為2%左右，應該不會造成IGBT損壞。此外，4只逆變單元都出現(xiàn)了IGBT損壞現(xiàn)象，如果是由于負荷分配不均造成，應該出力大的逆變單元IGBT總是燒壞，因此排除由于負荷分配不均造成IGBT損壞。4）逆變單元容量選擇不合適，裝置容量偏小造成長期過流運行，從而導致IGBT燒毀。逆變單元型號及電機參數(shù)：額定功率90kw，額定電流186A，負載電流169 A，短時電流254 A，中間同路額定電流221 A，電源電流205 A，電機功率110kw，電機額定電流205 A，電機正常運行時的電流及轉(zhuǎn)矩波形如圖1所示。
上傳時間： 2022-06-22
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1引言隨著高r能永磁材料、電力電了技術(shù)、大規(guī)模集成電路和計算機技術(shù)的發(fā)展，永同步電機PMSMD）的應用領(lǐng)城不擴大。由于對電機控制性能的要求越來越高，因此如何建立有效的仿真模型越來受到人們的關(guān)注。本文在分析永司步電機數(shù)學模型的基礎(chǔ)上，提出了一種PMSM控制系統(tǒng)建模的方法，在此仿真模型基礎(chǔ)上，可以十分便捷地實現(xiàn)和驗證控制算法。因此，它為分析和設(shè)計PMSM控制系統(tǒng)提供了有效的手段，也為實際電機控制系統(tǒng)的設(shè)計和調(diào)試提供了新的思路。2永磁同步電機的數(shù)學模型[]水磁同步電動機三相繞組分別為U.v.w，各相繞組平面的軸線在與轉(zhuǎn)子軸垂直的平面上，三相繞組的電壓回路方程如下；式中，U L，為各相繞組兩端的電壓14A為各相的線電流，中uoyow為相統(tǒng)組的總磁鏈，R為定子每相繞組的電陽：P為微外算子（d/at）.磁鏈方程為：
上傳時間： 2022-06-22
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