基于TMS320F2812數字控制的三相逆變電源設計論文+原理圖PCB摘要：隨著社會的需求越來越高，傳統的模擬電源的諸多缺陷越來越凸顯, 本文在借鑒國內外相關研究的基礎上，通過對空間矢量脈寬調制算法的分析，研究了數字信號處理器生成SVPWM 波形的實現方法及軟件算法。并將相關方法應用于實踐，研制了基于TMS320F2812數字控制的三相逆變電源，相關試驗參數和結果表明：該設計提高了直流電壓的利用率，使開關器件的損耗更小。此外，還提出了逆變電源閉環控制的PI控制算法，利用DSP的強大的數字信號處理能力，提高了系統的響應速度。經測試，系統實現了1~40V步進為1V的調壓輸出, 50Hz~1kHz步進2Hz的調頻輸出，輸出電壓恒定為36V時負載調整率小于5%。 關鍵詞：全橋逆變，SVPWM，DSP1. 系統硬件設計3.1 不可控整流電路 采用整流橋加濾波，得到比較穩定的電壓，電路如圖3.1.1所示。 圖3.1.1 不可控整流電路圖電路實現AC－DC變換。本模塊交流輸入是經48V變壓器將220V交流電壓變壓為48V交流電壓后的輸入電壓，然后經過橋式整流器整流，再通過電容濾波，輸出大小約為57.6V的直流電壓。中間接一個保險絲來保護后面的元器件，或當后面電路短路時防止電容損壞。 一般來說，無法找到一個可以把電源的所有電流紋波都吸收的電容，所以通常用多個電容并聯，這樣流入每個電容的紋波電流就只有并聯的電容個數分之一，每個電容就可以工作在低于它的最大額定紋波電流下，這里采用5個220μF的電容并聯。另外輸入濾波電容上一般要并上陶瓷電容（0.1μF），以吸收紋波電流的高頻分量。兩個20kΩ電阻的作用是使后
標簽： 逆變電源
上傳時間： 2022-05-05
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本人對逆變器感興趣，參考各類資料后，經過兩次改版，制作了這一款純正弦波逆變器。設計功率在300W。從DC升壓到SPWM產生正弦波，均采用stm32c8t6（STM32C8T6數據手冊）作為主控芯片，并同時提供高壓，低壓，過功率，和短路保護功能。現開源。希望和喜歡做逆變的朋友交流，共同提高。 SPWM穩壓方式暫時采用310/DC求調制比的方式。從調試到現在已經燒毀了5片stm32都是cpu短路，等有空查查是什么原因。 本機帶載過手電鉆，豆漿機，電視機，和一臺臺式電腦。豆漿機空載沒問題，放上豆子后，幾秒鐘后會觸發保護。臺式電腦工作10分鐘后電瓶沒電了，就沒再試。
上傳時間： 2022-06-10
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一，概述： IP5516一款集成升壓轉換器、鋰電池充電管理、電池電量指示的多功能電源管理SOC，為TWS藍牙耳機充電倉提供完整的電源解決方案。二，特性：1 同步開關放電： 300mA 同步升壓轉換 升壓效率高達93% 內置電源路徑管理，支持邊充邊放2 充電： 500mA 線性充電，充電電流可調 自動調節充電電流，匹配適配器輸出能力 支持4.20V、4.30V、4.35V 和4.4V 電池3 電量顯示： 內置10bit ADC 和精準庫倫計算法 支持4/3/2/1 顆LED 電量顯示4 低功耗： 智能識別耳機插入/充滿/拔出，自動進待機 支持雙路耳機獨立檢測 支持兩種待機模式，待機功耗分別可達3uA 和25 μA5 BOM 極簡： 功率MOS 內置，2.2uH 單電感實現放電6多重保護、高可靠性： 輸出過流、過壓、短路保護 輸入過壓、過充、過流保護 整機過溫保護 ESD 4KV，VIN 瞬態耐壓高達15V7深度定制： 可靈活低成本定制方案8封裝：QFN16（4*4*0.75）三，應用TWS藍牙耳機充電倉/充電倉
上傳時間： 2022-06-15
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本設計針對目前市場上傳統充電控制器對蓄電池的充放電控制不合理，同時保護也不夠充分，使得蓄電池的壽命縮短這種情況，研究確定了一種基于單片機的太陽能充電控制器的方案。在太陽能對蓄電池的充放電方式、控制器的功能要求和實際應用方面做了一定分析，完成了硬件電路設計和軟件編制，實現了對蓄電池的高效率管理。設計一種太陽能LED照明系統充電控制器，既能實現太陽能電池的最大功率點跟蹤（MPPT）又能滿足蓄電池電壓限制條件和浮充特性。構建實驗系統，測試表明，控制器可以根據蓄電池狀態準確地在MPPT、恒壓、浮充算法之間切換，MPPT充電效率較恒壓充電提高約16%，該充電控制器既實現了太陽能的有效利用，又延長了蓄電池的使用壽命。在總體方案的指導下，本設計使用STMSS系列8位微控制器是STM8系列的主流微控制器產品，采用意法半導體的130納米工藝技術和先進的內核架構，主頻達到16MHz（105系列），處理能力高達20MTPS。內置EEPROM、阻容（RC）振蕩器以及完整的標準外設，性價比高，STMSS指令格式和意法半導體早期的ST7系列基本類似，甚至兼容，內嵌單線仿真接口模塊，支持STWM仿真，降低了開發成本；擁有多種外設，而且外設的內部結構、配置方式與意法半導體的同樣是Cortex-M3內核的32位嵌入式微處理器STM32系列的MCU基本相同或者相似。另外系列芯片功耗低、功能完善、性價比高，可廣泛應用在家用電器、電源控制和管理、電機控制等領域，是8位機為控制器控制系統較為理想的升級替代控制芯片"261，軟件部分依據PWM（Pulse Wiath Modulation）脈寬調制控制策略，編制程序使單片機輸出PMM控制信號，通過控制光電耦合器通斷進而控制MOSFET管開啟和關閉，達到控制蓄電池充放電的目的，同時按照功能要求實現了對蓄電池過充、過放保護和短路保護。實驗表明，該控制器性能優良，可靠性高，可以時刻監視太陽能電池板和蓄電池狀態，實現控制蓄電池最優充放電，達到延長蓄電池的使用壽命。
上傳時間： 2022-06-19
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三菱電機功率器件在工業、電氣化鐵道、辦公自動化、家電產品等多種領域的電力變換及電動機控制中得到廣泛應用。為了真正滿足市場對裝置噪音低、效率高、體積小、重量輕、精度高、功能強、容量大的要求，三菱電機積極致力于新型器件的研究、開發，為人類的節能和環保不斷努力。第5代IGBT和IPM模塊均采用三菱電機第5代IGBT硅片CSTBTIM技術，并具有正溫度系數特征，與傳統的溝槽型構造IGBT相比，降低了集電極一發射極間飽和電壓，從而實現了更低損耗。同時改進了封裝技術，大大減小了模塊內部分布電感。本應用手冊的出版，旨在幫助用戶了解第5代IGBT和IPM模塊的特性和工作原理，更加方便的使用三菱電機的半導體產品。三菱電機謹向所有購買和支持三菱半導體產品的用戶表示誠摯的感謝。1.IGBT模塊的一般認識1.1 NF系列IGBT模塊的特點NF系列IGBT模塊主要具有以下兩大特點：1，采用第5代IGBT硅片在溝槽型IGBT的基礎上增加電荷蓄積層的新結構（CSTBT）改善了關斷損耗（Eoff）和集電極-發射極問飽和電壓VEisat的折衷。插入式組合元胞（PCM）的使用增強了短路承受能力（SCSOA）并降低了柵極電容，從而降低驅動功率。CSTBT:Carrier Stored Trench-Gate Bipolar Transistor載流子存儲式溝槽硼型雙極晶體臂
標簽： igbt
上傳時間： 2022-06-19
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本開發板相對以往開發板的特點是綜合性比較高、把短路冒去掉了 省去接線的麻煩更加方便了初學者、是一款性價比極高的產品，提供USB2.0和串口兩種通信方式，USB實現供電、編程、仿真、通信多種功能，另外還提供了Atmel單片機的ISP接口。此板兼容STC、SST、Atmel、Philips等51家族的所有單片機。如果使用ISP編程建議使用開發板自帶的單片機，因為每個廠燒錄程序的方式不一樣。HC6800開發板有著豐富的外部資源。 通過對該開發實驗儀的學習，學員不僅可以輕松快速地掌握單片機軟件系統的開發（C語言、匯編語言），而且還能快速掌握硬件電路的設計及嵌入系統開發流程。 本套件配有豐富的實例源碼、原理圖等，特別適合單片機初學者，大中專院校師生，單片機開發工程師選用，也是畢業設計和電子競賽不可多得的參考板
標簽： 單片機
上傳時間： 2022-06-19
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IGBT直流斬波電路的設計1設計原理分析1.1總體結構分析直流斬波電路的功能是將直流電變為另一固定電壓或可調電壓的直流電。它在電源的設計上有很重要的應用。一般來說，斬波電路的實現都要依靠全控型器件。在這里，我所設計的是基于IGBT的降壓斬波短路。直流降壓斬波電路主要分為三個部分，分別為主電路模塊，控制電路模塊和驅動電路模塊。電路的結構框圖如下圖（圖1）所示。除了上述主要結構之外，還必須考慮電路中電力電子器件的保護，以及控制電路與主電路的電器隔離。1.2主電路的設計主電路是整個斬波電路的核心，降壓過程就由此模塊完成。其原理圖如圖2所示。如圖，IGBT在控制信號的作用下開通與關斷。開通時，二極管截止，電流io流過大電感L，電源給電感充電，同時為負載供電。而IGBT截止時，電感L開始放電為負載供電，二極管VD導通，形成回路。IGBT以這種方式不斷重復開通和關斷，而電感L足夠大，使得負載電流連續，而電壓斷續。從總體上看，輸出電壓的平均值減小了。輸出電壓與輸入電壓之比a由控制信號的占空比來決定。這也就是降壓斬波電路的工作原理。降壓斬波的典型波形如下圖所示。
上傳時間： 2022-06-20
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摘要：為解決絕緣柵雙極性品體管（ICET）在實際應用中經常出現的過流擊穿問題，在分析了ICET過流特性和過流檢測方法的基礎上，根據過流時IGBT集電極電流的大小分別設計了過載保護電路和短路保護電路。過載保護電路在檢測到過載時立即關斷ICBT.根據不同的過載保護要求可實現持續封鎖、固定時間封鎖及單周期封鎖ICBT的驅動信號；短路保護電路通過檢測IGBT通態壓降判別短路故障，利用降柵壓、軟關斷和降頓綜合保護技術降低短路電流并安全關斷IGBT，詳細闡述了保護電路的保護機制及電路原理，最后對設計的所有保護電路進行了對應的過流保護測試，給出了測試波形圖。試驗結果表明，IGBT保護電路能及時進行過流檢測并準確動作，IGBT在不同的過流情況下都得到了可靠保護關鍵詞：絕緣柵雙極性晶體管；過流保護；降棚壓；軟關斷
上傳時間： 2022-06-21
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1概述隨著智能表越來越多的使用，M-BUS按口電路作為抄表器的一.個主要模塊，也得到了廣泛的應用。該模塊以FC762專用Mbus主丫芯片為核心，輔以簡單特殊的外圍器件構成，具有性能穩定，結構小巧，接口簡單，應用方便的特點。此版本的Mbus主站模塊負載可達500mA，通信速率為600bps-9600bps，同時具有短路保護，過載檢測，強制休眠等功能。1.1特點1，兩線制總線，不分正負極性，施工簡單；2，采用獨特的電平特征傳輸數字信號，抗干擾能力強3，總線供電，降低維護成本；4，總線型拓撲結構，擴展方便，組網成本低；（05，滿足各類計量儀表聯網和遠程通信的需要；6，通信距離遠，抄表成功率高。1.2.2模塊基本功能1，遠程供電，模塊可向從機提供 定的電流，使從機正常工作。2，短路保護，過載檢測。當總線處于短路或過載狀態，模塊上電后第一時間檢測到異常，不打開總線電壓，OverloadFlag管腳輸出高電平，隨后500ms檢測一次，直到短路情況解除，模塊打開總線電壓，OverloadFlag管腳輸出低電平；當模塊正常工作時，出現短路或過載狀況，模塊立即關閉總線電壓，OverloadFlag管腳輸出高電平，隨后500ms檢測一次，直到異常解除，模塊打開總線電壓，OverloadFlag管腳輸出低電平。3，強制休眠，當Busof管腳輸入低電平，總線處于正常工作狀態，輸入高電平，總線輸出被關閉。
標簽： MBUS主站接口模塊 fm762
上傳時間： 2022-06-21
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IGBT模塊的一些基本知識2·怎樣讀數據手冊3.IGBT的驅動電路4，電壓尖峰吸收回路5·短路6，IGBT模塊的可靠性和實效分析7，仿真軟件Melcosim的使用方法8.一些注意事項正的門極電壓推薦15V（±10%）如右圖所示Vog越高Vceat和Eon越小，損耗減小。但是16.5V以上的話短路耐量很小。所以正的門極電壓為+15v±10%最合適。負的門極電壓推薦5~10V右圖表示開關損失與-Vcg的關系。-Voa=5V時Eoff不再變化，所以最小值設定為-Vo-5合適。另外，IGBT門極上會有尖峰電壓重疊，為了防止不出現過大的負電壓-Vgの的電壓為5~10V最合適。（在一些場合無負壓也是可以的）1類短路>橋臂直通>短路回路中電感較小，電流的上升速度極快>容易通過檢測Vce（sat）實現保護II類短路>相間短路或對地短路短路回路ф電感稍大，電流的上升速度較慢>可以使用vce（sat），也可以使用霍爾來實現保護>這類短路，回路ф的電感是不確定的
標簽： igbt模塊
上傳時間： 2022-06-21
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