亚洲欧美第一页_禁久久精品乱码_粉嫩av一区二区三区免费野_久草精品视频

硅光電池實(shí)驗(yàn)輸出光強(qiáng)不穩(wěn)定現(xiàn)象的研究

摘要: 研究用內(nèi)腔式He- Ne 激光器做光源時(shí), 硅光電池實(shí)驗(yàn)中光電檢流計(jì)讀數(shù)不穩(wěn)定的現(xiàn)象。利用硅光電池分別觀測(cè)在不加偏振片、加上偏振片時(shí)內(nèi)腔式He- Ne 激光器輸出的光強(qiáng)度, 得到激光經(jīng)偏振片后輸出光強(qiáng)隨時(shí)間而變。利用共焦掃描干涉儀掃描出激光束的各個(gè)縱模, 實(shí)驗(yàn)表明, 內(nèi)腔式He- Ne 激光器每個(gè)縱模的偏振方向隨時(shí)間緩慢變化, 引起了實(shí)驗(yàn)中輸出的光強(qiáng)變化。

標(biāo)簽： 硅光電池 實(shí)驗(yàn) 光強(qiáng) 輸出

上傳時(shí)間： 2013-11-17

上傳用戶：ArmKing88

光伏電池聚光特性

基于槽式聚光熱電聯(lián)供系統(tǒng)，深入分析晶硅電池陣列和砷化鎵電池陣列在高倍聚光下的輸出特性及輸出功率的影響因素+ 研究結(jié)果表明，聚光光強(qiáng)下砷化鎵電池陣列輸出性能優(yōu)于晶硅電池陣列，高光強(qiáng)會(huì)導(dǎo)致光伏電池禁帶寬度變窄，短路電流成倍增加，增加輸出功率，但同時(shí)耗盡層復(fù)合率變大，開(kāi)路電壓降低，制約陣列的輸出功率；高光強(qiáng)還引起電池溫度升高，電池陣列串聯(lián)內(nèi)阻增加+ 分析表明聚光作用下電池陣列串聯(lián)內(nèi)阻對(duì)輸出功率影響巨大，串聯(lián)內(nèi)阻從&!增加!!，四種電池陣列輸出功率分別損失$*,*(-，*.,’)-，**,)&-和%(,&!- +

標(biāo)簽： 光伏電池 聚光特性

上傳時(shí)間： 2013-10-18

上傳用戶：趙一霞a

晶閘管中頻電源運(yùn)行中的抗干擾問(wèn)題研究

　隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展和電力電子元器件制造水平的提高，中頻感應(yīng)加熱技術(shù)日臻完善。中頻感應(yīng)加熱以其便捷高效的加熱性能正逐步取代煤、油等燃料加熱而成為工業(yè)加熱的首選方式。作為感應(yīng)加熱裝置的電源，KGPS（晶閘管靜止變頻裝置）與傳統(tǒng)BPS機(jī)組（中頻發(fā)電機(jī)組）相比，負(fù)載適應(yīng)性強(qiáng)，效率高，易于形成自動(dòng)加熱線，已在工業(yè)加熱領(lǐng)域得到越來(lái)越廣泛的應(yīng)用。

標(biāo)簽： 晶閘管 中頻電源 抗干擾 運(yùn)行

上傳時(shí)間： 2014-01-06

上傳用戶：dave520l

PaxScan 3030 AMORPHOUS SILICON

產(chǎn)品說(shuō)明 PaxScan3030 是通常被稱為平板探測(cè)器（FPD）的實(shí)時(shí)數(shù)字 X 射線成像設(shè)備。主要系統(tǒng)部件包括 30x30cm、194μm 像素的非晶硅FPD,全球通用的雙輸出電源。通過(guò)采用 Va r i an 公司獨(dú)有的高靈敏度碘化銫閃爍體，具有優(yōu)秀的電子吸收能力使其在低劑量范圍仍有優(yōu)秀的表現(xiàn)力。基于 windows2000 的應(yīng)用程序和通信命令庫(kù)（DLL）可以幫助 OEM 客戶嘗試開(kāi)發(fā)自身系統(tǒng)接口。該探測(cè)器為 X射線系統(tǒng)制造商進(jìn)行系統(tǒng)整合而設(shè)計(jì)。

標(biāo)簽： AMORPHOUS PaxScan SILICON 3030

上傳時(shí)間： 2013-11-25

上傳用戶：瓦力瓦力hong

分比功率架構(gòu)和V•I晶片靈活、優(yōu)越的功率系統(tǒng)方案

當(dāng)今電子系統(tǒng)如高端處理器及記憶體，對(duì)電源的需求是趨向更低電壓、更高電流的應(yīng)用。同時(shí)、對(duì)負(fù)載的反應(yīng)速度也要提高。因此功率系統(tǒng)工程師要面對(duì)的挑戰(zhàn)，是要設(shè)計(jì)出符合系統(tǒng)要求的細(xì)小、價(jià)廉但高效率的電源系統(tǒng)。而這些要求都不是傳統(tǒng)功率架構(gòu)能夠完全滿足的。Vicor提出的分比功率架構(gòu)(Factorized Power Architecture FPA)以及一系列的整合功率元件，可提供革命性的功率轉(zhuǎn)換方案，應(yīng)付以上提及的各項(xiàng)挑戰(zhàn)。這些功率元件稱為V•I晶片。

標(biāo)簽： 8226 分 功率架構(gòu) 功率

上傳時(shí)間： 2013-11-15

上傳用戶：yan2267246

利用宏晶科技的IAP單片機(jī)開(kāi)發(fā)自己的ISP程序?qū)嵗?/a>

標(biāo)簽： IAP ISP 宏晶科技 單片機(jī)開(kāi)發(fā)

上傳時(shí)間： 2014-01-08

上傳用戶：文993

利用宏晶科技的IAP單片機(jī)開(kāi)發(fā)自己的ISP程序

利用宏晶科技的IAP單片機(jī)開(kāi)發(fā)自己的ISP程序

標(biāo)簽： IAP ISP 宏晶科技 單片機(jī)開(kāi)發(fā)

上傳時(shí)間： 2013-11-21

上傳用戶：netwolf

晶片wafer 平面工藝詳細(xì)介紹

晶片wafer 平面工藝詳細(xì)介紹

標(biāo)簽： wafer 晶片 工藝 詳細(xì)介紹

上傳時(shí)間： 2013-11-21

上傳用戶：jesuson

介電體超晶格的研究

介電體超晶格是一種新型的有序微結(jié)構(gòu)材料。它具有通常均質(zhì)材料所不具有的獨(dú)特的優(yōu)異性能，展現(xiàn)出重要的應(yīng)用前景。本文介紹南京大學(xué)研究組關(guān)于介電體超晶格研究所取得的進(jìn)展，如將多個(gè)獨(dú)立的光參量過(guò)程集成于一塊介電體超晶格之中獲得了多波長(zhǎng)激光的同時(shí)輸出，研制成超晶格全固態(tài)三基色原型激光器，在介電體超晶格中將拉曼散射強(qiáng)度增強(qiáng)到10的4次方-10的5次方倍，用超晶格研制的器件填補(bǔ)了體波超聲器件從幾百M(fèi)Hz到幾千MHz的空白頻段，發(fā)現(xiàn)了微波與超晶格振動(dòng)的強(qiáng)烈耦合以及研究了由此而產(chǎn)生的極化激元(polariton)的激發(fā)與傳播等。

標(biāo)簽： 介電體 晶格

上傳時(shí)間： 2013-11-01

上傳用戶：清山綠水

宏晶STC90C58AD系列單片機(jī)器件手冊(cè)

宏晶STC90C58AD系列單片機(jī)器件手冊(cè)

標(biāo)簽： STC 90C C58 90

上傳時(shí)間： 2013-10-15

上傳用戶：ZZJ886