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溫度控制的PID算法的C語言程序

溫度控制的PID算法的C語言程序

標簽： PID 溫度控制 C語言程序 算法

上傳時間： 2013-10-08

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算法設(shè)計與分析

算法設(shè)計與分析

標簽： 算法 設(shè)計與分析

上傳時間： 2014-01-08

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算法大全

-算法大全

標簽： 算法

上傳時間： 2014-12-25

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HT45R37 使用SPI 進行資料傳輸?shù)姆椒?/a>

標簽： 45R R37 SPI HT

上傳時間： 2013-11-22

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51單片機PID算法程序的位置式PID控制算法

51單片機PID算法程序的位置式PID控制算法

標簽： PID 51單片機 算法 程序

上傳時間： 2013-11-24

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生命沙漏核心算法

小弟剛學32，做了個生命沙漏，其實主要是為了鍛煉編程，這是我寫的一個核心算法，希望各位大哥不吝賜教啊！

標簽： 核心 算法

上傳時間： 2013-10-26

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ARM處理器的可定制MCU處理DSP算法

DSP的使用正呈爆炸式發(fā)展。OFDM、GPS相關(guān)器、FFT、FIR濾波器或H.264之類計算密集型算法在從移動電話到汽車的各種應(yīng)用中都很常見。設(shè)計人員實現(xiàn)DSP有三種選擇：他們可以使用DSP處理器、FPGA或掩膜ASIC。ASIC具有最高的吞吐量、最低的功耗和最低的成本，但其極大的NRE和較長研制周期使其對許多設(shè)計而言并不適用。定制ASIC的研制周期可達一年之久，比最終產(chǎn)品的使用壽命都長。FPGA已占居較大的市場份額，因為其能提供比DSP處理器更好的吞吐量，而且沒有ASIC的極大NRE和較長研制周期。 因此，常常將基于ARM的MCU和FPGA結(jié)合使用來實現(xiàn)這些設(shè)計，其中FPGA實現(xiàn)設(shè)計的DSP部分。然而，F(xiàn)PGA也有其自身的不足--最突出的是功耗很高(靜態(tài)功耗接近2W)，且性能比ASIC慢。FPGA時鐘用于邏輯執(zhí)行時通常限制為50MHz，而ASIC可以400MHz或更高頻率執(zhí)行邏輯。其他缺點還包括在IP載入基于SRAM的FPGA時安全性還不夠理想，成本也較高。盡管FPGA成本已迅速降低，但價格通常在10,000片左右就不再下降，因此仍比較昂貴。 新型可定制Atmel處理器（CAP）MCU具有的門密度、單元成本、性能和功耗接近基于單元的ASIC，而NRE較低且開發(fā)時間較快。與基于ARM的非可定制標準產(chǎn)品MCU一樣，不需要單獨的ARM許可。 可定制MCU利用新型金屬可編程單元結(jié)構(gòu)（MPCF）ASIC技術(shù)，其門密度介于170K門/mm2與210K門/mm2之間，與基于單元的ASIC相當。例如，實現(xiàn)D觸發(fā)器（DFF）的MPCF單元與標準的單元DFF都使用130nm的工藝，所用面積差不多相同。

標簽： ARM MCU DSP 處理器

上傳時間： 2013-10-29

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51單片機增量式PID控制算法

當執(zhí)行機構(gòu)需要的不是控制量的絕對值，而是控制量的增量（例如去驅(qū)動 步進電動機）時，需要用PID的“增量算法”。 增量式PID控制算法可以通過（2-4）式推導出。由(2-4)可以得到控制器 的第k-1個采樣時刻的輸出值為：

標簽： PID 51單片機 增量式 控制算法

上傳時間： 2013-10-11

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單片機通信系統(tǒng)中CRC算法與硬件環(huán)境編程的實現(xiàn)

在通信系統(tǒng)中從多檢錯手段中，CRC是非常著名的一種。CRC-全稱循環(huán)冗余校驗是對數(shù)據(jù)塊校驗的一種高效的差錯控制方法。在單片機通信系統(tǒng)設(shè)計過程中，當傳輸距離較遠或是采用無線傳輸時，為了保證高效而無錯地傳輸數(shù)據(jù)，必須對數(shù)據(jù)進行檢錯，從性能和成本上考慮，采用CRC校驗算法遠優(yōu)于奇遇校驗和算術(shù)和校驗等方法。CRC的計算有兩種方法，一種是采用專門的硬件，另一種就是軟件方法。對于小型低成本的51單片機系統(tǒng)而言，常常需要在沒有相關(guān)硬件的支持下實現(xiàn)CRC校驗，也即通過軟件來完成CRC計算（CRC算法）。 這里給出了3種算法，從性能和成本上考慮，它們的適用范圍也稍有不同：第一種適用于單片機程序存儲空間較小但CRC計算速度要求不高的情況；第二種適用于程序存儲空間較大且CRC計算速度要求較高的情況；最后一種適用于程序存儲空間不太大，且CRC計算速度要求適中的情況。

標簽： CRC 單片機 通信系統(tǒng) 算法

上傳時間： 2014-12-26

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用C51實現(xiàn)無功補償中電容組循環(huán)投切的算法

介紹了用單片機C 語言實現(xiàn)無功補償中電容組循環(huán)投切的基本原理和算法，并舉例說明。關(guān)鍵詞：循環(huán)投切;C51;無功補償中圖分類號： TM76 文獻標識碼： BAbstract: This paper introduces the aplication of C51 in the controlling of capacitorsuits cycle powered to be on and off in reactive compensation.it illustrate thefondamental principle and algorithm with example.Key words: cycle powered to be on and off; C51; reactive compensation 為提高功率因數(shù)，往往采用補償電容的方法來實現(xiàn)。而電容器的容量是由實時功率因數(shù)與標準值進行比較來決定的，實時功率因數(shù)小于標準值時，需投入電容組，實時功率因數(shù)大于標準值時，則需切除電容組。投切方式的不合理，會對電容器造成損壞，現(xiàn)有的控制器多采用“順序投切”方式，在這種投切方式下排序在前的電容器組，先投后切；而后面的卻后投先切。這不僅使處于前面的電容組經(jīng)常處于運行狀態(tài)，積累熱量不易散失，影響其使用壽命，而且使后面的投切開關(guān)經(jīng)常動作，同樣減少壽命。合理的投切方式應(yīng)為“循環(huán)投切”。這種投切方式使先投入的運行的電容組先退出，后投的后切除，從而使各組電容及投切開關(guān)使用機率均等，降低了電容組的平均運行溫度，減少了投切開關(guān)的動作次數(shù)，延長了其使用壽命。

標簽： C51 無功補償 循環(huán) 電容

上傳時間： 2014-12-27

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