摘要：用單片機(jī)控制放大器增益， 實(shí)現(xiàn)放大器增益擴(kuò)程功能， 以滿足不同幅度信號(hào)對放大器增益的要求分析了單片機(jī)控制放大器增益的原理、設(shè)計(jì)思路，給出了計(jì)算公式和設(shè)計(jì)電路．
標(biāo)簽： 89C51 單片機(jī)控制 放大器 增益
上傳時(shí)間： 2013-10-23
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運(yùn)算放大器，開環(huán)電壓增益AVOL的定義與量測方法。
上傳時(shí)間： 2013-11-18
上傳用戶：rtsm07
提出了一種基于gm /ID方法設(shè)計(jì)的可變增益放大器。設(shè)計(jì)基于SMIC90nmCMOS工藝模型，可變增益放大器由一個(gè)固定增益級、兩個(gè)可變增益級和一個(gè)增益控制器構(gòu)成。固定增益級對輸入信號(hào)預(yù)放大，以增加VGA最大增益。VGA的增益可變性由兩個(gè)受增益控制器控制的可變增益級實(shí)現(xiàn)。運(yùn)用gm /ID的綜合設(shè)計(jì)方法，優(yōu)化了任意工作范圍內(nèi)，基于gm /ID和VGS關(guān)系的晶體管設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了低電壓低功耗。為得到較寬的增益范圍，應(yīng)用了一種新穎的偽冪指函數(shù)。利用Cadence中spectre工具仿真，結(jié)果表明，在1.2 V的工作電壓下，具有76 dB的增益，控制電壓范圍超過0.8 V，帶寬范圍從34 MHz到183.6 MHz，功耗為0.82 mW。
上傳時(shí)間： 2013-11-10
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基于N溝道MOS管H橋驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)與制作
標(biāo)簽： MOS N溝道 H橋驅(qū)動(dòng) 電路設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間： 2014-08-01
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針對數(shù)字預(yù)失真系統(tǒng)對反饋鏈路平坦度的要求，提出一種在不斷開模擬鏈路的前提下，采用單音測量WCDMA<E混?；旧漕l拉遠(yuǎn)單元反饋鏈路的增益平坦度，并采用最小二乘法，分別擬合射頻、本振和中頻的增益的方法。采用MATLAB工具產(chǎn)生濾波器系數(shù)，在基本不增加復(fù)雜度的基礎(chǔ)上，通過DPD軟件離線補(bǔ)償中頻的增益不平坦度。實(shí)際應(yīng)用取得良好的補(bǔ)償效果。
標(biāo)簽： 數(shù)字預(yù)失真 反饋 增益
上傳時(shí)間： 2013-10-18
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設(shè)計(jì)了一種用于高速ADC中的高速高增益的全差分CMOS運(yùn)算放大器。主運(yùn)放采用帶開關(guān)電容共模反饋的折疊式共源共柵結(jié)構(gòu)，利用增益提高和三支路電流基準(zhǔn)技術(shù)實(shí)現(xiàn)一個(gè)可用于12~14 bit精度，100 MS/s采樣頻率的高速流水線（Pipelined）ADC的運(yùn)放。設(shè)計(jì)基于SMIC 0.25 μm CMOS工藝，在Cadence環(huán)境下對電路進(jìn)行Spectre仿真。仿真結(jié)果表明，在2.5 V單電源電壓下驅(qū)動(dòng)2 pF負(fù)載時(shí)，運(yùn)放的直流增益可達(dá)到124 dB，單位增益帶寬720 MHz，轉(zhuǎn)換速率高達(dá)885 V/μs，達(dá)到0.1%的穩(wěn)定精度的建立時(shí)間只需4 ns，共模抑制比153 dB。
標(biāo)簽： CMOS 增益提高 運(yùn)算 放大器設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間： 2014-12-23
上傳用戶：jiiszha
計(jì)數(shù)器是一種重要的時(shí)序邏輯電路，廣泛應(yīng)用于各類數(shù)字系統(tǒng)中。介紹以集成計(jì)數(shù)器74LS161和74LS160為基礎(chǔ)，用歸零法設(shè)計(jì)N進(jìn)制計(jì)數(shù)器的原理與步驟。用此方法設(shè)計(jì)了3種36進(jìn)制計(jì)數(shù)器，并用Multisim10軟件進(jìn)行仿真。計(jì)算機(jī)仿真結(jié)果表明設(shè)計(jì)的計(jì)數(shù)器實(shí)現(xiàn)了36進(jìn)制計(jì)數(shù)的功能。基于集成計(jì)數(shù)器的N進(jìn)制計(jì)數(shù)器設(shè)計(jì)方法簡單、可行，運(yùn)用Multisim 10進(jìn)行電子電路設(shè)計(jì)和仿真具有省時(shí)、低成本、高效率的優(yōu)越性。
標(biāo)簽： 歸零法 N進(jìn)制計(jì)數(shù)器原
上傳時(shí)間： 2013-10-11
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在理論模型的基礎(chǔ)上探討了電子勢壘的形狀以及勢壘形狀隨外加電壓的變化, 并進(jìn)行定量計(jì)算, 得出隧穿電壓隨雜質(zhì)摻雜濃度的變化規(guī)律。所得結(jié)論與硅、鍺p-n 結(jié)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量 研究p-n 結(jié)的隧道擊穿中的合理性與實(shí)用性。該理論模型對研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意義。
上傳時(shí)間： 2013-10-31
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運(yùn)算放大器作為模擬集成電路設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)，同時(shí)作為DAC校準(zhǔn)電路的一部分，本次設(shè)計(jì)一個(gè)高增益全差分跨導(dǎo)型運(yùn)算放大器。
標(biāo)簽： 增益 運(yùn)算 放大器設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間： 2013-10-31
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基于0．25gm PHEMT工藝，給出了兩個(gè)高增益K 波段低噪聲放大器．放大器設(shè)計(jì)中采用了三級級聯(lián)增加?xùn)艑挼碾娐方Y(jié)構(gòu)，通過前級源極反饋電感的恰當(dāng)選取獲得較高的增益和較低的噪聲；采用直流偏置上加阻容網(wǎng)絡(luò)，用來消除低頻增益和振蕩；三級電路通過電阻共用一組正負(fù)電源，使用方便，且電路性能較好，輸入輸出駐波比小于2．0；功率增益達(dá)24dB；噪聲系數(shù)小于3．5dB．兩個(gè)放大器都有較高的動(dòng)態(tài)范圍和較小的面積，放大器ldB壓縮點(diǎn)輸出功率大于15dBm；芯片尺寸為1mm×2mm×0．1mm．該放大器可以應(yīng)用在24GHz汽車?yán)走_(dá)前端和26．5GHz本地多點(diǎn)通信系統(tǒng)中．
上傳時(shí)間： 2014-12-23
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