選Activate Product 然後下一步 進(jìn)到了註冊(cè)畫面 將註冊(cè)機(jī)打開選擇Aster V7 2x 按Get Num產(chǎn)生註冊(cè)碼 將註冊(cè)碼複製到Aster的註冊(cè)畫面上,按下面的"其它" 將硬體代碼複製 將硬體代碼貼上註冊(cè)機(jī)上的Hardware ID後,按Get Key產(chǎn)生啟動(dòng)碼後複製到註冊(cè)畫面的最下方.按下一步即可啟動(dòng)
標(biāo)簽： aster 注冊(cè)機(jī)
上傳時(shí)間： 2016-08-22
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mil mm,db 倍數(shù)，米每秒，千米每小時(shí)，等單位之間互相換算 電阻并聯(lián)計(jì)算
上傳時(shí)間： 2017-09-17
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標(biāo)簽： 吉米多維奇
上傳時(shí)間： 2019-07-03
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標(biāo)簽： 多維
上傳時(shí)間： 2019-07-03
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內(nèi)容簡(jiǎn)介 介紹了一般微處押器核鮒設(shè)計(jì)原理、基于微處邦器核的SoC設(shè)計(jì)的其本機(jī)念甜方法,通過對(duì)ARM系列處理器核和 CPU核的詳小描述,說明微處理器及外接口的設(shè)計(jì)原理和方法。同時(shí)也綜述了ARM系列她理器核和最新ARM核的 研發(fā)戰(zhàn)果以政ARM和Thmb踹積模型,對(duì)SC設(shè)計(jì)中涉及到的行儲(chǔ)器層次、 Cache存儲(chǔ)器管誣、片上總線片|:調(diào)和 產(chǎn)品測(cè)試等主要間黥進(jìn)行了論述。在此基礎(chǔ)上給出了幾個(gè)基于ARM核的SoC嵌人式應(yīng)用的實(shí)例。最后對(duì)基于異步設(shè)計(jì) 的ARM核 AMCLET及異步SUC子系統(tǒng) AMUlET3打的研究進(jìn)行了介紹 木書的特點(diǎn)是將基于ARM微處理器核的SC設(shè)計(jì)和實(shí)際恢人式系統(tǒng)的應(yīng)用集成于一體,對(duì)于基于ARM核的S設(shè)計(jì) 和嵌λ式系統(tǒng)開發(fā)者來說是一本很好的參考手冊(cè)。可用作計(jì)算機(jī)科學(xué)拉術(shù)與應(yīng)用電氣T程、電∫科學(xué)與技術(shù)專業(yè)科牛及碩 研究生的教材,也可作為從事集成電路設(shè)計(jì)的[程技術(shù)人員、于ARM的嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用開發(fā)技術(shù)入員的參考書。
上傳時(shí)間： 2020-04-02
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在互補(bǔ)式金氧半(CMOS)積體電路中，隨著量產(chǎn)製程的演進(jìn)，元件的尺寸已縮減到深次微 米(deep-submicron)階段，以增進(jìn)積體電路(IC)的性能及運(yùn)算速度，以及降低每顆晶片的製造 成本。但隨著元件尺寸的縮減，卻出現(xiàn)一些可靠度的問題。 在次微米技術(shù)中，為了克服所謂熱載子(Hot-Carrier)問題而發(fā)展出 LDD(Lightly-Doped Drain) 製程與結(jié)構(gòu); 為了降低 CMOS 元件汲極(drain)與源極(source)的寄生電阻(sheet resistance) Rs 與 Rd，而發(fā)展出 Silicide 製程; 為了降低 CMOS 元件閘級(jí)的寄生電阻 Rg，而發(fā)展出 Polycide 製 程 ; 在更進(jìn)步的製程中把 Silicide 與 Polycide 一起製造，而發(fā)展出所謂 Salicide 製程
標(biāo)簽： Protection CMOS ESD ICs in
上傳時(shí)間： 2020-06-05
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XA003M人體紅外感應(yīng)模塊原理圖 PCB ，有需要樣板的，請(qǐng)聯(lián)系我，人體紅外感應(yīng)模塊工作電壓范圍：DC3V-16V電平輸出：高3.3V/低0V觸發(fā)方式：可重復(fù)購發(fā)(默認(rèn))延時(shí)時(shí)間：默認(rèn)30S(可定做范圍)感應(yīng)角度：C100度錐角感應(yīng)距離：3米以內(nèi)(可定做范圍)工作溫度：-20 ---- 80度電路板外形尺寸：10*23mm感應(yīng)透鏡尺寸：直徑：10mm產(chǎn)品尺寸：34*10mm
標(biāo)簽： xa003m 人體紅外感應(yīng)模塊
上傳時(shí)間： 2021-10-18
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萬用表測(cè)量技巧用萬用表檢測(cè)彩色電視機(jī)開關(guān)電源
標(biāo)簽： 萬用表
上傳時(shí)間： 2021-11-27
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標(biāo)簽： 新聞
上傳時(shí)間： 2021-12-09
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標(biāo)簽： 新聞
上傳時(shí)間： 2021-12-09
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