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  • 使用ASP元件(請自行下載、安裝或登錄) AspUpload+AspJpeg+Jmail[或AspMail] 整合JS與FLASH套件 Highslide JS+SWFUpload+Titl

    使用ASP元件(請自行下載、安裝或登錄) AspUpload+AspJpeg+Jmail[或AspMail] 整合JS與FLASH套件 Highslide JS+SWFUpload+TitleView+FPV4[請自行下載] 新增相薄圖檔後[Web上傳或FTP上傳後批次新增],自動生成TitleView/FPV4,使用的XML腳本檔。刪除或搬移圖檔,同樣更新XML腳本檔。 使用 4.1_先用記事本設定編輯config.asp/menu.asp 4.2_瀏覽器進入addphoto.asp新增相簿分類(請事先作好規劃) 4.3_瀏覽器進入index.asp[被轉到NewPhoto.asp],簽入後按上傳圖檔,按新增相片後上傳圖檔 更詳細解說: http://www.chome.idv.tw/article.asp?id=158

    標簽: AspUpload Highslide SWFUpload AspJpeg

    上傳時間: 2013-12-21

    上傳用戶:84425894

  • (有源代碼)數值分析作業,本文主要包括兩個部分,第一部分是常微分方程(ODE)的三個實驗題,第二部分是有關的拓展討論,包括高階常微分的求解和邊值問題的求解(BVP).文中的算法和算例都是基于Matla

    (有源代碼)數值分析作業,本文主要包括兩個部分,第一部分是常微分方程(ODE)的三個實驗題,第二部分是有關的拓展討論,包括高階常微分的求解和邊值問題的求解(BVP).文中的算法和算例都是基于Matlab計算的.ODE問題從剛性(STIFFNESS)來看分為非剛性的問題和剛性的問題,剛性問題(如大系數的VDP方程)用通常的方法如ODE45來求解,效率會很低,用ODE15S等,則效率會高多了.而通常的非剛性問題,用ODE45來求解會有很好的效果.從階次來看可以分為高階微分方程和一階常微分方程,高階的微分方程一般可以化為狀態空間(STATE SPACE)的低階微分方程來求解.從微分方程的性態看來,主要是微分方程式一階導系數大的時候,步長應該選得響應的小些.或者如果問題的性態不是太好估計的話,用較小的步長是比較好的,此外的話Adams多步法在小步長的時候效率比R-K(RUNGE-KUTTA)方法要好些,而精度也高些,但是穩定區間要小些.從初值和邊值來看,也是顯著的不同的.此外對于非線性常微分方程還有打靶法,胞映射方法等.而對于微分方程穩定性的研究,則諸如相平面圖等也是不可缺少的工具.值得提出的是,除了用ode系類函數外,用simulink等等模塊圖來求解微分方程也是一種非常不錯的方法,甚至是更有優勢的方法(在應用的角度來說).

    標簽: Matla ODE BVP

    上傳時間: 2014-01-05

    上傳用戶:caixiaoxu26

  • 借助于MATLAB

    借助于MATLAB,現實了元胞自動機模擬生命游戲

    標簽: MATLAB

    上傳時間: 2013-12-09

    上傳用戶:yuzsu

  • Arduino 類比電壓的標準測試程式

    Arduino 類比電壓的標準測試程式,利用讀取類比電壓的值來控制led閃爍的頻率,文中有詳細的描述與介紹說明。

    標簽: Arduino 程式

    上傳時間: 2013-12-20

    上傳用戶:hewenzhi

  • Arduino 數位I/O的標準測試程式

    Arduino 數位I/O的標準測試程式,利用讀取輸入的數位訊來控制輸出的數位訊號,文中有詳細的描述與介紹說明。

    標簽: Arduino 程式

    上傳時間: 2017-05-23

    上傳用戶:6546544

  • FLIR 雷達產品簡介

    文件中詳細介紹 FLIR 雷達產品的各項技術數據

    標簽: FLIR 雷達

    上傳時間: 2015-03-18

    上傳用戶:戴斗笠的神秘人

  • FLIR 雷達 重要技術單元

    文件中詳細列舉出FLIR雷達產品所使用的頻率波段以及發射功率資訊!

    標簽: FLIR 雷達

    上傳時間: 2015-03-18

    上傳用戶:戴斗笠的神秘人

  • 三菱第五代IGBT應用手冊

    三菱電機功率器件在工業、電氣化鐵道、辦公自動化、家電產品等多種領域的電力變換及電動機控制中得到廣泛應用。為了真正滿足市場對裝置噪音低、效率高、體積小、重量輕、精度高、功能強、容量大的要求,三菱電機積極致力于新型器件的研究、開發,為人類的節能和環保不斷努力。第5代IGBT和IPM模塊均采用三菱電機第5代IGBT硅片CSTBTIM技術,并具有正溫度系數特征,與傳統的溝槽型構造IGBT相比,降低了集電極一發射極間飽和電壓,從而實現了更低損耗。同時改進了封裝技術,大大減小了模塊內部分布電感。本應用手冊的出版,旨在幫助用戶了解第5代IGBT和IPM模塊的特性和工作原理,更加方便的使用三菱電機的半導體產品。三菱電機謹向所有購買和支持三菱半導體產品的用戶表示誠摯的感謝。1.IGBT模塊的一般認識1.1 NF系列IGBT模塊的特點NF系列IGBT模塊主要具有以下兩大特點:1,采用第5代IGBT硅片在溝槽型IGBT的基礎上增加電荷蓄積層的新結構(CSTBT)改善了關斷損耗(Eoff)和集電極-發射極問飽和電壓VEisat的折衷。插入式組合元胞(PCM)的使用增強了短路承受能力(SCSOA)并降低了柵極電容,從而降低驅動功率。CSTBT:Carrier Stored Trench-Gate Bipolar Transistor載流子存儲式溝槽硼型雙極晶體臂

    標簽: igbt

    上傳時間: 2022-06-19

    上傳用戶:shjgzh

  • 600VFS結構IGBT的設計

    本論文提出一種600V平面柵FS-IGBT器件的設計與制造方法,并通過和國內某知名代工線合作,完成了器件制備和測試。600V面FS-IGBT的研制工作展開論述。1、首先對IGBT原理及FS層的原理進行分析討論,然后結合代工線的特點,進行了600V平面柵FS結構IGBT的工藝流程、元胞結構與終端結構設計,最后完成版圖設計并進行工藝流片。所設計的器件工藝流程為:先進行器件背面的FS層制作,然后進行正面結構(包括元胞和終端)的制作,最后再進行背面的P+區注入和金屬化。2、對流片獲得的600V FS-IGBT器件進行了主要電學參數的測試和分析。測試結果為:耐壓大于700V、正向導通壓降低于1.15V、閾值電壓4.1-4.5V。滿足設計要求。/本論文的研究成果對于促進我國FS結構IGBT的研究和產業化具有很好的參考價值,通過進一步改進工藝及結構,提高產品良率,最終可以形成有競爭力的產品。

    標簽: igbt

    上傳時間: 2022-06-19

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