徹底解決99在以往不能完全漢化的問題，全面實(shí)現(xiàn)漢化，具體到每個(gè)對(duì)話框和工作表，對(duì)初學(xué)者和英文不好的用戶非常實(shí)用，也非常簡(jiǎn)單！ 用過的，麻煩頂一下我，或加一點(diǎn)分，謝謝啦！
上傳時(shí)間： 2013-10-08
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工藝流程波峰焊中的成型工作，是生產(chǎn)過程中效率最低的部分之一，相應(yīng)帶來(lái)了靜電損壞風(fēng)險(xiǎn)并使交貨期延長(zhǎng)，還增加了出錯(cuò)的機(jī)會(huì)。雙面貼裝A面布有大型IC器件，B面以片式元件為主充分利用PCB空間，實(shí)現(xiàn)安裝面積最小化，效率高單面混裝* 如果通孔元件很少，可采用回流焊和手工焊的方式一面貼裝、另一面插裝* 如果通孔元件很少，可采用回流焊和手工焊的方式
上傳時(shí)間： 2013-11-14
上傳用戶：哈哈hah
PCB LAYOUT 術(shù)語(yǔ)解釋(TERMS)1. COMPONENT SIDE(零件面、正面)︰大多數(shù)零件放置之面。2. SOLDER SIDE(焊錫面、反面)。3. SOLDER MASK(止焊膜面)︰通常指Solder Mask Open 之意。4. TOP PAD︰在零件面上所設(shè)計(jì)之零件腳PAD，不管是否鑽孔、電鍍。5. BOTTOM PAD：在銲錫面上所設(shè)計(jì)之零件腳PAD，不管是否鑽孔、電鍍。6. POSITIVE LAYER：?jiǎn)巍㈦p層板之各層線路；多層板之上、下兩層線路及內(nèi)層走線皆屬之。7. NEGATIVE LAYER：通常指多層板之電源層。8. INNER PAD：多層板之POSITIVE LAYER 內(nèi)層PAD。9. ANTI-PAD：多層板之NEGATIVE LAYER 上所使用之絕緣範(fàn)圍，不與零件腳相接。10. THERMAL PAD：多層板內(nèi)NEGATIVE LAYER 上必須零件腳時(shí)所使用之PAD，一般稱為散熱孔或?qū)住?1. PAD (銲墊)：除了SMD PAD 外，其他PAD 之TOP PAD、BOTTOM PAD 及INNER PAD 之形狀大小皆應(yīng)相同。12. Moat : 不同信號(hào)的 Power& GND plane 之間的分隔線13. Grid : 佈線時(shí)的走線格點(diǎn)2. Test Point : ATE 測(cè)試點(diǎn)供工廠ICT 測(cè)試治具使用ICT 測(cè)試點(diǎn) LAYOUT 注意事項(xiàng):PCB 的每條TRACE 都要有一個(gè)作為測(cè)試用之TEST PAD(測(cè)試點(diǎn))，其原則如下：1. 一般測(cè)試點(diǎn)大小均為30-35mil，元件分布較密時(shí)，測(cè)試點(diǎn)最小可至30mil.測(cè)試點(diǎn)與元件PAD 的距離最小為40mil。2. 測(cè)試點(diǎn)與測(cè)試點(diǎn)間的間距最小為50-75mil，一般使用75mil。密度高時(shí)可使用50mil,3. 測(cè)試點(diǎn)必須均勻分佈於PCB 上，避免測(cè)試時(shí)造成板面受力不均。4. 多層板必須透過貫穿孔(VIA)將測(cè)試點(diǎn)留於錫爐著錫面上(Solder Side)。5. 測(cè)試點(diǎn)必需放至於Bottom Layer6. 輸出test point report(.asc 檔案powerpcb v3.5)供廠商分析可測(cè)率7. 測(cè)試點(diǎn)設(shè)置處:Setuppadsstacks
標(biāo)簽： layout design pcb 硬件工程師
上傳時(shí)間： 2013-10-22
上傳用戶：pei5
Arduino教程_Arduino圖形化編程軟件_ArduBlock
標(biāo)簽： Arduino ArduBlock 教程 圖形化編程
上傳時(shí)間： 2013-11-24
上傳用戶：pans0ul
為了提高Forward變換器非線性系統(tǒng)的控制性能，采用了精確線性化控制方法。首先采用開關(guān)函數(shù)和開關(guān)周期平均算子建立適合微分幾何方法的仿射非線性系統(tǒng)模型。從理論上證明了該模型滿足系統(tǒng)精確線性化的條件。對(duì)非線性坐標(biāo)變換后得到的線性系統(tǒng)，利用二次型最優(yōu)控制策略推導(dǎo)出非線性狀態(tài)反饋控制律。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，系統(tǒng)具有良好的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)性能，驗(yàn)證了該控制方法的有效性和正確性。
上傳時(shí)間： 2013-11-10
上傳用戶：xywhw1
IGBT驅(qū)動(dòng)電路模塊化設(shè)計(jì)。
標(biāo)簽： IGBT 驅(qū)動(dòng)電路 模塊化設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間： 2013-10-21
上傳用戶：yczrl
經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個(gè)跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來(lái)調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們?nèi)绾螌?duì)EMI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個(gè)有著單組輸出+12V/4.1A及初級(jí)側(cè)MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉(zhuǎn)接器(adapter)來(lái)做傳導(dǎo)性及輻射性EMI測(cè)試。
上傳時(shí)間： 2014-09-08
上傳用戶：swing
PC電源測(cè)試系統(tǒng)chroma8000簡(jiǎn)介
標(biāo)簽： chroma 8000 電源測(cè)試系統(tǒng)
上傳時(shí)間： 2013-11-08
上傳用戶：xiehao13
Protel99SE 完全漢化包.rar
上傳時(shí)間： 2014-12-24
上傳用戶：kiklkook
熱陰極螢光燈(HCFL)發(fā)光原理 冷陰極螢光燈(CCFL)發(fā)光原理 產(chǎn)品特性 CCFL製程概述 產(chǎn)品結(jié)構(gòu)
上傳時(shí)間： 2013-11-18
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