我們的注意焦點(diǎn)要轉(zhuǎn)到搜尋樹（search tree）了，要深度討論兩種標(biāo)準(zhǔn)的樹結(jié)構(gòu)（tree structure），就是本章所要說明的二元搜尋樹（binary search tree）以及下一章所要討論的 AVL 平衡樹（AVL tree）。這兩種樹其資料都依序排列的，它們之間的差別只在於 AVL 是一種平衡樹，而二元搜尋樹卻不是。
上傳時(shí)間： 2013-12-27
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二元搜尋樹簡(jiǎn)單易懂，不過有一個(gè)問題：它並非平衡樹。本章將介紹平衡的 AVL 搜尋樹，討論它的資料結(jié)構(gòu)、函式，並設(shè)計(jì)程式使用它。
標(biāo)簽： 二元
上傳時(shí)間： 2017-05-30
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使用MSP430與CS8900開發(fā)網(wǎng)頁(yè)伺服器，可以動(dòng)態(tài)顯示MCU溫度.
上傳時(shí)間： 2017-06-03
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在本文中，我們首先實(shí)作了 一個(gè)針對(duì)壓縮視訊（像是 H.264/AVC）之畫面解析度 改善 的方法。接著，我們分析這個(gè)方法的模擬結(jié)果。
標(biāo)簽：
上傳時(shí)間： 2013-12-28
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Boost C++ Libraries Free peer-reviewed portable C++ source libraries Boost C++ Libraries 基本上是一個(gè)免費(fèi)的 C++ 的跨平臺(tái)函式庫(kù)集合，基本上應(yīng)該可以把它視為 C++ STL 的功能再延伸；他最大的特色在於他是一個(gè)經(jīng)過「同行評(píng)審」（peer review，可參考維基百科）、開放原始碼的函式庫(kù)，而且有許多 Boost 的函式庫(kù)是由 C++ 標(biāo)準(zhǔn)委員會(huì)的人開發(fā)的，同時(shí)部分函式庫(kù)的功能也已經(jīng)成為 C++ TR1 (Technical Report 1，參考維基百科)、TR2、或是 C++ 0x 的標(biāo)準(zhǔn)了。 它的官方網(wǎng)站是：http://www.boost.org/，包含了 104 個(gè)不同的 library；由於他提供的函式庫(kù)非常地多，的內(nèi)容也非常地多元，根據(jù)官方的分類，大致上可以分為下面這二十類： 字串和文字處理（String and text processing） 容器（Containers） Iterators 演算法（Algorithms） Function objects and higher-order programming 泛型（Generic Programming） Template Metaprogramming Preprocessor Metaprogramming Concurrent Programming 數(shù)學(xué)與數(shù)字（Math and numerics） 正確性與測(cè)試（Correctness and testing） 資料結(jié)構(gòu)（Data structures） 影像處理（Image processing） 輸入、輸出（Input/Output） Inter-language support 記憶體（Memory） 語法分析（Parsing） 程式介面（Programming Interfaces） 其他雜項(xiàng) Broken compiler workarounds 其中每一個(gè)分類，又都包含了一個(gè)或多個(gè)函式庫(kù)，可以說是功能相當(dāng)豐富。
標(biāo)簽： Boost C++ Libraries
上傳時(shí)間： 2015-05-15
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一 產(chǎn)品描述 提供6個(gè)觸摸感應(yīng)按鍵，一對(duì)一直接輸出，對(duì)於防水和抗干擾方面有很優(yōu)異的表現(xiàn)! 二 產(chǎn)品特色 1 工作電壓範(fàn)圍：3.1V – 5.5V 2 工作電流：3mA@5V 3 6個(gè)觸摸感應(yīng)按鍵 4 提供一對(duì)一的直接輸出，未按鍵為高電平輸出，按鍵為低電平輸出 5 可以經(jīng)由調(diào)整 CAP 腳的外接電容，調(diào)整靈敏度，電容越大靈敏度越高 6 具有防水及水漫成片水珠覆蓋在觸摸按鍵面板，按鍵仍可有效判別 7 內(nèi)建 LDO 增加電源的抗干擾能力 三 產(chǎn)品應(yīng)用 各種大小家電，娛樂產(chǎn)品 四 功能描述 1 VK3606DM 於手指按壓觸摸盤，在 60ms 內(nèi)輸出對(duì)應(yīng)按鍵的狀態(tài)。 2 單鍵優(yōu)先判斷輸出方式處理, 如果 K1 已經(jīng)承認(rèn)了, 需要等 K1 放開後, 其他按 鍵才能再被承認(rèn)，同時(shí)間只有一個(gè)按鍵狀態(tài)會(huì)被輸出。 3 具有防呆措施, 若是按鍵有效輸出連續(xù)超過 10 秒, 就會(huì)做復(fù)位。 4 環(huán)境調(diào)適功能，可隨環(huán)境的溫濕度變化調(diào)整參考值，確保按鍵判斷工作正常。 5 可分辨水與手指的差異，對(duì)水漫與水珠覆蓋按鍵觸摸盤，仍可正確判斷按鍵動(dòng)作。但水不可於按鍵觸摸盤上形成“水柱”，若如此則如同手按鍵一般，會(huì)有按鍵承認(rèn)輸出。 6 內(nèi)建 LDO 及抗電源雜訊的處理程序，對(duì)電源漣波的干擾有很好的耐受能力。 7 不使用的按鍵請(qǐng)接地，避免太過靈敏而產(chǎn)生誤動(dòng)
標(biāo)簽： 3606 KEYS SOP VK 16 DM 抗干擾 防水
上傳時(shí)間： 2019-08-08
上傳用戶：szqxw1688
一．產(chǎn)品描述 提供6個(gè)觸摸感應(yīng)按鍵，一對(duì)一直接輸出，輸出為開漏(opendrain)型態(tài)，適合作AD鍵。對(duì)於防水和抗干擾方面有很優(yōu)異的表現(xiàn)! 二。產(chǎn)品特色 1.工作電壓範(fàn)圍：3.1V – 5.5V 2.工作電流： 3mA@5V 3.6 個(gè)觸摸感應(yīng)按鍵 4.提供一對(duì)一的直接輸出，未按鍵為開漏(open drain)型態(tài)輸出，按鍵時(shí)為低電平。 5.可以經(jīng)由調(diào)整 CAP 腳的外接電容，調(diào)整靈敏度，電容越大靈敏度越高 6.具有防水及水漫成片水珠覆蓋在觸摸按鍵面板，按鍵仍可有效判別 7.內(nèi)建 LDO 增加電源的抗干擾能力 三。 產(chǎn)品應(yīng)用 各種大小家電，娛樂產(chǎn)品 四．功能描述 1.VK3606OM 於手指按壓觸摸盤，在 60ms 內(nèi)輸出對(duì)應(yīng)按鍵的狀態(tài)。 2.單鍵優(yōu)先判斷輸出方式處理, 如果 K1 已經(jīng)承認(rèn)了, 需要等K1 放開後, 其他按鍵才能再被承認(rèn)，同時(shí)間只有一個(gè)按鍵狀態(tài)會(huì)被輸出。 3.具有防呆措施, 若是按鍵有效輸出連續(xù)超過 10 秒, 就會(huì)做復(fù)位。 4.環(huán)境調(diào)適功能，可隨環(huán)境的溫濕度變化調(diào)整參考值，確保按鍵判斷工作正常。 5.可分辨水與手指的差異，對(duì)水漫與水珠覆蓋按鍵觸摸盤，仍可正確判斷按鍵動(dòng)作。但水不可於按鍵觸摸盤上形成“水柱”，若如此則如同手按鍵一般，會(huì)有按鍵承認(rèn)輸出。 6.內(nèi)建 LDO 及抗電源雜訊的處理程序，對(duì)電源漣波的干擾有很好的耐受能力。 7.K0~K5 中不使用的按鍵請(qǐng)接地，避免太過靈敏而產(chǎn)生誤動(dòng)。 8.D0~D5 中不使用的輸出請(qǐng)接地，避免浮接會(huì)有漏電流的情 況。
標(biāo)簽： KEYS 3606 SOP 16 VK OM 抗干擾 防水
上傳時(shí)間： 2019-08-08
上傳用戶：szqxw1688
一．產(chǎn)品描述 提供10個(gè)觸摸感應(yīng)按鍵及兩線式串列界面，並有中斷輸出INT腳與MCU聯(lián)繫。特性上對(duì)於防水和抗干擾方面有很優(yōu)異的表現(xiàn)! 二。產(chǎn)品特色 1. 工作電壓範(fàn)圍：3.1V – 5.5V 2. 工作電流：3mA@5V 3. 10 個(gè)觸摸感應(yīng)按鍵 4. 提供串列界面 SCK、SDA、INT 作為與 MCU 溝通方式。 5. 可以經(jīng)由調(diào)整 CAP 腳的外接電容，調(diào)整靈敏度，電容越大靈敏度越高 6.具有防水及水漫成片水珠覆蓋在觸摸按鍵面板，按鍵仍可有效判別 7. 內(nèi)建 LDO 增加電源的抗干擾能力 三。產(chǎn)品應(yīng)用 各種大小家電，娛樂產(chǎn)品 四．功能描述 1.VK3610IM 於手指按壓觸摸盤，在 60ms 內(nèi)輸出對(duì)應(yīng)按鍵的狀態(tài)。 2.單鍵優(yōu)先判斷輸出方式處理, 如果 K1 已經(jīng)承認(rèn)了, 需要等 K1 放開後, 其他按鍵才能再被承認(rèn)，同時(shí)間只有一個(gè)按鍵狀態(tài)會(huì)被輸出。 3.具有防呆措施, 若是按鍵有效輸出連續(xù)超過 10 秒, 就會(huì)做復(fù)位。 4.環(huán)境調(diào)適功能，可隨環(huán)境的溫濕度變化調(diào)整參考值，確保按鍵判斷工作正常。 5.可分辨水與手指的差異，對(duì)水漫與水珠覆蓋按鍵觸摸盤，仍可正確判斷按鍵動(dòng)作。但水不可於按鍵觸摸盤上形成“水柱”，若如此則如同手按鍵一般，會(huì)有按鍵承認(rèn)輸出。 6.內(nèi)建 LDO 及抗電源雜訊的處理程序，對(duì)電源漣波的干擾有很好的耐受能力。 7.不使用的按鍵請(qǐng)接地，避免太過靈敏而產(chǎn)生誤動(dòng)。
標(biāo)簽： KEYS VK3610 SOP 10 16 IM VK 抗干擾
上傳時(shí)間： 2019-08-08
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一．產(chǎn)品描述 提供8個(gè)觸摸感應(yīng)按鍵，二進(jìn)制(BCD)編碼輸出，具有一個(gè)按鍵承認(rèn)輸出的顯示，按鍵後的資料會(huì)維持到下次按鍵，可先判斷按鍵承認(rèn)的狀態(tài)。提供低功耗模式，可使用於電池應(yīng)用的產(chǎn)品。對(duì)於防水和抗干擾方面有很優(yōu)異的表現(xiàn)! 二．產(chǎn)品特色 1.工作電壓範(fàn)圍：3.1V – 5.5V 2. 工作電流： 3mA (正常模式)；15 uA (休眠模式) @5V 3. 8 個(gè)觸摸感應(yīng)按鍵 4.持續(xù)無按鍵 4 秒，進(jìn)入休眠模式 5. 提供二進(jìn)制(BCD)編碼直接輸出介面(上電 D2~D0/111) 6. 按鍵後離開，輸出狀態(tài)會(huì)維持到下次按鍵才會(huì)改變。 7. 提供按鍵承認(rèn)有效輸出，當(dāng)有按鍵時(shí)輸出低電平，無按鍵為高電平。 8. 可以經(jīng)由調(diào)整 CAP 腳的外接電容，調(diào)整靈敏度，電容越大靈敏度越高 9. 具有防水及水漫成片水珠覆蓋在觸摸按鍵面板，按鍵仍可有效判別 10. 內(nèi)建 LDO 增加電源的抗干擾能力 三．產(chǎn)品應(yīng)用 各種大小家電，娛樂產(chǎn)品 四．功能描述 1.VK3708BM 於手指按壓觸摸盤，在 60ms 內(nèi)輸出對(duì)應(yīng)按鍵的狀態(tài)。 2.單鍵優(yōu)先判斷輸出方式處理, 如果 K1 已經(jīng)承認(rèn)了, 需要等 K1 放開後, 其他按鍵才能再被承認(rèn)，同時(shí)間只有一個(gè)按鍵狀態(tài)會(huì)被輸出。 3.具有防呆措施, 若是按鍵有效輸出連續(xù)超過 10 秒, 就會(huì)做復(fù)位。 4.環(huán)境調(diào)適功能，可隨環(huán)境的溫濕度變化調(diào)整參考值，確保按鍵判斷工作正常。 5.可分辨水與手指的差異，對(duì)水漫與水珠覆蓋按鍵觸摸盤，仍可正確判斷按鍵動(dòng)作。但水不可於按鍵觸摸盤上形成“水柱”，若如此則如同手按鍵一般，會(huì)有按鍵承認(rèn)輸出。 6.內(nèi)建 LDO 及抗電源雜訊的處理程序，對(duì)電源漣波的干擾有很好的耐受能力。 7.不使用的按鍵請(qǐng)接地，避免太過靈敏而產(chǎn)生誤動(dòng)。 聯(lián)系人：許碩 QQ：191 888 5898 聯(lián)系電話：188 9858 2398（微信）
標(biāo)簽： KEYS 3708 SOP 16 BM VK 抗干擾 防水 省電
上傳時(shí)間： 2019-08-08
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在互補(bǔ)式金氧半(CMOS)積體電路中，隨著量產(chǎn)製程的演進(jìn)，元件的尺寸已縮減到深次微 米(deep-submicron)階段，以增進(jìn)積體電路(IC)的性能及運(yùn)算速度，以及降低每顆晶片的製造 成本。但隨著元件尺寸的縮減，卻出現(xiàn)一些可靠度的問題。 在次微米技術(shù)中，為了克服所謂熱載子(Hot-Carrier)問題而發(fā)展出 LDD(Lightly-Doped Drain) 製程與結(jié)構(gòu); 為了降低 CMOS 元件汲極(drain)與源極(source)的寄生電阻(sheet resistance) Rs 與 Rd，而發(fā)展出 Silicide 製程; 為了降低 CMOS 元件閘級(jí)的寄生電阻 Rg，而發(fā)展出 Polycide 製 程 ; 在更進(jìn)步的製程中把 Silicide 與 Polycide 一起製造，而發(fā)展出所謂 Salicide 製程
標(biāo)簽： Protection CMOS ESD ICs in
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