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  • 這是我寫(xiě)的踩地雷

    這是我寫(xiě)的踩地雷，是java swing的API，有的人或許Title是一樣的，但或內(nèi)容絕對(duì)不一樣。

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    上傳時(shí)間： 2013-12-26

    上傳用戶：xauthu

  • 本文是以數(shù)位訊號(hào)處理器DSP（Digital Singal Processor）之核心架構(gòu)為主體的數(shù)位式溫度控制器開(kāi)發(fā)

    本文是以數(shù)位訊號(hào)處理器DSP（Digital Singal Processor）之核心架構(gòu)為主體的數(shù)位式溫度控制器開(kāi)發(fā)，而其主要分為硬體電路與軟體程式兩部分來(lái)完成。而就硬體電路來(lái)看分為量測(cè)電路模組、DSP周邊電路及RS232通訊模組、輸出模組三個(gè)部分，其中在輸出上可分為電流輸出、電壓輸出以及binary command給加熱驅(qū)動(dòng)裝置, RS232 除了可以與PC聯(lián)絡(luò)外也可以與具有CPU的熱能驅(qū)動(dòng)器做命令傳輸。在計(jì)畫(huà)中分析現(xiàn)有工業(yè)用加熱驅(qū)動(dòng)裝置和溫度曲線的關(guān)係，並瞭解其控制情況。軟體方面即是溫控器之中央處理器程式，亦即DSP控制程式，其中包括控制理論、感測(cè)器線性轉(zhuǎn)換程式、I/O介面及通訊協(xié)定相關(guān)程式。在控制法則上，提出一個(gè)新的加熱體描述模型，然後以前饋控制為主並輔以PID控制，得到不錯(cuò)的控制結(jié)果。

    標(biāo)簽： Processor Digital Singal DSP

    上傳時(shí)間： 2013-12-24

    上傳用戶：zjf3110

  • 在SamSung2440開(kāi)發(fā)板上wince.net系統(tǒng)下

    在SamSung2440開(kāi)發(fā)板上wince.net系統(tǒng)下，利用標(biāo)準(zhǔn)的imgdecmp.dll接口，實(shí)現(xiàn)了jpeg.bmp.gif.png等圖片的顯示，在armv4i環(huán)境下絕對(duì)可用

    標(biāo)簽： SamSung wince 2440 net

    上傳時(shí)間： 2017-06-08

    上傳用戶：JasonC

  • 越南 山陽(yáng)港暨臺(tái)塑河靜鋼廠 安防系統(tǒng)規(guī)畫(huà)

    文件中規(guī)劃進(jìn)行多系統(tǒng)的整合應(yīng)用，包含了～～～ 微型雷達(dá)偵測(cè)系統(tǒng) 熱感紅外線攝影機(jī) 可見(jiàn)光紅外線攝影機(jī) 無(wú)線網(wǎng)路傳輸應(yīng)用 後端警報(bào)管理平臺(tái)

    標(biāo)簽： 安防系統(tǒng) 規(guī)畫(huà)建議

    上傳時(shí)間： 2015-03-18

    上傳用戶：戴斗笠的神秘人

  • 神州墨香商業(yè)端

    放墨香商業(yè)版本， 巨陵-蠻牛掉元寶,願(yuàn)意打的就是高手 開(kāi)放包袱商人會(huì)帶備稀而物品給各位大俠購(gòu)買(mǎi) 本服轉(zhuǎn)身請(qǐng)登入官網(wǎng)轉(zhuǎn)身 本服遊戲幣個(gè)人上限是40億 如果帶多了 轉(zhuǎn)圖重登都會(huì)變回40億 全球最強(qiáng)防外掛系統(tǒng),打造2016年最公平的墨湘 本服承諾,絕無(wú)任何嚴(yán)重bug,保證遊戲穩(wěn)定運(yùn)行 本服禁止空白名,定期自動(dòng)清理帶空名的玩家

    標(biāo)簽： 墨香

    上傳時(shí)間： 2016-04-11

    上傳用戶：西子灣灣

  • CMOS製成簡(jiǎn)介

    0.35umCMOS製成簡(jiǎn)介 內(nèi)容含LDD,熱載子,熱載子效應(yīng),Silicided ，Polycide，Salicide等介紹

    標(biāo)簽： CMOS

    上傳時(shí)間： 2017-03-27

    上傳用戶：WHYang

  • ESD Protection in CMOS ICs

    在互補(bǔ)式金氧半(CMOS)積體電路中，隨著量產(chǎn)製程的演進(jìn)，元件的尺寸已縮減到深次微 米(deep-submicron)階段，以增進(jìn)積體電路(IC)的性能及運(yùn)算速度，以及降低每顆晶片的製造 成本。但隨著元件尺寸的縮減，卻出現(xiàn)一些可靠度的問(wèn)題。 在次微米技術(shù)中，為了克服所謂熱載子(Hot-Carrier)問(wèn)題而發(fā)展出 LDD(Lightly-Doped Drain) 製程與結(jié)構(gòu); 為了降低 CMOS 元件汲極(drain)與源極(source)的寄生電阻(sheet resistance) Rs 與 Rd，而發(fā)展出 Silicide 製程; 為了降低 CMOS 元件閘級(jí)的寄生電阻 Rg，而發(fā)展出 Polycide 製 程 ; 在更進(jìn)步的製程中把 Silicide 與 Polycide 一起製造，而發(fā)展出所謂 Salicide 製程

    標(biāo)簽： Protection CMOS ESD ICs in

    上傳時(shí)間： 2020-06-05

    上傳用戶：shancjb

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