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嵌入式工程師必要的參考材料，mcu 和 CPLD 綜合運用 ,本資料有大量的實例可供參考，下完后記得收藏本站哦。
上傳時間： 2013-08-20
上傳用戶：199311
好東西，拿出來分享，清華FPGA講義，自學的好材料。歡迎下載！
上傳時間： 2013-09-01
上傳用戶：xjy441694216
Proteus 仿真萬年歷,KeilC編譯通過，運行穩定，是初學者的最佳入門材料
上傳時間： 2013-09-25
上傳用戶：pwcsoft
對基于BCB的圓片級封裝工藝進行了研究，該工藝代表了MEMS加速度計傳感器封裝的發展趨勢，是MEMS加速度計產業化的關鍵。選用3000系列BCB材料進行MEMS傳感器的粘結鍵合工藝試驗，解決了圓片級封裝問題，在低溫250 ℃和適當壓力輔助下≤2.5 bar（1 bar=100 kPa）實現了加速度計的圓片級封裝，并對相關的旋涂、鍵合、氣氛、壓力等諸多工藝參數進行了優化。
上傳時間： 2013-11-17
上傳用戶：JasonC
超全面的功放材料，是否對大家有用，特此奉獻。
上傳時間： 2013-11-13
上傳用戶：從此走出陰霾
隔離器的主要功能是通過電氣隔離柵傳送某種形式的信息，同時阻止電流。隔離器采用絕緣材料制造，可以阻止電流，隔離柵兩端都有耦合元件。信息通常在傳輸通過隔離柵之前由耦合元件編碼。
上傳時間： 2013-10-27
上傳用戶：王慶才
電位計訊號轉換器 AT-PM1-P1-DN-ADL 1．產品說明 AT系列轉換器/分配器主要設計使用于一般訊號迴路中之轉換與隔離；如 4~20mA、0~10V、熱電偶(Type K, J, E, T)、熱電阻(Rtd-Pt100Ω)、荷重元、電位計(三線式)、電阻(二線式)及交流電壓/電流等訊號，機種齊全。 此款薄型設計的轉換器/分配器，除了能提供兩組訊號輸出（輸出間隔離）或24V激發電源供傳送器使用外，切換式電源亦提供了安裝的便利性。上方并設計了電源、輸入及輸出指示燈及可插拔式接線端子方便現場施工及工作狀態檢視。 2.產品特點 可選擇帶指撥開關切換，六種常規輸出信號0-5V/0~10V/1~5V/2~10V/4~20mA/ 0~20mA 可自行切換。 雙回路輸出完全隔離，可選擇不同信號。 設計了電源、輸入及輸出LED指示燈，方便現場工作狀態檢視。 規格選擇表中可指定選購0.1%精度 17.55mm薄型35mm導軌安裝。 依據CE國際標準規范設計。 3.技術規格 用途：信號轉換及隔離 過載輸入能力：電流：10×額定10秒 第二組輸出：可選擇 輸入范圍：P1：0 Ω ~ 50.0 Ω / ~ 2.0 KΩ P2：0 Ω ~ 2.0 KΩ / ~ 100.0 KΩ 精確度: ≦±0.2% of F.S. ≦±0.1% of F.S. 偵測電壓：1.6V 輸入耗損: 交流電流:≤ 0.1VA; 交流電壓:≤ 0.15VA 反應時間: ≤ 250msec (10%~90% of FS) 輸出波紋: ≤ ±0.1% of F.S. 滿量程校正范圍:≤ ±10% of F.S.，2組輸出可個別調整 零點校正范圍:≤ ±10% of F.S.，2組輸出可個別調整 隔離:AC 2.0 KV 輸出1與輸出2之間 隔離抗阻：DC 500V 100MΩ 工作電源: AC 85~265V/DC 100~300V, 50/60Hz 或 AC/DC 20~56V (選購規格) 消耗功率: DC 4W, AC 6.0VA 工作溫度: 0~60 ºC 工作濕度: 20~95% RH, 無結露 溫度系數: ≤ 100PPM/ ºC (0~50 ºC) 儲存溫度: -10~70 ºC 保護等級: IP 42 振動測試: 1~800 Hz, 3.175 g2/Hz 外觀尺寸: 94.0mm x 94.0mm x 17.5mm 外殼材質: ABS防火材料，UL94V0 安裝軌道: 35mm DIN導軌 (EN50022) 重量: 250g 安全規范(LVD): IEC 61010 (Installation category 3) EMC: EN 55011:2002; EN 61326:2003 EMI: EN 55011:2002; EN 61326:2003 常用規格：AT-PM1-P1-DN-ADL 電位計訊號轉換器，一組輸出，輸入范圍：0 Ω ~ 50.0 Ω / ~ 2.0 KΩ，輸出一組輸出4-20mA，工作電源AC/DC20-56V
上傳時間： 2013-11-05
上傳用戶：feitian920
通過分析機載設備對機箱的設計要求，得出了機載設備機箱屏蔽設計包括機箱材料選擇和保證屏蔽完整性兩方面的結論，并進一步給出了機載設備機箱結構上關于蓋板、通風孔、導線穿透和開口、縫隙處理等方面電磁屏蔽設計的方法和技術措施。
上傳時間： 2013-12-11
上傳用戶：zhenyushaw
在理論模型的基礎上探討了電子勢壘的形狀以及勢壘形狀隨外加電壓的變化, 并進行定量計算, 得出隧穿電壓隨雜質摻雜濃度的變化規律。所得結論與硅、鍺p-n 結實驗數據相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量 研究p-n 結的隧道擊穿中的合理性與實用性。該理論模型對研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意義。
上傳時間： 2013-10-31
上傳用戶：summery
1、半導體材料制作電子器件與傳統的真空電子器件相比有什么特點? 答：頻率特性好、體積小、功耗小，便于電路的集成化產品的袖珍化，此外在堅固抗震可靠等方面也特別突出；但是在失真度和穩定性等方面不及真空器件。 2、什么是本征半導體和雜質半導體？ 答：純凈的半導體就是本征半導體，在元素周期表中它們一般都是中價元素。在本征半導體中按極小的比例摻入高一價或低一價的雜質元素之后便獲得雜質半導體。
上傳時間： 2014-12-23
上傳用戶：lilei900512
