8051工作于11.0592MHZ,RAM擴(kuò)展為128KB的628128,FlashRom擴(kuò)展為128KB的AT29C010A\r\n 128KB的RAM分成4個(gè)區(qū)(Bank) 地址分配為0x0000-0x7FFF\r\n 128KB的FlashRom分成8個(gè)區(qū)(Bank) 地址分配為0x8000-0xBFFF\r\n 為了使8051能訪(fǎng)問(wèn)整個(gè)128KB的RAM空間和128KB的FlashRom空間,在CPLD內(nèi)建兩個(gè)寄存器\r\n RamBankReg和FlashRomBankReg用于存放高位地址
標(biāo)簽: 128 FlashRom 8051 KB
上傳時(shí)間: 2013-08-30
上傳用戶(hù):cainaifa
Proteus 自建元件庫(kù),Mydoc\\MyPower\\MyBook\\C51單片機(jī)資料\\Proteus 自建元件庫(kù).rar
上傳時(shí)間: 2013-09-26
上傳用戶(hù):yczrl
介紹了一種反對(duì)稱(chēng)漸變波導(dǎo)微帶探針過(guò)渡結(jié)構(gòu),采用高頻仿真軟件HFSS仿真分析了這個(gè)波導(dǎo)微帶過(guò)渡結(jié)構(gòu)在 W 頻段的特性,并對(duì)影響過(guò)渡性能的幾個(gè)因素進(jìn)行了敏感性分析,得出了可供工程應(yīng)用參考的設(shè)計(jì)曲線(xiàn)。在全波導(dǎo)帶寬內(nèi),實(shí)現(xiàn)了插入損耗小于0.088 dB,回波損耗大于27 dB。該結(jié)構(gòu)具有寬頻帶、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單和易加工等優(yōu)點(diǎn),可廣泛用于毫米波固態(tài)電路系統(tǒng)中。
標(biāo)簽: W波段 對(duì)稱(chēng) 探針 轉(zhuǎn)換
上傳時(shí)間: 2013-11-13
上傳用戶(hù):名爵少年
符合全球標(biāo)準(zhǔn)的小巧電源•35~150 W容量支持5 V, 12 V和24 V輸出電壓(100 W, 150 W: 僅24 V型)• 支持DIN導(dǎo)軌安裝• 安全標(biāo)準(zhǔn) : UL 508/60950-1, EN 60950-1CSA C22.2 No. 60950-1
上傳時(shí)間: 2014-04-17
上傳用戶(hù):fklinran
[從零開(kāi)始學(xué)單片機(jī)C語(yǔ)言].李建清.掃描版_部分2
上傳時(shí)間: 2013-10-28
上傳用戶(hù):金宜
[從零開(kāi)始學(xué)單片機(jī)C語(yǔ)言].李建清.掃描版_部分1
標(biāo)簽: 零 單片機(jī) C語(yǔ)言 掃描版
上傳時(shí)間: 2013-11-15
上傳用戶(hù):3291976780
具備處理外部模擬信號(hào)功能是很多電子設(shè)備的基本要求。為了將模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信 號(hào),就需要藉助A/D 轉(zhuǎn)換器。將A/D 功能和MCU 整合在一起,就可減少電路的元件數(shù)量和 電路板的空間使用。 HT45F23 微控制器內(nèi)建6 通道,12 位解析度的A/D 轉(zhuǎn)換器。在本應(yīng)用說(shuō)明中,將介紹如何 使用HT45F23 微控制器的A/D 功能。
上傳時(shí)間: 2013-10-27
上傳用戶(hù):nostopper
本文介紹了一種由低次級(jí)聯(lián)形式構(gòu)成的W波段寬帶六倍頻器。輸入信號(hào)先經(jīng)過(guò)MMIC得到二倍頻,再由反向并聯(lián)二極管對(duì)平衡結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)寬帶三倍頻,從而將Ku波段信號(hào)六倍頻到W波段。該倍頻器的輸入端口為玻璃絕緣子同軸轉(zhuǎn)換接頭,輸出為 WR-10 標(biāo)準(zhǔn)矩形波導(dǎo)結(jié)構(gòu)。仿真結(jié)果表明當(dāng)輸入信號(hào)功率為20dBm時(shí),三倍頻器在整個(gè)W波段的輸出三次諧波功率為4.5dBm左右,變頻損耗小于17dB。該設(shè)計(jì)可以降低毫米波設(shè)備的主振頻率,擴(kuò)展已有微波信號(hào)源的工作頻段。
上傳時(shí)間: 2013-11-16
上傳用戶(hù):qingzhuhu
由于電子對(duì)抗技術(shù)的飛速發(fā)展,低頻段電子干擾設(shè)備已經(jīng)非常完善,低頻段主動(dòng)雷達(dá)的工作效能相應(yīng)地大幅度降低。為了提高雷達(dá)系統(tǒng)的抗干擾能力,通過(guò)對(duì)國(guó)內(nèi)外雷達(dá)技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)的研究,以及影響雷達(dá)系統(tǒng)抗干擾能力主要因素的分析,說(shuō)明了采用更高頻段的雷達(dá)導(dǎo)引頭技術(shù)發(fā)展的重要性。以W波段雷達(dá)導(dǎo)引頭技術(shù)發(fā)展及應(yīng)用為前提,對(duì)其中需要解決的關(guān)鍵技術(shù)進(jìn)行了分解,論述了W波段雷達(dá)導(dǎo)引頭的基本實(shí)現(xiàn)方案、關(guān)鍵技術(shù)解決途徑,得出W波段雷達(dá)導(dǎo)引頭技術(shù)發(fā)展具有策略上的必要性和技術(shù)上的可行性的結(jié)論。
標(biāo)簽: W波段 雷達(dá)導(dǎo)引頭 技術(shù)分析
上傳時(shí)間: 2013-12-04
上傳用戶(hù):mikesering
W-RXM2013基于高性能ASK無(wú)線(xiàn)超外差射頻接收芯片 設(shè)計(jì),是一款完整的、體積小巧的、低功耗的無(wú)線(xiàn)接 收模塊。 模塊采用超高性?xún)r(jià)比ISM頻段接收芯片設(shè)計(jì) 主要設(shè)定為315MHz-433MHz頻段,標(biāo)準(zhǔn)傳輸速率下接 收靈敏度可達(dá)到-115dbm。并且具有行業(yè)內(nèi)同類(lèi)方案W-RXM2013 Micrel、SYNOXO、PTC等知名品牌的芯片所不具備的超強(qiáng)抗干擾能力。外圍省去10.7M的中頻 器件模塊將芯片的使能腳引出,可作休眠喚醒控制,也可通過(guò)電阻跳線(xiàn)設(shè)置使能置高控制。 本公司推出該款模塊力求解決客戶(hù)開(kāi)發(fā)產(chǎn)品過(guò)程中無(wú)線(xiàn)射頻部分的成本壓力,為客戶(hù)提供 性能卓越價(jià)格優(yōu)勢(shì)突出的電子組件。模塊接口采用金手指方式,方便生產(chǎn)及應(yīng)用。天線(xiàn)輸入部 分可以將接收天線(xiàn)焊接在模塊上面,也可以通過(guò)接口轉(zhuǎn)接至客戶(hù)主機(jī)板上,應(yīng)用非常靈活。 優(yōu)勢(shì)應(yīng)用:機(jī)電控制板、電源控制板、高低溫環(huán)境數(shù)據(jù)監(jiān)測(cè)等復(fù)雜條件下 的控制指令的無(wú)線(xiàn)傳輸。 1.1 基本特性 λ ●省電模式下,低電流損耗 ●方便投入應(yīng)用 ●高效的串行編程接口 ●工作溫度范圍:﹣40℃~+85℃ ●工作電壓:2.4~ 5.5 Volts. ●有效頻率:250-348Mhz, 400-464Mhz ●靈敏度高(-115dbm)、功耗低在3.5mA@315MHz應(yīng)用下 ●待機(jī)電流小于1uA,系統(tǒng)喚醒時(shí)間5ms(RF Input Power=-60dbm)
上傳時(shí)間: 2013-10-08
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