帶有PPS電源適配器的60 W USB PD 3.0具有PowiGaN的InnoSwitch3-Pro(INN3379C-H302); MinE-CAP(MIN1072M);威盛Labs VP302控制器輸入：90 VAC – 265 VAC可變輸出：5 V / 3 A; 9 V / 3 A; 15 V / 3 A; 20 V / 3 APPS輸出：3.3 V – 21 V / 3 A
標(biāo)簽： InnoSwitch3-Pro PowiGaN
上傳時間： 2022-03-24
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使用InnoSwitch3-Pro PowiGaN和MinE-CAP的3.3 W-21 V PPS電源的65 W USB PD 3.0
標(biāo)簽： InnoSwitch3-Pro PowiGaN PPS電源
上傳時間： 2022-04-02
上傳用戶：kingwide
使用InnoSwitch3-CP(具有PowiGaN技術(shù)的INN3270C-H215)和HiperPFS-4的100 W USB PD Type-C充電器(5 V / 3 A; 9 V / 3 A; 15 V / 3 A; 20 V / 5 A輸出) (PFS7628C)
標(biāo)簽： InnoSwitch3-CP HiperPFS-4
上傳時間： 2022-05-09
上傳用戶：XuVshu
傅里葉光學(xué)導(dǎo)論 J.W.顧德
標(biāo)簽： 傅里葉光學(xué)
上傳時間： 2022-06-01
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GD32F103的移植說明和開發(fā)指南，幫助新手快速了解GD32F103芯片，縮短上手時間。本教程結(jié)合官方的用戶手冊以及固件庫例程，通過實際例程講解以及實驗現(xiàn)象來幫助讀者理解和使 用 GD32F130xx 這 個 系 列 的 芯 片 。 軟 件 平 臺 使 用 的 是 MDK-ARM 和 官 方 外 設(shè) 驅(qū) 動 庫 GD32F1x0_Firmware_Library_v3.1.0（庫函數(shù)開發(fā)），硬件使用技新 GD32F130G8U6 核心板 V1.0 和 GD-LINK 下載&調(diào)試器。 教程從開發(fā)平臺介紹、開發(fā)環(huán)境搭建、建立工程等基礎(chǔ)內(nèi)容，到 GD13F130xx 外設(shè)應(yīng)用，包括： GPIO應(yīng)用、EXTI應(yīng)用、CLK應(yīng)用、USART 應(yīng)用、TIMER 應(yīng)用、I2C應(yīng)用、SPI應(yīng)用、ADC應(yīng)用、FWDGT 應(yīng)用和 WWDGT 應(yīng)用等十大部分內(nèi)容。外設(shè)應(yīng)用部分的內(nèi)容都配有源碼，并配合硬件平臺進(jìn)行實驗講 解。教程面對的對象是具有一定的 MCU 編程基礎(chǔ)以及 C 語言基礎(chǔ)的，主旨是幫助開發(fā)者快速入門和快速 開發(fā)使用 GD32F130xx 系列產(chǎn)品。
標(biāo)簽： gd32f103
上傳時間： 2022-06-18
上傳用戶：1208020161
本文以質(zhì)量管理理論為基礎(chǔ)，針對手機(jī)芯片封裝行業(yè)過于繁瑣的海量質(zhì)量數(shù)據(jù)，建立以數(shù)據(jù)挖掘技術(shù)為基礎(chǔ)的質(zhì)量管理系統(tǒng)，通過對手機(jī)芯片封裝質(zhì)量數(shù)據(jù)的采集、分析和處理，對手機(jī)芯片的質(zhì)量缺陷和不合格產(chǎn)品進(jìn)行分析和統(tǒng)計，診斷造成產(chǎn)品不合格的原因。本文首先回顧了國內(nèi)外關(guān)于質(zhì)量管理的發(fā)展歷程及最新趨勢，并對手機(jī)芯片封裝質(zhì)量管理進(jìn)行了綜述。在對數(shù)據(jù)挖掘、合格率管理等方面進(jìn)行深入分析探討的基礎(chǔ)上，提出了手機(jī)芯片封裝質(zhì)量管理系統(tǒng)的設(shè)計目標(biāo)、設(shè)計思路和功能模塊。本文的研究工作主要有以下幾個方面：1、對手機(jī)芯片封裝的制造過程、系統(tǒng)模式進(jìn)行了分析，著重研究了合格率管理和數(shù)據(jù)挖掘在手機(jī)芯片封裝中的應(yīng)用；2、運(yùn)用數(shù)據(jù)挖掘的方法，針對影響芯片封裝質(zhì)量的多個相關(guān)因素，進(jìn)行各因素的權(quán)重判定，確定哪些因素是影響質(zhì)量的關(guān)鍵因素，針對影響質(zhì)量的關(guān)鍵因素，通過對低合格率數(shù)據(jù)的提取與分析，定位封裝過程中可能造成不合格產(chǎn)品的關(guān)鍵點(diǎn)，為質(zhì)量改善提供依據(jù)：3、搜集W公司2006年5月到8月的手機(jī)芯片封裝測試數(shù)據(jù)，進(jìn)行實證研究，驗證了所提出的研究方法的準(zhǔn)確性。
標(biāo)簽： 手機(jī)芯片封裝 質(zhì)量管理系統(tǒng)
上傳時間： 2022-06-21
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15 W無線充電發(fā)射器解決方案（原理圖、BOM、應(yīng)用說明等）.
標(biāo)簽： 無線充電發(fā)射器
上傳時間： 2022-06-21
上傳用戶：canderile
45 W隔離式反激式電源(90 VAC - 265 VAC輸入; 24 V，1.88 A輸出)，適用于使用InnoSwitch3-CP(INN3268-H221)以及CV，CC和CP輸出選項的智能揚(yáng)聲器和管狀電機(jī)
標(biāo)簽： 智能揚(yáng)聲器 管狀電機(jī) 輸出隔離式反激式電源
上傳時間： 2022-07-11
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針對空間電壓欠量脈寬調(diào)制過程中存在的問題，采用理論推演與軟件設(shè)計方法，在介紹了s V P w M 的基本原理的基礎(chǔ)上，利用T I 公司的 D S P電機(jī)控制芯片 T M S 3 2 0 L F 2 4 0 7設(shè)計了S V P W M的實現(xiàn)方法，并給出 j - 變頻調(diào)速系統(tǒng)的全數(shù)字化實現(xiàn)。 通過對永磁同步電機(jī)進(jìn)行控制仿真實驗，得到的結(jié)果表明此方法是切實可行V , J ，控制系統(tǒng)具有優(yōu)良的動靜態(tài)性能，較高的控制效果，有廣泛的應(yīng)用前景。
上傳時間： 2013-04-24
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國外信號完整性的經(jīng)典之作，中文譯本 本書全面論述了信號完警性問題，主要講述了信號完整性和物理設(shè)概念，帶寬、電感和特性阻抗的實質(zhì)含義，電阻、電容、電感和阻擾的相關(guān)分析，解決信號完整性問題的四個實用技術(shù)手段，物理互連世計對信號完格性的影響，數(shù)學(xué)推導(dǎo)背后隱藏的解決方案，以及改進(jìn)信號完整推薦的設(shè)計準(zhǔn)則等。該書與其他大多數(shù)同類書籍相比更強(qiáng)調(diào)直觀理解、實用工具和工程實踐，它以入門式的切入方式，使得讀者很容易認(rèn)識到物理互連影響電氣性能的實質(zhì)，從而可以盡快掌握信號完整性設(shè)計技術(shù)。本書作者以實踐專家的視角指出了造成信號完整性問題的根源，特別給出了在設(shè)計前期階段的問題解決方案，這是面向電子工業(yè)界的設(shè)技工程師和產(chǎn)品負(fù)責(zé)人的一本具有實用價值的參考書，其目的在于幫助也們在信號完整性問題出現(xiàn)之前能提前發(fā)現(xiàn)并及早加以解決，同時也可作為相關(guān)專業(yè)水本科生及研究生的教學(xué)指導(dǎo)用書
上傳時間： 2013-04-24
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