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聲光雙控?zé)?
標(biāo)簽： 聲光雙控
上傳時間： 2013-11-21
上傳用戶：lu2767
在理論模型的基礎(chǔ)上探討了電子勢壘的形狀以及勢壘形狀隨外加電壓的變化, 并進(jìn)行定量計算, 得出隧穿電壓隨雜質(zhì)摻雜濃度的變化規(guī)律。所得結(jié)論與硅、鍺p-n 結(jié)實驗數(shù)據(jù)相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量 研究p-n 結(jié)的隧道擊穿中的合理性與實用性。該理論模型對研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意義。
標(biāo)簽： p-n 隧道 擊穿 模型研究
上傳時間： 2013-10-31
上傳用戶：summery
能實現(xiàn)VCO 功能的電路很多，常用的有分立器件構(gòu)成的振蕩器和集成壓控振蕩器。如串聯(lián)諧振電容三點(diǎn)式電路、壓控晶體振蕩器，積分-施密特電路、射級耦合多諧振蕩器、變?nèi)荻O管調(diào)諧LC 振蕩器和數(shù)字門電路等幾種。它們之間各有優(yōu)缺點(diǎn)，下面做簡要分析，并選擇最合適的方案。
標(biāo)簽： 壓控 振蕩電路
上傳時間： 2013-11-06
上傳用戶：tdyoung
聲控開關(guān)和光控開關(guān)的制作
標(biāo)簽： 聲控開關(guān) 光控開關(guān)
上傳時間： 2013-10-27
上傳用戶：shaoyun666
計一種基于Howland電流源電路的精密壓控電流源，論述了該精密壓控電流源的原理。該電路以V/I轉(zhuǎn)換電路作為核心，Howland電流源做為誤差補(bǔ)償電路，進(jìn)一步提高了電流源的精度，使絕對誤差仿真值達(dá)到nA級，實際電路測量值絕對誤差達(dá)到?滋A級，得到高精度的壓控電流源。仿真和實驗測試均證明該方案是可行的。
標(biāo)簽： Howland 電流源 壓控 精密
上傳時間： 2014-12-24
上傳用戶：sklzzy
諸如電信設(shè)備、存儲模塊、光學(xué)繫統(tǒng)、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、服務(wù)器和基站等許多復(fù)雜繫統(tǒng)都采用了 FPGA 和其他需要多個電壓軌的數(shù)字 IC，這些電壓軌必須以一個特定的順序進(jìn)行啟動和停機(jī)操作，否則 IC 就會遭到損壞。
標(biāo)簽： 電源排序 防止
上傳用戶：packlj
時至今日，以太網(wǎng)供電 (PoE) 技術(shù)仍在當(dāng)今的網(wǎng)絡(luò)世界中不斷地普及。由供電設(shè)備 (PSE) 提供並傳輸至受電設(shè)備 (PD) 輸入端的 12.95W 功率是一種通用電源
標(biāo)簽： PoE 集成 反激式控制器 PD接口
上傳用戶：xmsmh
三相橋式全控整流電路的工作原理
標(biāo)簽： 三相橋式 全控整流 電路 工作原理
上傳時間： 2013-10-23
上傳用戶：Miyuki
N+緩沖層設(shè)計對PT-IGBT器件特性的影響至關(guān)重要。文中利用Silvaco軟件對PT-IGBT的I-V特性進(jìn)行仿真。提取相同電流密度下，不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態(tài)壓降，得到了通態(tài)壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線，該仿真結(jié)果與理論分析一致。對于PT-IGBT結(jié)構(gòu)，N+緩沖層濃度及厚度存在最優(yōu)值，只要合理的選取可以有效地降低通態(tài)壓降。
標(biāo)簽： PT-IGBT 緩沖層
上傳時間： 2013-11-12
上傳用戶：thesk123
多級感應(yīng)線圈發(fā)射器測控系統(tǒng)設(shè)計
標(biāo)簽： 多級 發(fā)射器 感應(yīng)線圈 測控
上傳時間： 2013-10-16
上傳用戶：qq10538412
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