通過(guò)采用無(wú)橋PFC和半橋LLC諧振變換器作為數(shù)字開(kāi)關(guān)電源的主變換拓?fù)?基于STM32系列微控制器的全數(shù)字控制PFC和DC-DC變換器,首先對(duì)數(shù)字化開(kāi)關(guān)電源方案進(jìn)行對(duì)比,然后闡述了200W數(shù)字開(kāi)關(guān)電源整體方案,并對(duì)數(shù)字開(kāi)關(guān)電源的無(wú)橋PFC和半橋LLC變換器進(jìn)行系統(tǒng)研究。By using a bridgeless PFC and a half-bridge LLC resonant converter as the main conversion topology of the digital switching power supply,the all-digital control PFC and DC-DC converter based on the STM32 series of microcontrollers,firstly the digital switching power supply scheme is compared,and then the overall scheme of 200 W digital switching power supply is expounded, and the bridgeless PFC and half-bridge LLC converter of digital switching power supply are systematically studied.
標(biāo)簽： 數(shù)字開(kāi)關(guān)電源
上傳時(shí)間： 2022-04-02
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編程W-SUW02-優(yōu)勝UG7.5數(shù)控編程從入門(mén)到精通視頻教程 UG NX7.5編程教程實(shí)例 - 8.07MB編程資料 - 16.34MB楊普編程詳細(xì)介紹.zip批量編程.zip - 1.53MB編程.zip - 71.19MB7年編程大師親自編寫(xiě).zip - 3.92GB比亞迪編程作業(yè)標(biāo)準(zhǔn).zip - 12.33MB13.編程常用建模命令.zip - 7.50MB......
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變壓器 路由器網(wǎng)絡(luò)變壓器 Altium封裝 AD封裝庫(kù) 2D+3D PCB封裝庫(kù)-13MB，Altium Designer設(shè)計(jì)的PCB封裝庫(kù)文件，集成2D和3D封裝，可直接應(yīng)用的到你的產(chǎn)品設(shè)計(jì)中。PCB庫(kù)封裝列表：PCB Library : 變壓器.PcbLibDate : 2020/6/9Time : 5:39:10Component Count : 6Component Name-----------------------------------------------DA10XCDA10XMCEE42-15V 8+8EI35x20-WI-10PEPC17-10V 5+5EPC17-W-5+5
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按鍵按鈕 Altium封裝 AD封裝庫(kù) 2D+3D PCB封裝庫(kù)-10MB，Altium Designer設(shè)計(jì)的PCB封裝庫(kù)文件，集成2D和3D封裝，可直接應(yīng)用的到你的產(chǎn)品設(shè)計(jì)中。PCB庫(kù)封裝列表：LSW DIP-CHERRYTSW 3*6*4.3-S-WTSW 10x10x9-5Key-LSTSW DIP-3*6*4.3TSW DIP-3*6*4.3_VTSW DIP-3*6*5TSW DIP-3*6*5_VTSW DIP-6*6*4.3TSW DIP-6*6*4.3_VTSW DIP-6*6*5TSW DIP-6*6*5_VTSW DIP-6*6*6TSW DIP-6*6*6_VTSW DIP-6*6*7TSW DIP-6*6*7_VTSW DIP-6*6*8TSW DIP-6*6*8_VTSW DIP-6*6*9TSW DIP-6*6*9_VTSW DIP-6*6*10TSW DIP-6*6*10_VTSW DIP-6*6*11TSW DIP-6*6*11_VTSW DIP-6*6*12TSW DIP-6*6*12_VTSW DIP-6*6*13TSW DIP-6*6*14TSW DIP-6*6*15TSW DIP-12*12*4.3TSW DIP-12*12*5TSW DIP-12*12*6TSW DIP-12*12*7TSW DIP-12*12*8TSW DIP-12*12*9TSW DIP-12*12*10TSW DIP-12*12*11TSW DIP-12*12*12TSW DIP-12*12*13TSW SMD-3*6*2.5TSW SMD-3*6*4.3TSW SMD-3*6*5TSW SMD-4*4*1.5TSW SMD-6*6*4.3TSW SMD-6*6*5TSW SMD-6*6*6TSW SMD-6*6*7TSW SMD-6*6*8TSW SMD-6*6*9TSW SMD-6*6*10TSW SMD-6*6*11TSW SMD-6*6*12TSW SMD-6*6*13TSW SMD-6*6*14TSW SMD-6*6*15TSW SMD-12*12*4.3TSW SMD-12*12*5TSW SMD-12*12*6
標(biāo)簽： 按鍵 按鈕 Altium designer
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本資料是關(guān)于tc358749在rk平臺(tái)的相關(guān)調(diào)試工作本文檔是基于 RK3288(W version)/RK3399 ANDROID7.1/8.1 平臺(tái)開(kāi)發(fā) HDMI IN 功 能的幫助文檔
標(biāo)簽： hdmi
上傳時(shí)間： 2022-05-14
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安裝塌所1、通凰良好少溫策及灰座之塌所。2、雜腐蝕性、引火性氛髓、油急、切削液、切前粉、戴粉等聚境。3、雜振勤的場(chǎng)所。4、雜水氟及踢光直射的場(chǎng)所。1、本距勤器探用自然封流冷御方式正隨安裝方向局垂直站立方式2、在配電箱中需考感溫升情況未連有效散熟及冷御效果需保留足豹的空固以取得充分的空氟。3、如想要使控制箱內(nèi)溫度連到一致需增加凰扇等散熱毅倩。4、組裝睛廊注意避免贊孔屑及其他翼物掉落距勤器內(nèi)。5、安裝睛請(qǐng)硫資以M5螺練固定。6、附近有振勤源時(shí)請(qǐng)使用振勤吸收器防振橡腥來(lái)作腐噩勤器的防振支撐。7、勤器附近有大型磁性陰嗣、熔接樓等雄部干援源睛，容易使距勤器受外界干攝造成誤勤作，此時(shí)需加裝雄部濾波器。但雍訊濾波器舍增加波漏電流，因此需在愿勤器的輸入端裝上經(jīng)緣羹愿器（Transformer）。*配象材料依照使用電象規(guī)格]使用。*配象的喪度：指令輸入象3公尺以內(nèi)。編碼器輸入綜20公尺以內(nèi)。配象時(shí)請(qǐng)以最短距薄速接。*硫賞依照操單接象圈配象，未使用到的信貌請(qǐng)勿接出。*局連輸出端（端子U、V、W）要正硫的速接。否則伺服焉速勤作舍不正常。*隔雄綜必須速接在FG端子上。*接地請(qǐng)以使用第3砸接地（接地電阻值腐100Ω以下），而且必須罩黏接地。若希望易速輿械之周腐紀(jì)緣狀懲畸，請(qǐng)將連接地。*伺服距勤器的輸出端不要加裝電容器，或遇（突波）吸收器及雅訊濾波器。*裝在控制輸出信號(hào)的DC繼電器，其遏（突波）吸收用的二梗溜的方向要速接正硫，否則食造成故障，因而雜法輸出信猶，也可能影馨緊急停止的保渡迎路不座生作用。*腐了防止雍部造成的錯(cuò)溪勤作，請(qǐng)?zhí)较铝械耐茫赫?qǐng)?jiān)陔娫瓷霞尤虢?jīng)緣雯愿器及雅亂濾波器等裝置。請(qǐng)將勤力緣（雷源象、焉連緣等的蘊(yùn)雷回路）奧信蔬緣相距30公分以上來(lái)配練，不要放置在同一配緣管內(nèi)。
標(biāo)簽： tsda
上傳時(shí)間： 2022-05-28
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rC-BUs接口實(shí)時(shí)時(shí)鐘RX-8025 SA/NB內(nèi)置高精度頻率調(diào)整的32768kHz水晶振子（Ta=+25℃時(shí)±5×106）對(duì)應(yīng)rc-BUS高速模式（400kHz）時(shí)計(jì)（時(shí)、分、秒）、日歷（年、月、日、星期）的計(jì)數(shù)功能（BCD代碼）可選擇12/24時(shí)間制自動(dòng)判別至2099年的間年·內(nèi)置高精度時(shí)計(jì)精度調(diào)整電路·對(duì)CPU的發(fā)生中斷功能（周期1個(gè)月~0.5秒、具有中斷請(qǐng)求、中斷停止功能）·2個(gè)系統(tǒng)的鬧鐘功能（Alam-w：星期、時(shí)、分、Alarm_D：時(shí)、分）.32 768kHz時(shí)鐘輸出（帶控制引腳的CMOS輸出）對(duì)內(nèi)部數(shù)據(jù)進(jìn)行有效無(wú)效判定的振動(dòng)停止檢測(cè)功能電源電壓監(jiān)視功能（可選擇檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)電壓）1.15V~55V的寬幅計(jì)時(shí)（保持）電壓范圍1.7v~5.5V的寬幅接口電壓范圍低消耗電流 0.48uA/3.0V（Typ）1.概要本模塊是內(nèi)置高精度調(diào)整的32 768kHz水晶振子的1c總線接口方式的實(shí)時(shí)計(jì)時(shí)器。除了具有6種發(fā)生中斷功能、2個(gè)系統(tǒng)的鬧鐘功能、對(duì)內(nèi)部數(shù)據(jù)進(jìn)行有效無(wú)效判定的振動(dòng)停止檢測(cè)功能、電源電壓監(jiān)視功能等外，還配有時(shí)鐘精度調(diào)整功能，可以對(duì)時(shí)鐘進(jìn)行任意精度調(diào)整。內(nèi)部振蕩回路是以固定電壓驅(qū)動(dòng)，因而可獲得受電壓變動(dòng)影響小且穩(wěn)定的3276skHz時(shí)鐘輸本產(chǎn)品功能多樣，采用表貼封裝形式，最適用于各種手機(jī)、攜帶終端及其他小型電子機(jī)器等。
標(biāo)簽： rx8025
上傳時(shí)間： 2022-06-18
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說(shuō)明：1，測(cè)試交流電源（Test AC Power Supply）：A.中國(guó)（China）：AC 220V+/-2%50Hz+/-2%B.美國(guó)（United States of America）：AC 120V+/-2%60Hz+/-2%。C.英國(guó)（Britain）：AC 240V+/-2%50Hz+/-2%D.歐洲（Europe）：AC 230V+/-2%50Hz+/-2%E.日本（Japan）：AC 100V+/-2%60Hz+/-2%F.墨西哥（Mexico）：AC 127V+/-2%60Hz+/-2%2，測(cè)試溫度條件（Test Temperature Conditions）：25℃+/-2℃。3，測(cè)試以右聲道為準(zhǔn)（Standard Test Use Right Channell）4，信號(hào)由AUX插座輸入（Signal From AUX Jack Input）。5，測(cè)試以音量最大，音調(diào)和平衡在中央位置（電子音調(diào)在正常狀態(tài)）。（Test Volume Setup Max，Equalizer And Balance Setup Center）。6，標(biāo)準(zhǔn)輸出（Standard Output）：A.輸入1 KHz頻率信號(hào)（Input 1 KHz Frequency Signal）B.左右聲道輸入信號(hào)測(cè)試右聲道（L&R Input Signal Test Use R Channel）C.額定輸出功率満（Rating Output Power Full）10 W，標(biāo)準(zhǔn)輸出定為1w.（Rating Output Power Full 10 w，Standard Output Setup 1 W）D.額定輸出功率1W到10w，標(biāo)準(zhǔn)輸出定為500 mW（Rating Output Power 1 W To 10 W，Standard Output Setup 500 mW）E.額定輸出功率小于1w，標(biāo)準(zhǔn)輸出定為50 mW（Rating Output Power Not Full 1 W，Standard Output Setup 50 mW）F.標(biāo)準(zhǔn)輸出電壓以V-VPR為準(zhǔn)（Standard Output Voltage Use V-V/PR）。G.V-V/PR中P為額定輸出功率，R為喇叭標(biāo)稱阻抗。
標(biāo)簽： 音響功放
上傳時(shí)間： 2022-06-18
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ax88179千兆網(wǎng)卡芯片手冊(cè)，usb3.0 rj45網(wǎng)卡
標(biāo)簽： usb 千兆網(wǎng)卡
上傳時(shí)間： 2022-06-18
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le flows through MOS channel while Ih flows across PNP transistor Ih= a/(1-a) le, IE-le+lh=1/(1-a)' le Since IGBT has a long base PNP, a is mainly determined by ar si0 2ar= 1/cosh(1/La), La: ambipolar diff length a-0.5 (typical value)p MOSFET channel current (saturation), le=U"Cox"W(2"Lch)"(Vc-Vth)le Thus, saturated collector current Ic, sat=1/(1-a)"le=-1/(1-a)"UCox"W/(2Lch)"(Vo-Vth)2Also, transconductance gm, gm= 1/(1-a)"u' Cox W/Lch*(Vo-Vth)Turn-On1. Inversion layer is formed when Vge>Vth2. Apply positive collector bias, +Vce3. Electrons flow from N+ emitter to N-drift layer providing the base current for the PNP transistor4. Since J1 is forward blased, hole carriers are injected from the collector (acts as an emitter).5. Injected hole carriers exceed the doping level of N-drift region (conductivity modulation). Turn-Off1. Remove gate bias (discharge gate)2. Cut off electron current (base current, le, of pnp transistor)
標(biāo)簽： igbt
上傳時(shí)間： 2022-06-20
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