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線性逼近表

透過MOSFET電壓電流最佳化控制傳導(dǎo)性及輻射性EMI

經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個(gè)跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們?nèi)绾螌?duì)EMI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個(gè)有著單組輸出+12V/4.1A及初級(jí)側(cè)MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉(zhuǎn)接器(adapter)來做傳導(dǎo)性及輻射性EMI測(cè)試。

標(biāo)簽： MOSFET EMI 電壓電流控制

上傳時(shí)間： 2014-09-08

上傳用戶：swing
基于10 kV高壓電能表的變損和線損測(cè)試

文中針對(duì)傳統(tǒng)10 kV高壓計(jì)量中電能表與電流互感器選擇不當(dāng)導(dǎo)致的計(jì)量誤差增大，在總結(jié)現(xiàn)有10 kV計(jì)量裝置及技術(shù)、分析電能表與互感器對(duì)整體誤差的影響基礎(chǔ)上，提出了一種基于10 kV高壓電能表的變損和線損測(cè)試方法。該方法利用了高壓電能表的計(jì)量特性，可以準(zhǔn)確地對(duì)10 kV高壓線路上變損和線損進(jìn)行測(cè)試，為電流互感器和電能表的合理選取提供技術(shù)支持，有效確保了計(jì)量的準(zhǔn)確性。

標(biāo)簽： 電能表線損測(cè)試

上傳時(shí)間： 2013-10-15

上傳用戶：xianglee
AWG_線徑規(guī)格速查表

AWG_線徑規(guī)格速查表。

標(biāo)簽： AWG 線徑規(guī)格速查

上傳時(shí)間： 2013-11-18

上傳用戶：luopoguixiong
萬用表設(shè)計(jì)

萬用表的制作

標(biāo)簽： 萬用表

上傳時(shí)間： 2013-11-25

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萬芯元件常用替換表

萬芯元件常用MOSFET AOS替換表

標(biāo)簽： 萬芯元件

上傳時(shí)間： 2013-11-01

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電能表專用6KVAC高隔離防靜電DC~DC電源模塊

電能表專用6kvac高隔離防靜電dc/dc電源模塊的詳細(xì)介紹　wrh 電力儀表專用6kvac高隔離防靜電系列模塊電源，具有輸出穩(wěn)壓自恢復(fù)過載短路保護(hù)及8kv抗靜電保護(hù)功能。輸入電壓　　　　　　　　　　 5, 12, 15, 24 vdc 輸出電壓　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 3.3, 5, 9, 12, 15 ,18v, 24 vdc 如需其它規(guī)格,請(qǐng)咨詢順源科技公司電氣特性以下數(shù)據(jù)除特殊說明外,均是在ta=25° c, 標(biāo)稱輸入電壓, 額定輸出電流時(shí)測(cè)得. 輸入特性電壓范圍　　　　　　　　　　　　　　　+/- 5% 濾波　　　　　　　　　　　　　　　　陶瓷電容隔離特性額定電壓　　　　　　　　　　　　　　　6000 vac 泄漏電流　　　　　　　　　　　　　　　1 ma 電阻　　　　　　　　　　　　　　　　 109　ohm

標(biāo)簽： 6KVAC DC 電能表電源模塊

上傳時(shí)間： 2013-10-23

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數(shù)字萬用表測(cè)三極管

用數(shù)字萬用表測(cè)三極管的類型及引腳

標(biāo)簽： 數(shù)字萬用表三極管

上傳時(shí)間： 2013-10-26

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0603電阻代碼表

0603電阻代碼表

標(biāo)簽： 0603 電阻代碼

上傳時(shí)間： 2013-10-21

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AWG線號(hào)表

AWG線號(hào)表

標(biāo)簽： AWG

上傳時(shí)間： 2013-11-14

上傳用戶：yy_cn
基于MSP430F448單片機(jī)的交流數(shù)字電壓表設(shè)計(jì)

描述了一種簡易的交流數(shù)字電壓表的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。系統(tǒng)以MSP430F448為核心，該單片機(jī)內(nèi)部集成了12位的A/D轉(zhuǎn)換器，轉(zhuǎn)換器帶有內(nèi)部參考源、采樣保持、自動(dòng)掃描特性，極大地簡化了硬件設(shè)計(jì)。

標(biāo)簽： 430F F448 MSP 430

上傳時(shí)間： 2014-12-22

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