<ul id="smeum"></ul> 結(jié)合坐標(biāo)采集和處理在新型激光光幕靶中的應(yīng)用，針對(duì)傳統(tǒng)激光光幕靶處理器I/O緊缺、處理速度慢、存在錯(cuò)報(bào)、漏報(bào)，無(wú)法測(cè)試子彈連發(fā)坐標(biāo)等問(wèn)題，提出了一種以FPGA為核心的坐標(biāo)采集和處理系統(tǒng)的設(shè)計(jì)方法。設(shè)計(jì)中采用了自頂向下的設(shè)計(jì)方法，將該系統(tǒng)依據(jù)邏輯功能劃分為3個(gè)模塊，并在ISE 14.1和Modelsim中進(jìn)行設(shè)計(jì)、編譯、仿真，最后的仿真結(jié)果表明該系統(tǒng)能夠很好地采集到子彈的坐標(biāo)。
標(biāo)簽： FPGA 激光光幕靶 中的應(yīng)用
上傳時(shí)間： 2013-10-20
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Allegro制作光繪文件
上傳時(shí)間： 2013-11-06
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半導(dǎo)體的產(chǎn)品很多，應(yīng)用的場(chǎng)合非常廣泛，圖一是常見(jiàn)的幾種半導(dǎo)體元件外型。半導(dǎo)體元件一般是以接腳形式或外型來(lái)劃分類(lèi)別，圖一中不同類(lèi)別的英文縮寫(xiě)名稱(chēng)原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 雖然半導(dǎo)體元件的外型種類(lèi)很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。 從半導(dǎo)體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導(dǎo)體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內(nèi)一片非常小的晶片，透過(guò)伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內(nèi)部的晶片，圖三是以顯微鏡將內(nèi)部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請(qǐng)注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當(dāng)引發(fā)過(guò)電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。 圖四是常見(jiàn)的LED，也就是發(fā)光二極體，其內(nèi)部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來(lái)做分別，晶片是貼附在負(fù)極的腳上，經(jīng)由銲線連接正極的腳。當(dāng)LED通過(guò)正向電流時(shí)，晶片會(huì)發(fā)光而使LED發(fā)亮，如圖六所示。 半導(dǎo)體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱(chēng)為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產(chǎn)品，稱(chēng)為IC封裝製程，又可細(xì)分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節(jié)中將簡(jiǎn)介這兩段的製造程序。
上傳時(shí)間： 2013-11-04
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針對(duì)野戰(zhàn)光纖光路損耗介紹一種精密光功率測(cè)量方法，分析了+,-光電接收元件的+%,（光功率%光電流）特性，并建立了實(shí)際模型&設(shè)計(jì)的裝置測(cè)量范圍為%#)!)./（光功率的相對(duì)衰減值），經(jīng)實(shí)踐檢驗(yàn)具有較好 的精度.
上傳時(shí)間： 2013-11-20
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本文介紹了采用光連續(xù)波反射法(OCWR) 技術(shù)的光回波損耗測(cè)試儀的校準(zhǔn)內(nèi)容和校準(zhǔn)方法。校準(zhǔn)內(nèi)容包括內(nèi)部光源的校準(zhǔn)、光功率計(jì)的校準(zhǔn)、回波損耗校準(zhǔn)件的校準(zhǔn)、回波損耗測(cè)量準(zhǔn)確度的校準(zhǔn)等諸多方面,著重介紹了校準(zhǔn)回波損耗測(cè)量準(zhǔn)確度的校準(zhǔn)方法- 光回波損耗無(wú)源模擬法和有源模擬法,并介紹了無(wú)源模擬法和有源模擬法所使用的標(biāo)準(zhǔn)儀器和計(jì)算公式以及不確定度評(píng)定。經(jīng)對(duì)多臺(tái)光回波損耗測(cè)試儀的校準(zhǔn),表明本校準(zhǔn)方法準(zhǔn)確可行,滿足了客戶的需求。
上傳時(shí)間： 2015-01-03
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潮光內(nèi)部整理資料
上傳時(shí)間： 2013-10-28
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潮光整理資料：過(guò)零雙向可控硅光耦應(yīng)用原理
上傳時(shí)間： 2013-11-10
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開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用光耦應(yīng)用方案
標(biāo)簽： 開(kāi)關(guān) 光耦 電源應(yīng)用
上傳時(shí)間： 2013-11-03
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TLP265J，TLP266J是東芝新推出的2款4pin SO6封裝的雙向可控硅輸出光耦，它們的耐壓能力能達(dá)到600V，它旨在取代以前采用4pin MFSOP6封裝的TLP260J和TLP261J，因?yàn)镸FSOP6封裝的爬電距離較小，使其的隔離電壓只能達(dá)到BVS=3000 Vrms ，這使得東芝的這系列產(chǎn)品在與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的產(chǎn)品對(duì)比中處于劣勢(shì)，因?yàn)槟壳癝OP封裝的光耦隔離電壓普遍能達(dá)到BVS=3750 Vrms 。而東芝新推出的TLP265J，TLP266J也能達(dá)到這個(gè)隔離能力。
上傳時(shí)間： 2013-10-22
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小封裝四通道交流光耦電路應(yīng)用及功能介紹
上傳時(shí)間： 2015-01-03
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