IGBT關(guān)斷電壓尖峰是其中的主要問(wèn)題，解決它的最有效方法是采用疊層母線連接器件。針對(duì)二極管籍位型三電平拓?fù)鋬蓚€(gè)基本強(qiáng)追換流回路，本文用ANSOFT Q3D軟件比較研究了三類適用于多層母線排的疊層方案，并提出了一種新穎的疊層母線分組連接結(jié)構(gòu)，結(jié)合特殊設(shè)計(jì)的吸收電容布局，減小了各IGBT模塊的關(guān)斷過(guò)沖，省去阻容吸收電路，并優(yōu)化了高頻電流在不同電容間的分布，抑制電解電容發(fā)熱。通過(guò)理論計(jì)算與仿真兩種方式計(jì)算該設(shè)計(jì)方案的雜散電感，并用實(shí)驗(yàn)加以證實(shí)。本文還設(shè)計(jì)了大面積一體化水冷散熱器，表面可以貼裝15個(gè)功率器件和若干傳感器和平衡電阻，采用水冷方式以迅速帶走滿載運(yùn)行時(shí)開(kāi)關(guān)器件的損耗發(fā)熱，并能達(dá)到結(jié)構(gòu)緊湊和防爆的效果。在散熱器內(nèi)部設(shè)計(jì)了細(xì)槽水道結(jié)構(gòu)以避開(kāi)100多個(gè)定位螺孔，同時(shí)可以獲得更大的熱交換面積。本文分析了SCALE驅(qū)動(dòng)芯片的兩類器件級(jí)短路保護(hù)原理，并設(shè)計(jì)了針對(duì)兩類保護(hù)動(dòng)作的閾值測(cè)試實(shí)驗(yàn)，以確保每個(gè)器件在安全范圍內(nèi)工作；設(shè)計(jì)了系統(tǒng)控制和三類系統(tǒng)級(jí)保護(hù)電路：驅(qū)動(dòng)板和控制板的布局布線經(jīng)過(guò)合理安排能在較強(qiáng)的電磁干擾下正常工作。論文最后，在電抗器、電阻器、異步感應(yīng)電機(jī)等不同類型、各功率等級(jí)負(fù)載下，對(duì)變流模塊進(jìn)行了測(cè)試，并解決了直流中點(diǎn)電壓平衡問(wèn)題。各實(shí)驗(yàn)證實(shí)了設(shè)計(jì)理論并體現(xiàn)了良好的應(yīng)用效果。
上傳時(shí)間： 2022-06-22
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本論文所涉及的電源管理方案來(lái)源于與臺(tái)灣某上市公司的橫向合作項(xiàng)目，在電源管理產(chǎn)品朝著低功耗、高效率和智能化方向發(fā)展的形勢(shì)下，論文采用了一種開(kāi)關(guān)電源與低壓降（LDO）線性電壓調(diào)節(jié)器結(jié)合應(yīng)用的集成方案，即將LDO作為升壓型電源管理芯片的內(nèi)部供電模塊。按照方案的要求，本文設(shè)計(jì)了一種含緩沖級(jí)的低壓降線性電壓調(diào)節(jié)器。設(shè)計(jì)采用0.6um 30V BCD工藝，實(shí)現(xiàn)LDO的輸入電壓范圍為6-13V：滿足在-25-85℃的工作溫度范圍內(nèi)，輸出電壓為5V：在典型負(fù)載電流（12.5mA）下，LDO的壓降電壓為120mv.文章首先闡述了整個(gè)方案的工作原理，給出LDO設(shè)計(jì)的指標(biāo)要求；其次，依據(jù)系統(tǒng)方案的指標(biāo)要求和制造工藝約束，實(shí)現(xiàn)包含誤差放大器、基準(zhǔn)源和保護(hù)電路等子模塊在內(nèi)的電壓調(diào)整器：此外，文章還著重探討了“如何利用放大器驅(qū)動(dòng)100pF數(shù)量級(jí)的大電容負(fù)載”的問(wèn)題：最后，給出整個(gè)模塊總體電路的仿真驗(yàn)證結(jié)果。LDO的架構(gòu)分析和設(shè)計(jì)以及基準(zhǔn)源的設(shè)計(jì)是本文的核心內(nèi)容。在LDO架構(gòu)設(shè)計(jì)部分，文章基于對(duì)三種不同LDO拓?fù)涞姆治觯x擇并實(shí)現(xiàn)了含緩沖器級(jí)的LDO.設(shè)計(jì)中通過(guò)改進(jìn)反饋網(wǎng)絡(luò)，采用反饋電容，實(shí)現(xiàn)對(duì)LDO的環(huán)路補(bǔ)償。同時(shí)，為提高誤差放大器驅(qū)動(dòng)功率管的能力、適應(yīng)LDO低功耗發(fā)展的需求，文章探討了如何使用放大器驅(qū)動(dòng)大負(fù)載電容的問(wèn)題。基于密勒定理和根軌跡原理，本文通過(guò)研究密勒電容的作用，采用MPC（Miller-Path-Compensation）結(jié)構(gòu)，實(shí)踐了兩級(jí)放大器驅(qū)動(dòng)大負(fù)載電容的方案，并把MPC補(bǔ)償技術(shù)推廣到三級(jí)放大器的設(shè)計(jì)中。
上傳時(shí)間： 2022-06-22
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本論文以西安電子科技大學(xué)電路CAD所的科研項(xiàng)目“電源管理類集成電路關(guān)鍵技術(shù)理論研究與設(shè)計(jì)”為背景，設(shè)計(jì)了一款高性能降壓型DC-DC和LDO雙路輸出控制器XD8912.論文首先對(duì)電源管理技術(shù)的現(xiàn)狀以及發(fā)展趨勢(shì)作了介紹；隨后分析了線性穩(wěn)壓器及開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器的基本結(jié)構(gòu)和工作原理，并對(duì)電壓模降壓型PWM DC-DC的原理及其環(huán)路穩(wěn)定性做了深入的研究；最后詳細(xì)介紹了XD8912的設(shè)計(jì)過(guò)程，包括芯片性能系統(tǒng)規(guī)劃、特性分析、電路實(shí)現(xiàn)以及仿真驗(yàn)證。XD8912不僅集成了大電流、高效率的電壓模降壓型PWM控制器，而且也集成了小電流、低噪聲的線性穩(wěn)壓控制器，可以為高性能顯卡、主板等設(shè)備供電。芯片采用同步整流技術(shù)，避免了肖特基二極管的使用，大大提高了芯片的工作效率。芯片內(nèi)部設(shè)計(jì)了微調(diào)電路提高了電壓基準(zhǔn)的精度。設(shè)計(jì)了內(nèi)部頻率補(bǔ)償電路取代芯片外部的補(bǔ)償電容，有效提高了芯片的集成度。另外，芯片還集成了完備的保護(hù)電路，包括過(guò)溫保護(hù)、欠壓保護(hù)、過(guò)流保護(hù)等.文中對(duì)XD8912的系統(tǒng)及主要功能模塊進(jìn)行了詳細(xì)的分析，并基于0.6um BCD工藝，利用Viewdraw，Hspice等EDA軟件，完成了電路的設(shè)計(jì)和前仿真驗(yàn)證仿真結(jié)果表明，電路功能和性能指標(biāo)均已達(dá)到設(shè)計(jì)要求。
上傳時(shí)間： 2022-06-23
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CCD（電荷耦合器件）的基本功能是將光學(xué)圖像信號(hào)轉(zhuǎn)變成一維以時(shí)間為變量的電壓信號(hào)，廣泛的應(yīng)用于元件尺寸測(cè)量以及位置檢測(cè)系統(tǒng)中。本課題背景是利用CCD檢測(cè)帶材邊緣的位置信息，為后續(xù)的控制系統(tǒng)提供數(shù)據(jù)。在帶鋼軋制現(xiàn)場(chǎng)，光照強(qiáng)度浮動(dòng)因數(shù)很多：例如，光源受污染；給光源供電的電壓波動(dòng)等都會(huì)造成光照條件的改變，影響測(cè)量的準(zhǔn)確性，不利于提高系統(tǒng)的信噪比l。為了提高系統(tǒng)的測(cè)量精度和抗干擾性，需要實(shí)時(shí)改變CCD的光積分時(shí)間以補(bǔ)償現(xiàn)場(chǎng)環(huán)境的影響。本文以TCD1501D型CCD芯片為例，分析了芯片的工作過(guò)程和驅(qū)動(dòng)芯片的各個(gè)信號(hào)的要求，闡述了CCD驅(qū)動(dòng)電路自適應(yīng)的實(shí)現(xiàn)，最后給出了系統(tǒng)仿真結(jié)果。1TCD1501D型CCD的工作原理和驅(qū)動(dòng)時(shí)序的產(chǎn)生1.1TCD1501D芯片的介紹TCDI501D4是一種高靈敏度、低暗電流、5000像元且內(nèi)置采樣保持電路的線陣CCD圖像傳感器。
標(biāo)簽： cpld tcd1501d ccd 驅(qū)動(dòng)電路
上傳時(shí)間： 2022-06-23
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本文在介紹了氮化嫁材料的基本結(jié)構(gòu)特征及物理化學(xué)特性之后，從氮化擦的外延結(jié)構(gòu)的屬性和氮化擦基高性能芯片設(shè)計(jì)兩個(gè)方面對(duì)氮化家材料和器件結(jié)構(gòu)展開(kāi)了討論。其中材料屬性部分，介紹了透射電子顯微鏡的工作原理及其主要應(yīng)用范圍，然后根據(jù)實(shí)驗(yàn)分析了TEM圖片，包括GaN多量子阱，重點(diǎn)分析了V型缺陷和塊狀缺陷的高分辨圖形，分析了他們對(duì)材料屬性的影響。然后分析了多種氮化擦樣品的光致發(fā)光譜和電致發(fā)光譜，并解釋其光譜藍(lán)移和紅移現(xiàn)象。在屬性部分最后介紹了基于密度泛函理論和第一性原理的CASTEP程序及其在分析GaN材料屬性上的應(yīng)用。在芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)部分，本文提出了三種高效率LED芯片的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，分別是基于雙光子晶體的LED芯片，基于微球模型的LED芯片，基于激光剝離襯底的大功率LED芯片。涉及到光子晶體理論，蒙特卡羅理論及激光剝離理論，本文分別介紹和分析了各類理論基礎(chǔ)，并在此基礎(chǔ)上提出新的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，給出仿真分析結(jié)果。雙光子晶體可以提供較完善的反射層，出射層。微球LED可以利用大尺寸表面結(jié)構(gòu)來(lái)大大提高LED芯片的外量子效率。基于激光剝離襯底的大功率LED可以實(shí)現(xiàn)較好散熱效果和功率。
標(biāo)簽： led
上傳時(shí)間： 2022-06-25
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視頻圖像格式轉(zhuǎn)換芯片的算法研究
標(biāo)簽： 視頻圖像 格式轉(zhuǎn)換 芯片 算法研究
上傳時(shí)間： 2013-05-25
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Protool組態(tài)圖型顯示中文手冊(cè)
上傳時(shí)間： 2013-06-10
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無(wú)線發(fā)射與接收芯片ia4221的中文資料
標(biāo)簽： 4221 ia 無(wú)線發(fā)射 接收芯片
上傳時(shí)間： 2013-04-15
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光電耦合芯片資料 pdf
上傳時(shí)間： 2013-08-03
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芯片資料
標(biāo)簽： 芯片資料
上傳時(shí)間： 2013-04-15
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