帶您從零學(xué)51單片機(jī)之LED部分 單片機(jī)驅(qū)動(dòng)LED1 LED應(yīng)用2 LED限流電阻計(jì)算3 LED流水燈程序設(shè)計(jì)4 74HC573鎖存應(yīng)用5 KEIL精確延時(shí)計(jì)算
上傳時(shí)間： 2013-10-29
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帶您從零學(xué)單片機(jī)之中斷部分部分 課程簡(jiǎn)介1 51單片機(jī)中斷2 中斷簡(jiǎn)介3 中斷相關(guān)寄存器功能講解4 中斷優(yōu)先級(jí)講解5 中斷應(yīng)用操作流程6 中斷程序?qū)嵗O(shè)計(jì)17 課后作業(yè)
上傳時(shí)間： 2013-10-10
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帶您從零學(xué)單片機(jī)之定時(shí)器部分 課程簡(jiǎn)介1定時(shí)器/計(jì)數(shù)器簡(jiǎn)介2定時(shí)器/計(jì)數(shù)器特殊功能寄存器功能講解3 定時(shí)器/計(jì)數(shù)器工作方式4定時(shí)器/計(jì)數(shù)器相關(guān)計(jì)算5定時(shí)器計(jì)數(shù)器應(yīng)用操作流程6定時(shí)器/計(jì)數(shù)器程序?qū)嵗O(shè)計(jì)17定時(shí)器/計(jì)數(shù)器程序?qū)嵗O(shè)計(jì)28課后作業(yè)
上傳時(shí)間： 2013-11-08
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帶您從零學(xué)單片機(jī)之串口通信 串口應(yīng)用簡(jiǎn)介51的單片機(jī)除了定時(shí)器/計(jì)數(shù)器和中斷外.還擁有串行通信接口.有了這個(gè)接口我們可以用它和電腦通信.我們可以利用串口向電腦發(fā)送數(shù)據(jù),也可以用串口接收電腦的數(shù)據(jù).有了這個(gè)接口我們可以利用它來設(shè)計(jì)很多東西,數(shù)據(jù)采集,多機(jī)通信,遠(yuǎn)程控制等等. 串行通信是將一組數(shù)據(jù)分成一位位的方式在數(shù)據(jù)線上傳送.串行通信的優(yōu)點(diǎn):占用IO口少.遠(yuǎn)距離傳輸時(shí)候成本低.串行通信的缺點(diǎn):相對(duì)并行通信傳輸速度慢,傳輸方式比較復(fù)雜.DS1302 ADC0832等等都是串行傳輸數(shù)據(jù).
上傳時(shí)間： 2013-10-27
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單片機(jī)鍵盤掃描之狀態(tài)機(jī)實(shí)現(xiàn):在編寫單片機(jī)程序的過程中，鍵盤作為一種人機(jī)接口的實(shí)現(xiàn)方式，是很常用的。而一般的實(shí)現(xiàn)方法大概有：1、外接鍵盤掃描芯片（例如8279，7279 等等），然后由該芯片來完成去抖、鍵值讀取、中斷請(qǐng)求等功能。然后單片機(jī)響應(yīng)中斷并讀取鍵值，有的時(shí)候也可以采用輪訓(xùn)的方式。2、如果按鍵數(shù)比較少，那么可以直接將按鍵接到單片機(jī)的IO 口，然后各按鍵取邏輯或再送到單片機(jī)的中斷管腳（對(duì)于51 體系），單片機(jī)響應(yīng)中斷后再去讀取IO 口的數(shù)據(jù)。如果單片機(jī)的中斷向量比較多（例如AVR 系列的單片機(jī)，每個(gè)IO都可以作為中斷），那么也可以直接把各個(gè)按鍵接到各個(gè)具有中斷功能的IO 上面。在中斷處理程序中往往需要執(zhí)行這樣一個(gè)操作序列：延時(shí)一定時(shí)間來去抖，如果按鍵有效那么等待按鍵釋放。
標(biāo)簽： 單片機(jī) 鍵盤掃描 狀態(tài)
上傳時(shí)間： 2014-12-28
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P C B 可測(cè)性設(shè)計(jì)布線規(guī)則之建議― ― 從源頭改善可測(cè)率PCB 設(shè)計(jì)除需考慮功能性與安全性等要求外，亦需考慮可生產(chǎn)與可測(cè)試。這里提供可測(cè)性設(shè)計(jì)建議供設(shè)計(jì)布線工程師參考。1. 每一個(gè)銅箔電路支點(diǎn)，至少需要一個(gè)可測(cè)試點(diǎn)。如無對(duì)應(yīng)的測(cè)試點(diǎn)，將可導(dǎo)致與之相關(guān)的開短路不可檢出，并且與之相連的零件會(huì)因無測(cè)試點(diǎn)而不可測(cè)。2. 雙面治具會(huì)增加制作成本，且上針板的測(cè)試針定位準(zhǔn)確度差。所以Layout 時(shí)應(yīng)通過Via Hole 盡可能將測(cè)試點(diǎn)放置于同一面。這樣就只要做單面治具即可。3. 測(cè)試選點(diǎn)優(yōu)先級(jí)：A.測(cè)墊(Test Pad) B.通孔(Through Hole) C.零件腳(Component Lead) D.貫穿孔(Via Hole)(未Mask)。而對(duì)于零件腳，應(yīng)以AI 零件腳及其它較細(xì)較短腳為優(yōu)先，較粗或較長的引腳接觸性誤判多。4. PCB 厚度至少要62mil(1.35mm)，厚度少于此值之PCB 容易板彎變形，影響測(cè)點(diǎn)精準(zhǔn)度，制作治具需特殊處理。5. 避免將測(cè)點(diǎn)置于SMT 之PAD 上，因SMT 零件會(huì)偏移，故不可靠，且易傷及零件。6. 避免使用過長零件腳(>170mil(4.3mm))或過大的孔(直徑>1.5mm)為測(cè)點(diǎn)。7. 對(duì)于電池(Battery)最好預(yù)留Jumper，在ICT 測(cè)試時(shí)能有效隔離電池的影響。8. 定位孔要求：(a) 定位孔(Tooling Hole)直徑最好為125mil(3.175mm)及其以上。(b) 每一片PCB 須有2 個(gè)定位孔和一個(gè)防呆孔(也可說成定位孔,用以預(yù)防將PCB反放而導(dǎo)致機(jī)器壓破板)，且孔內(nèi)不能沾錫。(c) 選擇以對(duì)角線，距離最遠(yuǎn)之2 孔為定位孔。(d) 各定位孔(含防呆孔)不應(yīng)設(shè)計(jì)成中心對(duì)稱,即PCB 旋轉(zhuǎn)180 度角后仍能放入PCB,這樣,作業(yè)員易于反放而致機(jī)器壓破板)9. 測(cè)試點(diǎn)要求：(e) 兩測(cè)點(diǎn)或測(cè)點(diǎn)與預(yù)鉆孔之中心距不得小于50mil(1.27mm)，否則有一測(cè)點(diǎn)無法植針。以大于100mil(2.54mm)為佳，其次是75mil(1.905mm)。(f) 測(cè)點(diǎn)應(yīng)離其附近零件(位于同一面者)至少100mil，如為高于3mm 零件，則應(yīng)至少間距120mil，方便治具制作。(g) 測(cè)點(diǎn)應(yīng)平均分布于PCB 表面，避免局部密度過高，影響治具測(cè)試時(shí)測(cè)試針壓力平衡。(h) 測(cè)點(diǎn)直徑最好能不小于35mil(0.9mm)，如在上針板，則最好不小于40mil(1.00mm)，圓形、正方形均可。小于0.030”(30mil)之測(cè)點(diǎn)需額外加工，以導(dǎo)正目標(biāo)。(i) 測(cè)點(diǎn)的Pad 及Via 不應(yīng)有防焊漆(Solder Mask)。(j) 測(cè)點(diǎn)應(yīng)離板邊或折邊至少100mil。(k) 錫點(diǎn)被實(shí)踐證實(shí)是最好的測(cè)試探針接觸點(diǎn)。因?yàn)殄a的氧化物較輕且容易刺穿。以錫點(diǎn)作測(cè)試點(diǎn)，因接觸不良導(dǎo)致誤判的機(jī)會(huì)極少且可延長探針使用壽命。錫點(diǎn)尤其以PCB 光板制作時(shí)的噴錫點(diǎn)最佳。PCB 裸銅測(cè)點(diǎn)，高溫后已氧化，且其硬度高，所以探針接觸電阻變化而致測(cè)試誤判率很高。如果裸銅測(cè)點(diǎn)在SMT 時(shí)加上錫膏再經(jīng)回流焊固化為錫點(diǎn)，雖可大幅改善，但因助焊劑或吃錫不完全的緣故，仍會(huì)出現(xiàn)較多的接觸誤判。
標(biāo)簽： PCB 可測(cè)性設(shè)計(jì) 布線規(guī)則
上傳時(shí)間： 2014-01-14
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微控制器( MCU) 破解秘笈之中文有刪節(jié)版 前言2/71 摘要5/71 除外責(zé)任5/71 第一章 簡(jiǎn)介 6/71 第二章 背景知識(shí) 7/71 2.1 硅芯片安全措施的演變 7/71 2.2 存儲(chǔ)器的種類14/71 2.3 安全保護(hù)的類型 15/71 第三章 破解技術(shù) 18/71 3.1 簡(jiǎn)介 18/71 3.1.1 保護(hù)等級(jí)18/71 3.1.2 攻擊種類19/71 3.1.3 攻擊過程20/71 3.2 非侵入式攻擊 20/71 3.3 侵入式攻擊21/71 3.4 半侵入式攻擊 22/71 第四章 非侵入式攻擊23/71 4.1 含糊與安全23/71 4.2 時(shí)序攻擊24/71 4.3 窮舉攻擊24/71 4.4 功耗分析25/71 4.5 噪聲攻擊28/71 4.5.1 時(shí)鐘噪聲攻擊 29/71 4.5.2 電源噪聲攻擊 30/71 4.6 數(shù)據(jù)保持能力分析 30/71 4.6.1 低溫下SRAM的數(shù)據(jù)保持能力30/71 4.6.2 非易失存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)保持能力 33/71 第五章 侵入式攻擊 38/71 5.1 樣品的準(zhǔn)備38/71 5.1.1 打開封裝38/71 5.1.2 逆向處理40/71 5.2 反向工程 41/71 5.2.1 使用光學(xué)圖像來重建版圖41/71
上傳時(shí)間： 2013-10-23
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七天玩轉(zhuǎn)Altera：學(xué)習(xí)FPGA必經(jīng)之路包括基礎(chǔ)篇、時(shí)序篇和驗(yàn)證篇三個(gè)部分。
上傳時(shí)間： 2013-10-11
上傳用戶：woshinimiaoye
Verilog_HDL的故事_之_反應(yīng)和調(diào)試過程
標(biāo)簽： Verilog_HDL 調(diào)試過程
上傳時(shí)間： 2013-11-25
上傳用戶：yueguizhilin
Verilog_HDL的故事4_之_模塊的溝通
標(biāo)簽： Verilog_HDL 模塊 溝通
上傳時(shí)間： 2013-12-23
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