作者：何亮，劉揚(yáng)論文摘要：氮 化 鎵 (G a N )材 料 具 有 優(yōu) 異 的 物 理 特 性 ，非 常 適 合 于 制 作 高 溫 、高 速 和 大 功 率 電 子 器 件 ，具 有 十 分 廣 闊 的
市場前景 。 S i襯 底 上 G a N 基 功 率 開 關(guān) 器 件 是 目 前 的 主 流 技 術(shù) 路 線 ，其 中 結(jié) 型 柵 結(jié) 構(gòu) （p 型 柵 ）和 共 源 共 柵 級(jí) 聯(lián) 結(jié) 構(gòu)
(C asco de)的 常 關(guān) 型 器 件 已 經(jīng) 逐 步 實(shí) 現(xiàn) 產(chǎn) 業(yè) 化 ，并 在 通 用 電 源 及 光 伏 逆 變 等 領(lǐng) 域 得 到 應(yīng) 用 。但 是 鑒 于 以 上 兩 種 器 件 結(jié)
構(gòu) 存 在 的 缺 點(diǎn) ，業(yè) 界 更 加 期 待 能 更 充 分 發(fā) 揮 G a N 性能的 “ 真 ” 常 關(guān) M 0 S F E T 器件。而 GaN M 0 S F E T 器件的全面實(shí)用
化 ，仍 然 面 臨 著 在 材 料 外 延 方 面 和 器 件 穩(wěn) 定 性 方 面 的 挑 戰(zhàn) 。
標(biāo)簽：
第三代半導(dǎo)體
GaN
功率開關(guān)器件
上傳時(shí)間：
2021-12-08
上傳用戶：XuVshu
