非常經(jīng)典的二叉樹(shù)遍歷方法,賣(mài)血大放送!!不可不看
標(biāo)簽： 二叉樹(shù)
上傳時(shí)間： 2013-12-24
上傳用戶(hù)：asasasas
魔獸顯血工具，有需要的下...........
標(biāo)簽：
上傳時(shí)間： 2017-08-06
上傳用戶(hù)：Miyuki
0663、超聲波魚(yú)缸加氧器
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上傳時(shí)間： 2014-04-09
上傳用戶(hù)：zfyiaaa
用于醫(yī)用制氧機(jī)的產(chǎn)品注冊(cè)申報(bào),也可做為制氧機(jī)的說(shuō)明書(shū)內(nèi)容基礎(chǔ),有興趣的朋友和從事醫(yī)療器械產(chǎn)品開(kāi)發(fā)注冊(cè)的朋友可以下來(lái)看一下
標(biāo)簽： 醫(yī)用制氧機(jī)
上傳時(shí)間： 2022-07-08
上傳用戶(hù)：qdxqdxqdxqdx
文檔為L(zhǎng)abVIEW的模糊PID在黃酒發(fā)酵溶氧控制中的應(yīng)用總結(jié)文檔，是一份不錯(cuò)的參考資料，感興趣的可以下載看看，，，，，，，，，，，，，，，，
標(biāo)簽： labview
上傳時(shí)間： 2022-07-18
上傳用戶(hù)：20125101110
本文針對(duì)電力變壓器的電磁設(shè)計(jì)過(guò)程、優(yōu)化方法、優(yōu)化系統(tǒng)的體系結(jié)構(gòu)，以及優(yōu)化設(shè)計(jì)系統(tǒng)開(kāi)發(fā)中采用的技術(shù)和處理方法展開(kāi)了深入的討論和研究，開(kāi)發(fā)了一套干式變壓器電磁計(jì)算優(yōu)化設(shè)計(jì)系統(tǒng)。論文工作主要包括以下幾方面的內(nèi)容： (1)綜述了電力變壓器的結(jié)構(gòu)特征和傳統(tǒng)電磁設(shè)計(jì)的流程，分析了變壓器電磁設(shè)計(jì)中的設(shè)計(jì)流程、設(shè)計(jì)目標(biāo)、方案組合等重點(diǎn)問(wèn)題，研究了變壓器的評(píng)價(jià)準(zhǔn)則的選擇和計(jì)算。同時(shí)對(duì)變壓器電磁設(shè)計(jì)計(jì)算的細(xì)節(jié)做了深入分析，理清了變壓器設(shè)計(jì)中各個(gè)步驟、各個(gè)部件之間的相互關(guān)系，成功地將變壓器計(jì)算中的一些核心的計(jì)算過(guò)程程序化。 (2)深入研究和分析了目前變壓器優(yōu)化設(shè)計(jì)的研究和實(shí)踐中所采用的優(yōu)化方法，包括比較成熟的循環(huán)遍歷法和其他還處于研究階段或還有缺陷的方法，對(duì)這些算法的原理、應(yīng)用情況、優(yōu)缺點(diǎn)進(jìn)行了比較和總結(jié)。 (3)將ODBC(開(kāi)放數(shù)據(jù)庫(kù)互連)和OLE(對(duì)象鏈接和嵌入)自動(dòng)化技術(shù)引入電力變壓器的電磁優(yōu)化設(shè)計(jì)系統(tǒng)中，一改以往的設(shè)計(jì)軟件封閉的弊病，具有出色的可擴(kuò)展性，充分利用了現(xiàn)代操作系統(tǒng)環(huán)境的先進(jìn)功能。以oLE自動(dòng)化技術(shù)為基礎(chǔ)的計(jì)算單自動(dòng)生成技術(shù)，使變壓器設(shè)計(jì)軟件能夠在更大程度上協(xié)助設(shè)計(jì)人員的工作，將設(shè)計(jì)人員從簡(jiǎn)單勞動(dòng)中解脫出來(lái)，使設(shè)計(jì)軟件能夠真正成為全面的變壓器優(yōu)化設(shè)計(jì)軟件。 (4)將各種型式的敞開(kāi)式和環(huán)氧澆注干式變壓器電磁計(jì)算優(yōu)化設(shè)計(jì)整合到同一系統(tǒng)中，方便了用戶(hù)不同的設(shè)計(jì)要求，同時(shí)根據(jù)專(zhuān)家理論設(shè)計(jì)了眾多人工干預(yù)設(shè)計(jì)的環(huán)節(jié)，令本軟件更具有系統(tǒng)性、實(shí)用性、開(kāi)放性和個(gè)性。 (5)對(duì)當(dāng)前熱門(mén)的非晶合金變壓器進(jìn)行了簡(jiǎn)要介紹，并指出非晶合金變壓器的優(yōu)缺點(diǎn)，分析了其即將全面使用的趨勢(shì)。同時(shí)對(duì)非晶合金干式變壓器的優(yōu)化設(shè)計(jì)進(jìn)行了研究和探討，給下一步的工作指明了方向。
標(biāo)簽： 干式變壓器 優(yōu)化設(shè)計(jì) 電磁計(jì)算
上傳時(shí)間： 2013-05-28
上傳用戶(hù)：王慶才
有機(jī)發(fā)光顯示器件(OrganicLight-EmittingDiodes，OLEDs)作為下一代顯示器倍受關(guān)注，它具有輕、薄、高亮度、快速響應(yīng)、高清晰度、低電壓、高效率和低成本等優(yōu)點(diǎn)，完全可以媲美CRT、LCD、LED等顯示器件。作為全固化顯示器件，OLED的最大優(yōu)越性是能夠與塑料晶體管技術(shù)相結(jié)合實(shí)現(xiàn)柔性顯示，應(yīng)用前景非常誘人。OLED如此眾多的優(yōu)點(diǎn)和廣闊的商業(yè)前景，吸引了全球眾多研究機(jī)構(gòu)和企業(yè)參與其研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。然而，OLED也存在一些問(wèn)題，特別是在發(fā)光機(jī)理、穩(wěn)定性和壽命等方面還需要進(jìn)一步的研究。要達(dá)到這些目標(biāo)，除了器件的材料，結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)外，封裝也十分重要。 本論文的主要工作是利用現(xiàn)有的材料，從綠光OLED器件制作工藝、發(fā)光機(jī)理，結(jié)構(gòu)和封裝入手，首先，探討了作為陽(yáng)極的ITO玻璃表面處理工藝和ITO玻璃的光刻工藝。ITO表面的清潔程度嚴(yán)重影響著光刻質(zhì)量和器件的最終性能；ITO表面經(jīng)過(guò)氧等離子處理后其表面功函數(shù)增大，明顯提高了器件的發(fā)光亮度和發(fā)光效率。 其次，針對(duì)光刻、曝光工藝技術(shù)進(jìn)行了一系列相關(guān)實(shí)驗(yàn)，在光刻工藝中，光刻膠的厚度是影響光刻質(zhì)量的一個(gè)重要因素，其厚度在1.2μm左右時(shí)，光刻效果理想。研究了OLED器件陰極隔離柱成像過(guò)程中的曝光工藝，摸索出了最佳工藝參數(shù)。 然后采用以C545T作為綠光摻雜材料制作器件結(jié)構(gòu)為ITO/CuPc(20nm)/NPB(100nm)/Alq3(80nm)：C545T(2.1％摻雜比例)/Alq3(70nm)/LiF(0.5nm)/Al(1,00nm)的綠光OLED器件。最后基于以上器件采用了兩種封裝工藝，實(shí)驗(yàn)一中，在封裝玻璃的四周涂上UV膠，放入手套箱，在氮?dú)獗Ｗo(hù)氣氛下用紫外冷光源照射1min進(jìn)行一次封裝，然后取出OLED片，在ITO玻璃和封裝玻璃接口處涂上UV膠，真空下用紫外冷光源照射1min，固化進(jìn)行二次封裝。實(shí)驗(yàn)二中，在各功能層蒸鍍完成后，又在陰極的外面蒸鍍了一層薄膜封裝層，然后再按實(shí)驗(yàn)一的方法進(jìn)行封裝。薄膜封裝層的材料分別為硒(Se)、碲(Te)、銻(Sb)。分別對(duì)兩種封裝工藝器件的電流-電壓特性、亮度-電壓特性、發(fā)光光譜及壽命等特性進(jìn)行了測(cè)試與討論。通過(guò)對(duì)比，研究發(fā)現(xiàn)增加薄膜封裝層器件的壽命比未加薄膜封裝層器件壽命都有所延長(zhǎng)，其中，Se薄膜封裝層的增加將器件的壽命延長(zhǎng)了1.4倍，Te薄膜封裝層的增加將器件的壽命延長(zhǎng)了兩倍多，Sb薄膜封裝層的增加將器件的壽命延長(zhǎng)了1.3倍，研究還發(fā)現(xiàn)薄膜封裝層基本不影響器件的電流-電壓特性、色坐標(biāo)等光電性能。最后，分別對(duì)三種薄膜封裝層材料硒(Se)、碲(Te)、銻(Sb)進(jìn)行了研究。
上傳時(shí)間： 2013-07-11
上傳用戶(hù)：liuwei6419
車(chē)輛姿態(tài)是車(chē)輛控制所需的重要參數(shù)，其測(cè)量方法、測(cè)量精度與測(cè)量系統(tǒng)的性能和成本密切相關(guān)。隨著微處理器技術(shù)與新型傳感器技術(shù)的發(fā)展，利用加速度計(jì)、磁阻傳感器和ARM微處理器構(gòu)成基于地球磁場(chǎng)和重力場(chǎng)的捷聯(lián)式姿態(tài)測(cè)量系統(tǒng)，已成為許多載體姿態(tài)測(cè)量的首選。同時(shí)姿態(tài)測(cè)量系統(tǒng)住地理勘探、石油甲臺(tái)鉆井和機(jī)器人控制方血也有著廣泛的應(yīng)用。 本文研究設(shè)計(jì)了一款基于ARM處理器的姿態(tài)測(cè)量系統(tǒng)，在保證體積、成本和實(shí)時(shí)性的前提下，完成載體姿態(tài)角的準(zhǔn)確測(cè)量。采用Honeywell公刊的3軸磁阻傳感器HMC1021/1022和ADI公司的2軸加速度計(jì)ADXL202以及S3C44BOX ARM7微處理器構(gòu)建捷聯(lián)式姿態(tài)測(cè)量系統(tǒng)。磁阻傳感器和加速度計(jì)分別感應(yīng)地球磁場(chǎng)和重力場(chǎng)信號(hào)，微處理器對(duì)檢測(cè)到的信號(hào)進(jìn)行處理和誤差補(bǔ)償后，解算出的姿念角，最后由LCD顯示或者通過(guò)串行通訊接口輸出到上位機(jī)，實(shí)現(xiàn)姿態(tài)角的實(shí)時(shí)準(zhǔn)確測(cè)量。 本文詳細(xì)介紹了基于地球磁場(chǎng)和重力場(chǎng)信號(hào)進(jìn)行姿態(tài)測(cè)量的原理，推導(dǎo)了方向角、俯仰角和橫滾角求解的數(shù)學(xué)模型。完成了姿態(tài)測(cè)量系統(tǒng)硬件電路的設(shè)計(jì)與調(diào)試，實(shí)現(xiàn)了包括：uC/OS-Ⅱ操作系統(tǒng)的移植、加速度數(shù)據(jù)采集、地球磁場(chǎng)數(shù)據(jù)采集和姿態(tài)角解算等系統(tǒng)軟件的設(shè)計(jì)，最后對(duì)系統(tǒng)測(cè)量結(jié)果給出了誤差分析，添加了數(shù)字濾波、橢圓效應(yīng)校正等算法來(lái)補(bǔ)償誤差，從而有效提高了系統(tǒng)測(cè)量精度。
標(biāo)簽： ARM 姿態(tài)測(cè)量 系統(tǒng)設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間： 2013-07-20
上傳用戶(hù)：jkhjkh1982
在脈沖中子氧活化測(cè)井儀中，伽馬射線(xiàn)時(shí)間譜的采集是儀器至為關(guān)鍵的部分。伽馬射線(xiàn)時(shí)間譜采集電路常用的設(shè)計(jì)采用單片機(jī)與CPLD組合的方案，CPLD實(shí)現(xiàn)伽馬射線(xiàn)計(jì)數(shù)，單片機(jī)則負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)的處理、傳輸?shù)裙ぷ鳌；趩纹琍SoC芯片的新方案，設(shè)計(jì)了伽馬射線(xiàn)時(shí)間譜采集電路，實(shí)現(xiàn)了同樣的功能。功能考核和高溫考核證明，該方案有效、可靠，解決了高溫CPLD價(jià)格昂貴且難以購(gòu)買(mǎi)的問(wèn)題，同時(shí)還能減少采集電路體積和成本。
標(biāo)簽： PSoC 時(shí)間譜 中的應(yīng)用 采集電路
上傳時(shí)間： 2014-12-23
上傳用戶(hù)：希醬大魔王
Construction Strategy of ESD Protection CircuitAbstract： The principles used to construct ESD protection on circuits and the basic conceptions of ESD protection design are presented.Key words：ESD protection/On circuit, ESD design window, ESD current path1 引言靜電放電（ESD，Electrostatic Discharge）給電子器件環(huán)境會(huì)帶來(lái)破壞性的后果。它是造成集成電路失效的主要原因之一。隨著集成電路工藝不斷發(fā)展，互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS，Complementary Metal-Oxide Semiconductor）的特征尺寸不斷縮小，金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS, Metal-Oxide Semiconductor)的柵氧厚度越來(lái)越薄，MOS 管能承受的電流和電壓也越來(lái)越小，因此要進(jìn)一步優(yōu)化電路的抗ESD 性能，需要從全芯片ESD 保護(hù)結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)來(lái)進(jìn)行考慮。
標(biāo)簽： Construction Strategy ESD of
上傳時(shí)間： 2013-11-09
上傳用戶(hù)：Aidane
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