用ADC0832設(shè)計(jì)的兩路電壓表1 源代碼
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串入式聲音延時(shí)開關(guān)的制作
標(biāo)簽： 聲音延時(shí)開關(guān)
上傳時(shí)間： 2013-10-29
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電容三點(diǎn)式正弦波振蕩電路 multisim 仿真
標(biāo)簽： multisim 電容三點(diǎn) 正弦波 振蕩電路
上傳時(shí)間： 2013-12-04
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自制數(shù)字電橋(LCR表).（附電路圖）
上傳時(shí)間： 2014-12-23
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簡易數(shù)字電壓表的設(shè)計(jì)
標(biāo)簽： 數(shù)字電壓表
上傳時(shí)間： 2013-12-19
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德州儀器(TI)通過多種不同的處理工藝提供了寬范圍的運(yùn)算放大器產(chǎn)品，其類型包括了高精度、微功耗、低電壓、高電壓、高速以及軌至軌。TI還開發(fā)了業(yè)界最大的低功耗及低電壓運(yùn)算放大器產(chǎn)品選集，其設(shè)計(jì)特性可滿足寬范圍的多種應(yīng)用。為使您的選擇流程更為輕松，我們提供了一個(gè)交互式的在線運(yùn)算放大器參數(shù)搜索引擎——amplifier.ti.com/search，可供您鏈接至各種不同規(guī)格的運(yùn)算放大器。設(shè)計(jì)考慮因素為某項(xiàng)應(yīng)用選擇最佳的運(yùn)算放大器所要考慮的因素涉及到多個(gè)相關(guān)聯(lián)的需求。為此，設(shè)計(jì)人員必須經(jīng)常權(quán)衡彼此矛盾的尺寸、成本、性能等指標(biāo)因素。即使是資歷最老的工程師也可能會(huì)為此而苦惱，但您大可不必如此。緊記以下的幾點(diǎn)，您將會(huì)發(fā)現(xiàn)選擇范圍將很快的縮小至可掌控的少數(shù)幾個(gè)。電源電壓(VS)——選擇表中包括了低電壓（最小值低于2.7V）及寬電壓范圍（最小值高于5V）的部分。其余運(yùn)放的選擇類型（例如精密），可通過快速查驗(yàn)供電范圍欄來適當(dāng)選擇。當(dāng)采用單電源供電時(shí)，應(yīng)用可能需要具有軌至軌(rail-to-rail)性能，并考慮精度相關(guān)的參數(shù)。精度——主要與輸入偏移電壓(VOS)相關(guān)，并分別考慮隨溫度漂移、電源抑制比(PSRR)以及共模抑制比(CMRR)的變化。精密(precision)一般用于描述具有低輸入偏置電壓及低輸入偏置電壓溫度漂移的運(yùn)算放大器。微小信號(hào)需要高精度的運(yùn)算放大器，例如熱電偶及其它低電平的傳感器。高增益或多級(jí)電路則有可能需求低偏置電壓。
標(biāo)簽： 放大器 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器 選擇指南
上傳時(shí)間： 2013-11-25
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PCB設(shè)計(jì)要點(diǎn) 一.PCB工藝限制 1）線 一般情況下，線與線之間和線與焊盤之間的距離大于等于13mil，實(shí)際應(yīng)用中，條件允許時(shí)應(yīng)考慮加大距離；布線密度較高時(shí)，可考慮但不建議采用IC腳間走兩根線，線的寬度為10mil，線間距不小于10mil。特殊情況下，當(dāng)器件管腳較密，寬度較窄時(shí)，可按適當(dāng)減小線寬和線間距。 2）焊盤 焊盤與過渡孔的基本要求是：盤的直徑比孔的直徑要大于0.6mm；例如，通用插腳式電阻、電容和集成電路等，采用盤/孔尺寸 1.6mm/0.8mm（63mil/32mil），插座、插針和二極管1N4007等，采用1.8mm/1.0mm（71mil/39mil）。實(shí)際應(yīng)用中，應(yīng)根據(jù)實(shí)際元件的尺寸來定，有條件時(shí)，可適當(dāng)加大焊盤尺寸；PCB板上設(shè)計(jì)的元件安裝孔徑應(yīng)比元件管腳的實(shí)際尺寸大0.2～0.4mm左右。 3）過孔 一般為1.27mm/0.7mm(50mil/28mil)；當(dāng)布線密度較高時(shí)，過孔尺寸可適當(dāng)減小，但不宜過小，可考慮采用1.0mm/0.6mm(40mil/24mil)。 二.網(wǎng)表的作用 網(wǎng)表是連接電氣原理圖和PCB板的橋梁。是對電氣原理圖中各元件之間電氣連接的定義，是從圖形化的原理圖中提煉出來的元件連接網(wǎng)絡(luò)的文字表達(dá)形式。在PCB制作中加載網(wǎng)絡(luò)表，可以自動(dòng)得到與原理圖中完全相
標(biāo)簽： PCB
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數(shù)顯式測量電路pcb簡圖
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protel99se元件名系表
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磁芯電感器的諧波失真分析 摘 要：簡述了改進(jìn)鐵氧體軟磁材料比損耗系數(shù)和磁滯常數(shù)ηB，從而降低總諧波失真THD的歷史過程，分析了諸多因數(shù)對諧波測量的影響，提出了磁心性能的調(diào)控方向。 關(guān)鍵詞：比損耗系數(shù)， 磁滯常數(shù)ηB ，直流偏置特性DC-Bias，總諧波失真THD Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033 Abstract: Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward. Key words: ratio loss coefficient，hysteresis constant，DC-Bias，THD 近年來，變壓器生產(chǎn)廠家和軟磁鐵氧體生產(chǎn)廠家，在電感器和變壓器產(chǎn)品的總諧波失真指標(biāo)控制上，進(jìn)行了深入的探討和廣泛的合作，逐步弄清了一些似是而非的問題。從工藝技術(shù)上采取了不少有效措施，促進(jìn)了質(zhì)量問題的迅速解決。本文將就此熱門話題作一些粗淺探討。 一、 歷史回顧 總諧波失真（Total harmonic distortion） ，簡稱THD，并不是什么新的概念，早在幾十年前的載波通信技術(shù)中就已有嚴(yán)格要求<1>。1978年郵電部公布的標(biāo)準(zhǔn)YD/Z17－78“載波用鐵氧體罐形磁心”中，規(guī)定了高μQ材料制作的無中心柱配對罐形磁心詳細(xì)的測試電路和方法。如圖一電路所示，利用LC組成的150KHz低通濾波器在高電平輸入的情況下測量磁心產(chǎn)生的非線性失真。這種相對比較的實(shí)用方法，專用于無中心柱配對罐形磁心的諧波衰耗測試。 這種磁心主要用于載波電報(bào)、電話設(shè)備的遙測振蕩器和線路放大器系統(tǒng)，其非線性失真有很嚴(yán)格的要求。 圖中 ZD —— QF867 型阻容式載頻振蕩器，輸出阻抗 150Ω， Ld47 —— 47KHz 低通濾波器，阻抗 150Ω，阻帶衰耗大于61dB， Lg88 ——并聯(lián)高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB Ld88 ——并聯(lián)高低通濾波器，阻抗 150Ω，三次諧波衰耗大于61dB FD —— 30～50KHz 放大器， 阻抗 150Ω， 增益不小于 43 dB，三次諧波衰耗b3(0)≥91 dB, DP —— Qp373 選頻電平表，輸入高阻抗， L ——被測無心罐形磁心及線圈， C ——聚苯乙烯薄膜電容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。 測量時(shí)，所配用線圈應(yīng)用絲包銅電磁線SQJ9×0.12(JB661-75)在直徑為16.1mm的線架上繞制 120 匝， （線架為一格） ， 其空心電感值為 318μH（誤差1％） 被測磁心配對安裝好后，先調(diào)節(jié)振蕩器頻率為 36.6～40KHz， 使輸出電平值為+17.4 dB， 即選頻表在 22′端子測得的主波電平 （P2）為+17.4 dB，然后在33′端子處測得輸出的三次諧波電平（P3）， 則三次諧波衰耗值為：b3(+2)= P2+S+ P3 式中：S 為放大器增益dB 從以往的資料引證， 就可以發(fā)現(xiàn)諧波失真的測量是一項(xiàng)很精細(xì)的工作，其中測量系統(tǒng)的高、低通濾波器，信號(hào)源和放大器本身的三次諧波衰耗控制很嚴(yán)，阻抗必須匹配，薄膜電容器的非線性也有相應(yīng)要求。濾波器的電感全由不帶任何磁介質(zhì)的大空心線圈繞成，以保證本身的“潔凈” ，不至于造成對磁心分選的誤判。 為了滿足多路通信整機(jī)的小型化和穩(wěn)定性要求， 必須生產(chǎn)低損耗高穩(wěn)定磁心。上世紀(jì) 70 年代初，1409 所和四機(jī)部、郵電部各廠，從工藝上改變了推板空氣窯燒結(jié)，出窯后經(jīng)真空罐冷卻的落后方式，改用真空爐，并控制燒結(jié)、冷卻氣氛。技術(shù)上采用共沉淀法攻關(guān)試制出了μQ乘積 60 萬和 100 萬的低損耗高穩(wěn)定材料，在此基礎(chǔ)上，還實(shí)現(xiàn)了高μ7000～10000材料的突破，從而大大縮短了與國外企業(yè)的技術(shù)差異。當(dāng)時(shí)正處于通信技術(shù)由FDM（頻率劃分調(diào)制）向PCM（脈沖編碼調(diào)制） 轉(zhuǎn)換時(shí)期， 日本人明石雅夫發(fā)表了μQ乘積125 萬為 0.8×10 ，100KHz）的超優(yōu)鐵氧體材料<3>，其磁滯系數(shù)降為優(yōu)鐵
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