亚洲在线播放电影,96精品久久久久中文字幕,国产真实有声精品录音

視頻會(huì)議

H.264 RTSP 串流(live 555)視窗版本

·H.264 RTSP 串流 (live 555) 視窗版本 (THE Makefile had modified for VC 2008 BUILD)

標(biāo)簽： nbsp RTSP live 264

上傳時(shí)間： 2013-04-24

上傳用戶(hù)：asddsd
5分鐘學(xué)會(huì)使用CPLD

5分鐘學(xué)會(huì)使用CPLD,經(jīng)典資料，有想學(xué)習(xí)CPLD的朋友有福了

標(biāo)簽： CPLD 分

上傳時(shí)間： 2013-08-22

上傳用戶(hù)：xmsmh
步進(jìn)頻率雷達(dá)系統(tǒng)的模擬與測(cè)試

任何雷達(dá)接收器所接收到的回波(echo)訊號(hào)，都會(huì)包含目標(biāo)回波和背景雜波。雷達(dá)系統(tǒng)的縱向解析度和橫向解析度必須夠高，才能在充滿(mǎn)背景雜波的環(huán)境中偵測(cè)到目標(biāo)。傳統(tǒng)上都會(huì)使用短週期脈衝波和寬頻FM 脈衝來(lái)達(dá)到上述目的。

標(biāo)簽： 步進(jìn)頻率模擬雷達(dá)系統(tǒng) 測(cè)試

上傳時(shí)間： 2014-12-23

上傳用戶(hù)：zhqzal1014
IC封裝製程簡(jiǎn)介(IC封裝制程簡(jiǎn)介)

半導(dǎo)體的產(chǎn)品很多，應(yīng)用的場(chǎng)合非常廣泛，圖一是常見(jiàn)的幾種半導(dǎo)體元件外型。半導(dǎo)體元件一般是以接腳形式或外型來(lái)劃分類(lèi)別，圖一中不同類(lèi)別的英文縮寫(xiě)名稱(chēng)原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 雖然半導(dǎo)體元件的外型種類(lèi)很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。從半導(dǎo)體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導(dǎo)體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內(nèi)一片非常小的晶片，透過(guò)伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內(nèi)部的晶片，圖三是以顯微鏡將內(nèi)部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線(xiàn)連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請(qǐng)注意圖三中有一條銲線(xiàn)從中斷裂，那是使用不當(dāng)引發(fā)過(guò)電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。圖四是常見(jiàn)的LED，也就是發(fā)光二極體，其內(nèi)部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線(xiàn)，若以L(fǎng)ED二支接腳的極性來(lái)做分別，晶片是貼附在負(fù)極的腳上，經(jīng)由銲線(xiàn)連接正極的腳。當(dāng)LED通過(guò)正向電流時(shí)，晶片會(huì)發(fā)光而使LED發(fā)亮，如圖六所示。半導(dǎo)體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱(chēng)為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產(chǎn)品，稱(chēng)為IC封裝製程，又可細(xì)分成晶圓切割、黏晶、銲線(xiàn)、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節(jié)中將簡(jiǎn)介這兩段的製造程序。

標(biāo)簽： 封裝 IC封裝制程

上傳時(shí)間： 2014-01-20

上傳用戶(hù)：蒼山觀海
IC封裝製程簡(jiǎn)介(IC封裝制程簡(jiǎn)介)

半導(dǎo)體的產(chǎn)品很多，應(yīng)用的場(chǎng)合非常廣泛，圖一是常見(jiàn)的幾種半導(dǎo)體元件外型。半導(dǎo)體元件一般是以接腳形式或外型來(lái)劃分類(lèi)別，圖一中不同類(lèi)別的英文縮寫(xiě)名稱(chēng)原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 雖然半導(dǎo)體元件的外型種類(lèi)很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。從半導(dǎo)體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導(dǎo)體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內(nèi)一片非常小的晶片，透過(guò)伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內(nèi)部的晶片，圖三是以顯微鏡將內(nèi)部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線(xiàn)連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請(qǐng)注意圖三中有一條銲線(xiàn)從中斷裂，那是使用不當(dāng)引發(fā)過(guò)電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。圖四是常見(jiàn)的LED，也就是發(fā)光二極體，其內(nèi)部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線(xiàn)，若以L(fǎng)ED二支接腳的極性來(lái)做分別，晶片是貼附在負(fù)極的腳上，經(jīng)由銲線(xiàn)連接正極的腳。當(dāng)LED通過(guò)正向電流時(shí)，晶片會(huì)發(fā)光而使LED發(fā)亮，如圖六所示。半導(dǎo)體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱(chēng)為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產(chǎn)品，稱(chēng)為IC封裝製程，又可細(xì)分成晶圓切割、黏晶、銲線(xiàn)、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節(jié)中將簡(jiǎn)介這兩段的製造程序。

標(biāo)簽： 封裝 IC封裝制程

上傳時(shí)間： 2013-11-04

上傳用戶(hù)：372825274
微電腦型單相交流集合式電表（單相二線(xiàn)系統(tǒng)）

微電腦型單相交流集合式電表（單相二線(xiàn)系統(tǒng)）特點(diǎn)：精確度0.25%滿(mǎn)刻度±1位數(shù) 可同時(shí)量測(cè)與顯示交流電壓,電流,頻率,瓦特,(功率因數(shù)/視在功率) 交流電壓,電流,瓦特皆為真正有效值(TRMS) 交流電流,瓦特之小數(shù)點(diǎn)可任意設(shè)定瓦特單位W或KW可任意設(shè)定 CT比可任意設(shè)定(1至999) 輸入與輸出絕緣耐壓 2仟伏特/1分鐘( 突波測(cè)試強(qiáng)度4仟伏特(1.2x50us) 數(shù)位RS-485界面 (Optional) 主要規(guī)格：精確度: 0.1% F.S.±1 digit (Frequency) 0.25% F.S.±1 digit(ACA,ACV,Watt,VA) 0.25% F.S. ±0.25o(Power Factor) (-.300~+.300) 輸入負(fù)載: <0.2VA (Voltage) <0.2VA (Current) 最大過(guò)載能力: Current related input: 3 x rated continuous 10 x rated 30 sec. 25 x rated 3sec. 50 x rated 1sec. Voltage related input: maximum 2 x rated continuous 過(guò)載顯示: "doFL" 顯示值范圍: 0~600.0V(Voltage) 0~999.9Hz(Frequency)(<20% for voltage input) 0~19999 digit adjustable(Current,Watt,VA) 取樣時(shí)間: 2 cycles/sec. RS-485通訊位址: "01"-"FF" RS-485傳輸速度: 19200/9600/4800/2400 selective RS-485通信協(xié)議: Modbus RTU mode 溫度系數(shù): 100ppm/℃ (0-50℃) 顯示幕: Red high efficiency LEDs high 10.16 mm(0.4") 參數(shù)設(shè)定方式: Touch switches 記憶型式: Non-volatile E²PROM memory 絕緣抗阻: >100Mohm with 500V DC 絕緣耐壓能力: 2KVac/1 min. (input/output/power) 1600 Vdc (input/output) 突波測(cè)試: ANSI c37.90a/1974,DIN-IEC 255-4 impulse voltage 4KV(1.2x50us) 使用環(huán)境條件: 0-50℃(20 to 90% RH non-condensed) 存放環(huán)境條件: 0-70℃(20 to 90% RH non-condensed) CE認(rèn)證: EN 55022:1998/A1:2000 Class A EN 61000-3-2:2000 EN 61000-3-3:1995/A1:2001 EN 55024:1998/A1:2001

標(biāo)簽： 微電腦單相交流單相電表

上傳時(shí)間： 2015-01-03

上傳用戶(hù)：幾何公差
廣播發(fā)送裝置,UDP協(xié)議

廣播發(fā)送裝置,UDP協(xié)議

標(biāo)簽： UDP

上傳時(shí)間： 2014-01-08

上傳用戶(hù)：huannan88
一個(gè)顯示訊息視窗的Cla

一個(gè)顯示訊息視窗的Cla

標(biāo)簽： Cla

上傳時(shí)間： 2013-12-04

上傳用戶(hù)：氣溫達(dá)上千萬(wàn)的
信號(hào)處理的時(shí)頻富立葉變換

信號(hào)處理的時(shí)頻富立葉變換

標(biāo)簽： 信號(hào)處理變換

上傳時(shí)間： 2014-05-25

上傳用戶(hù)：gmh1314
影像中角落的偵測(cè)-主要是機(jī)器視覺(jué)當(dāng)中很重要的一環(huán) 因?yàn)榻锹涞母淖兓蚴亲兓梢詡蓽y(cè)出來(lái)當(dāng)做影像變化的特徵

影像中角落的偵測(cè)-主要是機(jī)器視覺(jué)當(dāng)中很重要的一環(huán) 因?yàn)榻锹涞母淖兓蚴亲兓梢詡蓽y(cè)出來(lái)當(dāng)做影像變化的特徵

標(biāo)簽：

上傳時(shí)間： 2013-12-29

上傳用戶(hù)：kernaling