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計(jì)算光刻

IC封裝製程簡介(IC封裝制程簡介)

半導體的產品很多，應用的場合非常廣泛，圖一是常見的幾種半導體元件外型。半導體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別，圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 雖然半導體元件的外型種類很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。從半導體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內一片非常小的晶片，透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內部的晶片，圖三是以顯微鏡將內部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當引發過電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。圖四是常見的LED，也就是發光二極體，其內部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來做分別，晶片是貼附在負極的腳上，經由銲線連接正極的腳。當LED通過正向電流時，晶片會發光而使LED發亮，如圖六所示。半導體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產品，稱為IC封裝製程，又可細分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節中將簡介這兩段的製造程序。

標簽： 封裝 IC封裝制程

上傳時間： 2013-11-04

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J-LIN仿真器操作步驟

J-LIN仿真器操作步驟，J-LIN仿真器操作步驟。

標簽： J-LIN 仿真器操作

上傳時間： 2013-10-31

上傳用戶：1966640071
電工速算口決

電工速算口決

標簽： 電工速算

上傳時間： 2013-12-31

上傳用戶：zzbbqq99n
微電腦型長度，流量顯示控制表

特點顯示范圍-19999至99999位數最高輸入頻率 10KHz 計數速度 50,5000脈波/秒可選擇四種輸入模式可選擇(加算,減算,加減算,90度相位差加減算 90度相位差加減算具有提高解析度4倍功能輸入脈波具有預設刻度功能 2組警報功能 15 BIT 類比輸出功能數位RS-485介面

標簽： 微電腦長度流量顯示控制

上傳時間： 2013-10-15

上傳用戶：1039312764
野戰光纖光功率精密測量裝置研究

針對野戰光纖光路損耗介紹一種精密光功率測量方法，分析了+,-光電接收元件的+%,（光功率%光電流）特性，并建立了實際模型&設計的裝置測量范圍為%#)!)./（光功率的相對衰減值），經實踐檢驗具有較好的精度.

標簽： 光纖光功率精密測量裝置

上傳時間： 2013-11-20

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光回波損耗(后向反射)測試儀的校準

本文介紹了采用光連續波反射法(OCWR) 技術的光回波損耗測試儀的校準內容和校準方法。校準內容包括內部光源的校準、光功率計的校準、回波損耗校準件的校準、回波損耗測量準確度的校準等諸多方面,著重介紹了校準回波損耗測量準確度的校準方法- 光回波損耗無源模擬法和有源模擬法,并介紹了無源模擬法和有源模擬法所使用的標準儀器和計算公式以及不確定度評定。經對多臺光回波損耗測試儀的校準,表明本校準方法準確可行,滿足了客戶的需求。

標簽： 光回波損耗反射測試儀

上傳時間： 2015-01-03

上傳用戶：as275944189
固態繼電器應用光耦TLP3231，TLP4222G基本參數及應用

潮光內部整理資料

標簽： TLP 4222G 3231 4222

上傳時間： 2013-10-28

上傳用戶：chenhr
過零雙向可控硅光耦MOC3063,MOC3041,TLP363J實際參數應用實例

潮光整理資料：過零雙向可控硅光耦應用原理

標簽： MOC 3063 3041 363

上傳時間： 2013-11-10

上傳用戶：xcy122677
開關電源應用光耦

開關電源應用光耦應用方案

標簽： 開關光耦電源應用

上傳時間： 2013-11-03

上傳用戶：王成林。
TLP265J，TLP266J 小貼片SOP封裝雙向可控硅輸出光耦

TLP265J，TLP266J是東芝新推出的2款4pin SO6封裝的雙向可控硅輸出光耦，它們的耐壓能力能達到600V，它旨在取代以前采用4pin MFSOP6封裝的TLP260J和TLP261J，因為MFSOP6封裝的爬電距離較小，使其的隔離電壓只能達到BVS=3000 Vrms ，這使得東芝的這系列產品在與競爭對手的產品對比中處于劣勢，因為目前SOP封裝的光耦隔離電壓普遍能達到BVS=3750 Vrms 。而東芝新推出的TLP265J，TLP266J也能達到這個隔離能力。

標簽： TLP 265J 266J 265

上傳時間： 2013-10-22

上傳用戶：zhouli

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