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調幅發(fā)射機

射頻電路設計——理論與應用-449頁-10.3M.pdf

專輯類-電子基礎類專輯-153冊-2.20G 射頻電路設計——理論與應用-449頁-10.3M.pdf

標簽： 10.3 449 射頻

上傳時間： 2013-06-15

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射頻模擬電路復習-100頁-1.1M.ppt

專輯類-電子基礎類專輯-153冊-2.20G 射頻模擬電路復習-100頁-1.1M.ppt

標簽： 100 1.1 射頻模擬電路

上傳時間： 2013-04-24

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LED產業(yè)長期發(fā)展仍看好.pdf

New-尚未歸類-412冊-8.64G LED產業(yè)長期發(fā)展仍看好.pdf

標簽： LED

上傳時間： 2013-07-03

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華邦用系列單片機資料1-11頁-0.2M.pdf

專輯類-單片機專輯-258冊-4.20G 華邦用系列單片機資料1-11頁-0.2M.pdf

標簽： 0.2 11 頁

上傳時間： 2013-06-01

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華邦用系列單片機資料3-22頁-0.3M.pdf

專輯類-單片機專輯-258冊-4.20G 華邦用系列單片機資料3-22頁-0.3M.pdf

標簽： 0.3 22 頁

上傳時間： 2013-08-06

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低場磁共振FID信號放大電路的分析與研究.rar

由于低場磁共振自由感應（FID-Free Induction Decay）信號十分微弱,信噪比低,所以信號放大電路的設計、調試具有一定的困難.該文首先對低場磁共振電路系統(tǒng)的各個功能模塊進行了分析,并估算了低場磁共振的信號幅值,然后重點對天線接口和前置放大兩個電路模塊進行了分析研究.天線接口電路是射頻發(fā)射電路、信號接收電路與磁體天線的接口電路.針對接收信號弱、信噪比低的情況,天線接口電路不但要實現(xiàn)天線的三個狀態(tài)（發(fā)射、泄放、接收）間的切換,而且要對信號進行無源放大.該文在完成了天線接口電路功能分析后,建立了簡化模型,然后對其參數(shù)進行分析計算,得出了滿足最大放大倍數(shù)和期望帶寬時的調試指導參數(shù),還據(jù)此設計了校驗信號發(fā)生電路.前置放大電路主要完成磁共振FID信號的有源放大.該文在進行了方案討論后,給出了具體的前置放大電路,并對其工作狀態(tài)進行了靜態(tài)工作點計算和動態(tài)仿真分析,計算了增益系數(shù),分析了帶寬,并作了噪聲分析.該文還參照高頻電路的設計特點,分析了低場磁共振信號放大電路的噪聲干擾的來源、種類;討論了器件選擇、電路布板等方面的注意事項;給出了減小噪聲干擾的一些具體措施.

標簽： FID 磁共振信號放大電路

上傳時間： 2013-06-01

上傳用戶：hanli8870
超高頻射頻識別標簽基準測試研究.rar

射頻識別(Radio Frequency Identification，RFID)是一種允許非接觸式數(shù)據(jù)采集的自動識別技術。其中工作在超高頻(Ultra High Frequency，UHF)頻段的無源RFID系統(tǒng)，由于在物流與供應鏈管理等領域的潛在應用，近年來得到了人們的廣泛關注。這種系統(tǒng)所使用的無源標簽具有識別距離長、體積小、成本低廉等突出特點。目前在市場上出現(xiàn)了各種品牌型號的UHF RFID無源標簽，由于不同品牌型號的標簽在設計與制造工藝上的差異，這些標簽在性能表現(xiàn)上各不相同，這就給終端用戶選擇合適自己應用的標簽帶來了困難。RFID基準測試就是在實際部署RFID系統(tǒng)前對RFID標簽的性能進行科學評估的有效手段。然而為了在常規(guī)實驗室條件下得到準確公正的測試結果，需要對基準測試的性能指標及測試方法學開展進一步的研究。本文正是研究符合EPC Class1 Gen2標準的RFID標簽基準測試。本文首先分析了當前廣泛應用的超高頻無源RFID標簽基準測試性能指標與測試方法上的局限性與不足之處。例如，在真實的應用環(huán)境中，由于受到各種環(huán)境因素的影響，對同一品牌型號的標簽，很難得到一致的識讀距離測試結果。另外，在某些測試場景中，使用識讀速率作為測試指標，所得到的測試結果數(shù)值非常接近，以致分辨度不足以區(qū)分不同品牌型號標簽的性能差異。在這些分析基礎上，本文把路徑損耗引入了RFID基準測試，通過有限點的測量與數(shù)據(jù)擬合分別得到不同類型標簽的路徑損耗方程，結合讀寫器天線的輻射方向圖，進一步得到各種標簽受限于讀寫器接收靈敏度的覆蓋區(qū)域。無源標簽由于其被動式能量獲取方式，其實際工作區(qū)域仍然受限于前向鏈路。本文通過實驗測試出這些標簽的最小激活功率后，得出了各種標簽在一定讀寫器發(fā)射功率下的激活區(qū)域。完成這些步驟后，根據(jù)這兩種區(qū)域的交集可以確定標簽的工作區(qū)域，從而進行標簽間的比較并達到基準測試的目的，并能找出限制標簽工作范圍的瓶頸。本文最后從功率損耗的角度研究了標簽之間的相互干擾，為用戶在密集部署RFID標簽的場景中設置標簽之間的最小間隔距離具有重要的參考意義。

標簽： 超高頻射頻識別基準測試

上傳時間： 2013-04-24

上傳用戶：hbsunhui
射頻功率放大器及其線性化方法研究.rar

射頻功率放大器存在于各種現(xiàn)代無線通信系統(tǒng)的末端，所以射頻功率放大器性能的優(yōu)劣直接影響到整個通信系統(tǒng)的性能指標。如何在兼顧效率的前提下提高功放的線性度是近年來國內外的研究熱點，在射頻功率放大器的設計過程中這是非常重要的問題。作為發(fā)射機末端的重要模塊，射頻功率放大器的主要任務是給負載天線提供一定功率的發(fā)射信號，因此射頻功率放大器一般都工作在大信號條件下。所以設計射頻功率放大器時，器件的選型和設計方式都和一般的小信號放大器不同，尤其在寬帶射頻功率放大器的設計過程中，由于工作頻帶很寬，且要綜合考慮線性度和效率問題，所以射頻功率放大器的設計難度很大。本文設計了一個工作頻帶為30-108MHz，增益為25dB的寬帶射頻功率放大器。由于工作頻帶較寬，輸出功率較大，線性度要求高；所以在實際的過程中采用了寬帶匹配，功率回退等技術來達到最終的設計目標。本文首先介紹了關于射頻功率放大器的一些基礎理論，包括器件在射頻段的工作模型，使用傳輸線變壓器實現(xiàn)阻抗變換的基本原理，S參數(shù)等，這些是設計射頻功率放大器的基本理論依據(jù)。然后本文描述了射頻功率放大器非線性失真產生的原因，在此基礎上介紹了幾種線性化技術并做出比較。然后本文介紹了射頻功率放大器的主要技術指標并提出一種具體的設計方案，最后利用ADS軟件對設計方案進行了仿真。仿真過程包括兩個步驟，首先是進行直流仿真來確定功放管的靜態(tài)工作點，然后進行功率增益即S21的仿真并達到設計要求。

標簽： 射頻功率放大器線性方法研究

上傳時間： 2013-07-28

上傳用戶：gtf1207
射頻基站芯片F(xiàn)M1722應用設計.rar

射頻基站芯片F(xiàn)M1722應用設計.................

標簽： 1722 FM 射頻

上傳時間： 2013-06-16

上傳用戶：cxl274287265
射頻與微波功率放大器設計.rar

本書主要闡述設計射頻與微波功率放大器所需的理論、方法、設計技巧，以及將分析計算與計算機輔助設計相結合的優(yōu)化設計方法。這些方法提高了設計效率，縮短了設計周期。本書內容覆蓋非線性電路設計方法、非線性主動設備建模、阻抗匹配、功率合成器、阻抗變換器、定向耦合器、高效率的功率放大器設計、寬帶功率放大器及通信系統(tǒng)中的功率放大器設計。　本書適合從事射頻與微波動功率放大器設計的工程師、研究人員及高校相關專業(yè)的師生閱讀。作者簡介 Andrei Grebennikov是M／A—COM TYCO電子部門首席理論設計工程師，他曾經任教于澳大利亞Linz大學、新加坡微電子學院、莫斯科通信和信息技術大學。他目前正在講授研究班課程，在該班上，本書作為國際微波年會論文集。目錄第1章　雙口網絡參數(shù) 　1.1　傳統(tǒng)的網絡參數(shù) 　1.2　散射參數(shù) 　1.3　雙口網絡參數(shù)間轉換　1.4　雙口網絡的互相連接　1.5　實際的雙口電路　　1.5.1　單元件網絡　　1.5.2　π形和T形網絡　1.6　具有公共端口的三口網絡　1.7　傳輸線　參考文獻第2章　非線性電路設計方法　2.1　頻域分析　　2.1.1　三角恒等式法　　2.1.2　分段線性近似法　　2.1.3　貝塞爾函數(shù)法　2.2　時域分析　2.3　NewtOn.Raphscm算法　2.4　準線性法　2.5　諧波平衡法　參考文獻第3章　非線性有源器件模型　3.1　功率MOSFET管　　3.1.1　小信號等效電路　　3.1.2　等效電路元件的確定　　3.1.3　非線性I—V模型　　3.1.4　非線性C.V模型　　3.1.5　電荷守恒　　3.1.6　柵一源電阻　　3.1.7　溫度依賴性　3.2　GaAs MESFET和HEMT管　　3.2.1　小信號等效電路　　3.2.2　等效電路元件的確定　　3.2.3　CIJrtice平方非線性模型　　3.2.4　Curtice.Ettenberg立方非線性模型　　3.2.5　Materka—Kacprzak非線性模型　　3.2.6　Raytheon(Statz等)非線性模型　　3.2.7　rrriQuint非線性模型　　3.2.8　Chalmers(Angek)v)非線性模型　　3.2.9　IAF(Bemth)非線性模型　　3.2.10　模型選擇　3.3　BJT和HBT汀管　　3.3.1　小信號等效電路　　3.3.2　等效電路中元件的確定　　3.3.3　本征z形電路與T形電路拓撲之間的等效互換　　3.3.4　非線性雙極器件模型　參考文獻第4章　阻抗匹配　4.1　主要原理　4.2　Smith圓圖　4.3　集中參數(shù)的匹配　　4.3.1　雙極UHF功率放大器　　4.3.2　M0SFET VHF高功率放大器　4.4　使用傳輸線匹配　　4.4.1　窄帶功率放大器設計　　4.4.2　寬帶高功率放大器設計　4.5　傳輸線類型　　4.5.1　同軸線　　4.5.2　帶狀線　　4.5.3　微帶線　　4.5.4　槽線　　4.5.5　共面波導　參考文獻第5章　功率合成器、阻抗變換器和定向耦合器　5.1　基本特性　5.2　三口網絡　5.3　四口網絡　5.4　同軸電纜變換器和合成器　5.5　wilkinson功率分配器　5.6　微波混合橋　5.7　耦合線定向耦合器　參考文獻第6章　功率放大器設計基礎　6.1　主要特性　6.2　增益和穩(wěn)定性　6.3　穩(wěn)定電路技術　　6.3.1　BJT潛在不穩(wěn)定的頻域　　6.3.2　MOSFET潛在不穩(wěn)定的頻域　　6.3.3　一些穩(wěn)定電路的例子　6.4　線性度　6.5　基本的工作類別：A、AB、B和C類　6.6　直流偏置　6.7　推挽放大器　6.8　RF和微波功率放大器的實際外形　參考文獻第7章　高效率功率放大器設計　7.1　B類過激勵　7.2　F類電路設計　7.3　逆F類　7.4　具有并聯(lián)電容的E類　7.5　具有并聯(lián)電路的E類　7.6　具有傳輸線的E類　7.7　寬帶E類電路設計　7.8　實際的高效率RF和微波功率放大器　參考文獻第8章寬帶功率放大器　8.1　Bode—Fan0準則　8.2　具有集中元件的匹配網絡　8.3　使用混合集中和分布元件的匹配網絡　8.4　具有傳輸線的匹配網絡　　8.5　有耗匹配網絡　8.6　實際設計一瞥　參考文獻第9章　通信系統(tǒng)中的功率放大器設計　9.1　Kahn包絡分離和恢復技術　9.2　包絡跟蹤　9.3　異相功率放大器　9.4　Doherty功率放大器方案　9.5　開關模式和雙途徑功率放大器　9.6　前饋線性化技術　9.7　預失真線性化技術　9.8　手持機應用的單片cMOS和HBT功率放大器　參考文獻

標簽： 射頻微波功率放大器設計

上傳時間： 2013-04-24

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