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調(diào)節(jié)

透過MOSFET電壓電流最佳化控制傳導(dǎo)性及輻射性EMI

經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們?nèi)绾螌MI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側(cè)MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉(zhuǎn)接器(adapter)來做傳導(dǎo)性及輻射性EMI測試。

標(biāo)簽： MOSFET EMI 電壓電流控制

上傳時(shí)間： 2014-09-08

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PCB阻抗匹配計(jì)算工具（附教程）

附件是一款PCB阻抗匹配計(jì)算工具，點(diǎn)擊CITS25.exe直接打開使用，無需安裝。附件還帶有PCB連板的一些計(jì)算方法，連板的排法和PCB聯(lián)板的設(shè)計(jì)驗(yàn)驗(yàn)。 PCB設(shè)計(jì)的經(jīng)驗(yàn)建議: 1.一般連板長寬比率為1：1~2.5：1,同時(shí)注意For FuJi Machine:a.最大進(jìn)板尺寸為:450*350mm, 2.針對有金手指的部分,板邊處需作掏空處理,建議不作為連板的部位. 3.連板方向以同一方向?yàn)閮?yōu)先,考量對稱防呆,特殊情況另作處理. 4.連板掏空長度超過板長度的1/2時(shí),需加補(bǔ)強(qiáng)邊. 5.陰陽板的設(shè)計(jì)需作特殊考量. 6.工藝邊需根據(jù)實(shí)際需要作設(shè)計(jì)調(diào)整,軌道邊一般不少於6mm,實(shí)際中需考量板邊零件的排布,軌道設(shè)備正?？▔壕嚯x為不少於3mm,及符合實(shí)際要求下的連板經(jīng)濟(jì)性. 7.FIDUCIAL MARK或稱光學(xué)定位點(diǎn),一般設(shè)計(jì)在對角處,為2個或4個,同時(shí)MARK點(diǎn)面需平整,無氧化,脫落現(xiàn)象;定位孔設(shè)計(jì)在板邊,為對稱設(shè)計(jì),一般為4個,直徑為3mm,公差為±0.01inch. 8.V-cut深度需根據(jù)連板大小及基板板厚考量,角度建議為不少於45°. 9.連板設(shè)計(jì)的同時(shí),需基於基板的分板方式考量<人工(治具)還是使用分板設(shè)備>. 10.使用針孔(郵票孔)聯(lián)接：需請考慮斷裂后的毛刺,及是否影響COB工序的Bonding機(jī)上的夾具穩(wěn)定工作,還應(yīng)考慮是否有無影響插件過軌道,及是否影響裝配組裝.

標(biāo)簽： PCB 阻抗匹配計(jì)算工具教程

上傳時(shí)間： 2014-12-31

上傳用戶：sunshine1402
PCB阻抗匹配計(jì)算工具（附教程）

附件是一款PCB阻抗匹配計(jì)算工具，點(diǎn)擊CITS25.exe直接打開使用，無需安裝。附件還帶有PCB連板的一些計(jì)算方法，連板的排法和PCB聯(lián)板的設(shè)計(jì)驗(yàn)驗(yàn)。 PCB設(shè)計(jì)的經(jīng)驗(yàn)建議: 1.一般連板長寬比率為1：1~2.5：1,同時(shí)注意For FuJi Machine:a.最大進(jìn)板尺寸為:450*350mm, 2.針對有金手指的部分,板邊處需作掏空處理,建議不作為連板的部位. 3.連板方向以同一方向?yàn)閮?yōu)先,考量對稱防呆,特殊情況另作處理. 4.連板掏空長度超過板長度的1/2時(shí),需加補(bǔ)強(qiáng)邊. 5.陰陽板的設(shè)計(jì)需作特殊考量. 6.工藝邊需根據(jù)實(shí)際需要作設(shè)計(jì)調(diào)整,軌道邊一般不少於6mm,實(shí)際中需考量板邊零件的排布,軌道設(shè)備正?？▔壕嚯x為不少於3mm,及符合實(shí)際要求下的連板經(jīng)濟(jì)性. 7.FIDUCIAL MARK或稱光學(xué)定位點(diǎn),一般設(shè)計(jì)在對角處,為2個或4個,同時(shí)MARK點(diǎn)面需平整,無氧化,脫落現(xiàn)象;定位孔設(shè)計(jì)在板邊,為對稱設(shè)計(jì),一般為4個,直徑為3mm,公差為±0.01inch. 8.V-cut深度需根據(jù)連板大小及基板板厚考量,角度建議為不少於45°. 9.連板設(shè)計(jì)的同時(shí),需基於基板的分板方式考量<人工(治具)還是使用分板設(shè)備>. 10.使用針孔(郵票孔)聯(lián)接：需請考慮斷裂后的毛刺,及是否影響COB工序的Bonding機(jī)上的夾具穩(wěn)定工作,還應(yīng)考慮是否有無影響插件過軌道,及是否影響裝配組裝.

標(biāo)簽： PCB 阻抗匹配計(jì)算工具教程

上傳時(shí)間： 2013-10-15

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IC封裝製程簡介(IC封裝制程簡介)

半導(dǎo)體的產(chǎn)品很多，應(yīng)用的場合非常廣泛，圖一是常見的幾種半導(dǎo)體元件外型。半導(dǎo)體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別，圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為 PDID：Plastic Dual Inline Package SOP：Small Outline Package SOJ：Small Outline J-Lead Package PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier QFP：Quad Flat Package PGA：Pin Grid Array BGA：Ball Grid Array 雖然半導(dǎo)體元件的外型種類很多，在電路板上常用的組裝方式有二種，一種是插入電路板的銲孔或腳座，如PDIP、PGA，另一種是貼附在電路板表面的銲墊上，如SOP、SOJ、PLCC、QFP、BGA。從半導(dǎo)體元件的外觀，只看到從包覆的膠體或陶瓷中伸出的接腳，而半導(dǎo)體元件真正的的核心，是包覆在膠體或陶瓷內(nèi)一片非常小的晶片，透過伸出的接腳與外部做資訊傳輸。圖二是一片EPROM元件，從上方的玻璃窗可看到內(nèi)部的晶片，圖三是以顯微鏡將內(nèi)部的晶片放大，可以看到晶片以多條銲線連接四周的接腳，這些接腳向外延伸並穿出膠體，成為晶片與外界通訊的道路。請注意圖三中有一條銲線從中斷裂，那是使用不當(dāng)引發(fā)過電流而燒毀，致使晶片失去功能，這也是一般晶片遭到損毀而失效的原因之一。圖四是常見的LED，也就是發(fā)光二極體，其內(nèi)部也是一顆晶片，圖五是以顯微鏡正視LED的頂端，可從透明的膠體中隱約的看到一片方型的晶片及一條金色的銲線，若以LED二支接腳的極性來做分別，晶片是貼附在負(fù)極的腳上，經(jīng)由銲線連接正極的腳。當(dāng)LED通過正向電流時(shí)，晶片會發(fā)光而使LED發(fā)亮，如圖六所示。半導(dǎo)體元件的製作分成兩段的製造程序，前一段是先製造元件的核心─晶片，稱為晶圓製造；後一段是將晶中片加以封裝成最後產(chǎn)品，稱為IC封裝製程，又可細(xì)分成晶圓切割、黏晶、銲線、封膠、印字、剪切成型等加工步驟，在本章節(jié)中將簡介這兩段的製造程序。

標(biāo)簽： 封裝 IC封裝制程

上傳時(shí)間： 2013-11-04

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微電腦型脈波輸入瞬間量，累積量（9位數(shù)）顯示控制電表

特點(diǎn) 顯示范圍0至19999(瞬間量),0至999999999(9位數(shù)累積量)可任意規(guī)劃精確度0.03%滿刻度(瞬間量) 頻率輸入范圍 0.01Hz 至 10KHz 瞬間量與累積量時(shí)間基數(shù)可任意規(guī)劃(1 或 60 或 3600 秒) 瞬間量之最高顯示值可任意規(guī)劃(0至19999) 累積量之輸入脈波比例刻畫調(diào)整可任意規(guī)劃(0.00001至9999.99999) 具有二組警報(bào)功能 15 BIT 隔離類比輸出數(shù)位RS-485 界面數(shù)位脈波同步輸出功能

標(biāo)簽： 微電腦輸入顯示控制電表

上傳時(shí)間： 2014-11-07

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RA8802 是一個中英文文字與繪圖模式的點(diǎn)矩陣液晶顯示(LCD)控制器

RA8802 是一個中英文文字與繪圖模式的點(diǎn)矩陣液晶顯示(LCD)控制器，可最大支援320x240 點(diǎn)的LCD 面板。內(nèi)建512Kbyte 的字形碼可以顯示中文字型、數(shù)字符號與英文字母。在文字模式中，RA8802 可接收標(biāo)準(zhǔn) 中文文字內(nèi)碼直接顯示中文，而不需要進(jìn)入繪圖模式以繪圖方式描繪中文，可以節(jié)省許多微處理器時(shí)間，提升液晶顯示中文之處理效率。

標(biāo)簽： 8802 LCD RA 中英文

上傳時(shí)間： 2014-06-08

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動態(tài)連結(jié)程式庫 (DLL) 一直以來都是Windows的重要基礎(chǔ)

動態(tài)連結(jié)程式庫 (DLL) 一直以來都是Windows的重要基礎(chǔ)，Windows CE也不例外。DLL對作業(yè)系統(tǒng)十分重要，本節(jié)的內(nèi)容主要是分析loader.c中的程式碼，它負(fù)責(zé)載入EXE和DLL。這裏要討論的是關(guān)於DLL的部分

標(biāo)簽： Windows DLL 程式

上傳時(shí)間： 2015-07-01

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第三章列出了Windows CE執(zhí)行緒在排程時(shí)的幾個主要函數(shù)

第三章列出了Windows CE執(zhí)行緒在排程時(shí)的幾個主要函數(shù)，在本章中將藉著分析這些函數(shù)的流程，來了解執(zhí)行緒在排程過程中的行為。本章所節(jié)選的程式碼全部來自[CEROOT]\PRIVATE\WINCEOS\COREOS\NK\KERNEL目錄下的 schedule.c檔

標(biāo)簽： Windows

上傳時(shí)間： 2015-07-01

上傳用戶：xiaodu1124
這是最新OFDM的完整文件教材是目前國內(nèi)許多教授授課時(shí)使用的內(nèi)容很充實(shí)

這是最新OFDM的完整文件教材是目前國內(nèi)許多教授授課時(shí)使用的內(nèi)容很充實(shí)，從OFDM的原理到同步、調(diào)變、數(shù)位電視，都有完善的說明

標(biāo)簽： OFDM 教材

上傳時(shí)間： 2013-12-09

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長高44b0xi BIOS源碼 FS44B0II BIOS具有啟動、引導(dǎo)

長高44b0xi BIOS源碼 FS44B0II BIOS具有啟動、引導(dǎo)，下載、燒寫，設(shè)置日期、時(shí)間，設(shè)置工作頻率等多種功能，並且支持各種參數(shù)的存儲和自動調(diào)用。可以用flashpgm等軟件將BIOS燒寫到Flash中去，BIOS的自身駐留地址位于NOR FLASH的0x1f0000處，系統(tǒng)參數(shù)保存在0x1ff000以上區(qū)域中。所以在燒寫完BIOS，上電復(fù)位后先要執(zhí)一定要執(zhí)行backup命令把BIOS本身拷貝到NOR FLASH的高端1f0000去。

標(biāo)簽： BIOS 44 0xi 0II

上傳時(shí)間： 2013-12-25

上傳用戶：ainimao