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在做2維度樣本分類的過程中,若我們能事先畫出訓練樣本在空間中的分散情形,這將有助於我們在設定SVM分類器的參數C的取值範圍. 例如:若畫出的訓練樣本的散佈較分散,我們可以得知此時採用的參數值可以取在較大的範圍. 所以本程式也是讓想要畫出資料樣本在平面的散佈情形者之一各可行工具.
標簽： SVM 分 分散
上傳時間： 2016-08-19
上傳用戶：sy_jiadeyi
介紹MT9V011 CMOS數字圖像傳感器在一個基于低端ARM7處理器和CPLD(可編程邏輯器件)的嵌入式系統中的應用。通過一片CPLD讀取MT9V011采集的圖像并緩存到存儲器以備后續的處理。利用PC平臺驗證了圖像采集功能。給出了一個在低端嵌入式系統中增加圖像采集功能的實現方案。
標簽： CPLD V011 011 MT9
上傳時間： 2016-08-24
上傳用戶：上善若水
介紹了一種基于低成本CMOS攝像頭的智能監控系統,實現了現場監控的實時化、智能化。系統可自動判別危險程度,可分別提供綠色、黃色和紅色報警信息,并驅動相關附屬設備工作。針對圖像傳輸過程中的噪聲,系統采用了對噪聲圖像使用局部算子的濾波技術來提高圖像質量。根據對靜態圖像進行三原色分離后誤差域的研究,達到背景與圖像分離的目的,成功實現了圖像的獲取和處理。在低成本投入下,以簡單的配置和簡便的操作達到了高性能監控系統的功能。
標簽： CMOS 攝像頭 判別
上傳用戶：chenxichenyue
labview中表格的應用和時間日期的提取，將數據輸入到表格中
標簽： labview 表格
上傳時間： 2016-09-29
上傳用戶：梧桐
可以讀取電腦中所有PCI bus, function, device 通道的內容
標簽： function device PCI bus
上傳時間： 2013-11-30
上傳用戶：xiaoxiang
梅花樹形菜單,實現了checkbox的多選功能,數據的抓取,支持xml,js文件等!在后臺的管理和開發中,有著相當不錯的效果
標簽： checkbox xml js 樹
上傳時間： 2014-01-23
上傳用戶：gyq
CCS3.3中每種數據類型的長度和取值范圍總結
標簽： CCS3 數據類型 長度
上傳時間： 2018-08-08
上傳用戶：joeygm
目前，織機向著高速化、智能化方向發展，無梭織機也越來越占主導地位，開發中高檔織機控制系統是當前紡織機械領域的重要課題。織機的電子送經和卷取控制系統是中高檔織機控制的關鍵技術之一，同時它也是無梭織機優越于有梭織機的重要特征之一，因此研究送經和卷取控制系統具有重要意義。 本文研究的內容是織機的送經和卷取控制系統，主要目的是保證織機在織造過程中紗線張力的動態穩定。主要工作如下： （1）在分析送經卷取系統原理和功能的基礎上，提出了一種用較低成本完成所需控制功能的解決方案——以ARM嵌入式處理器S3C44B0為中心構建硬件平臺，以嵌入式操作系統uClinux為基礎構建軟件平臺。 （2）利用嵌入式處理器S3C44B0豐富的硬件資源，對電子送經卷取控制系統進行硬件設計：包括以S3C44B0為核心的最小系統電路的設計、與上位機通訊接口電路的設計、經紗張力檢測與采樣電路的設計、伺服電機驅動接口電路的設計和編碼器接口電路的設計等． （3）利用嵌入式操作系統uClinux高實時、多任務等優點，對電子送經卷取控制系統進行軟件設計： ●在分析uClinux系統的特點和功能的基礎上，完成了在硬件電路板上的移植； ●在分析系統引導程序功能的基礎上，完成了Boot Loader的設計； ●完成了系統設備驅動程序的設計：包括串口驅動程序設計、A/D驅動程序的設計和IIC驅動程序的設計等； ●在對織機工藝了解的基礎上，以模塊化的思想完成了系統應用程序的設計：包括張力傳感器數據采集模塊、控制算法模塊和通訊模塊等； （4）詳細介紹了整個控制系統的調試過程。 本文設計的系統能使控制的經紗張力恒定，反應快速，控制精度高，很好地解決了開車痕等問題，能滿足中高檔織機的要求，具有實際應用價值。
標簽： ARM 控制系統
上傳時間： 2013-04-24
上傳用戶：athjac
設計了一種可在CMOS射頻功率放大器中用于功率合成的寬帶變壓器。通過對變壓器的并聯和串聯兩種功率合成形式進行分析與比較，指出了匝數比、功率單元數目以及寄生電阻對變壓器功率合成性能的影響；提出了一種片上變壓器的設計方法，即采用多層金屬疊層并聯以及將功放單元內置于變壓器線圈中的方式，解決了在CMOS工藝中設計變壓器時面臨的寄生電阻過大及有效耦合長度不足等困難。設計的變壓器在2～3 GHz頻段內的損耗小于1．35 dB，其功率合成效率高達76 以上，適合多模多頻段射頻前端的應用。
標簽： CMOS 射頻功率放大器 變壓器 合成技術
上傳時間： 2014-12-24
上傳用戶：ewtrwrtwe
地彈的形成：芯片內部的地和芯片外的PCB地平面之間不可避免的會有一個小電感。這個小電感正是地彈產生的根源，同時，地彈又是與芯片的負載情況密切相關的。下面結合圖介紹一下地彈現象的形成。 簡單的構造如上圖的一個小“場景”，芯片A為輸出芯片，芯片B為接收芯片，輸出端和輸入端很近。輸出芯片內部的CMOS等輸入單元簡單的等效為一個單刀雙擲開關，RH和RL分別為高電平輸出阻抗和低電平輸出阻抗，均設為20歐。GNDA為芯片A內部的地。GNDPCB為芯片外PCB地平面。由于芯片內部的地要通過芯片內的引線和管腳才能接到GNDPCB，所以就會引入一個小電感LG，假設這個值為1nH。CR為接收端管腳電容，這個值取6pF。這個信號的頻率取200MHz。雖然這個LG和CR都是很小的值，不過，通過后面的計算我們可以看到它們對信號的影響。先假設A芯片只有一個輸出腳，現在Q輸出高電平，接收端的CR上積累電荷。當Q輸出變為低電平的時候。CR、RL、LG形成一個放電回路。自諧振周期約為490ps，頻率為2GHz，Q值約為0.0065。使用EWB建一個仿真電路。（很老的一個軟件，很多人已經不懈于使用了。不過我個人比較依賴它，關鍵是建模，模型參數建立正確的話仿真結果還是很可靠的，這個小軟件幫我發現和解決過很多實際模擬電路中遇到的問題。這個軟件比較小，有比較長的歷史，也比較成熟，很容易上手。建議電子初入門的同學還是熟悉一下。）因為只關注下降沿，所以簡單的構建下面一個電路。起初輸出高電平，10納秒后輸出低電平。為方便起見，高電平輸出設為3.3V，低電平是0V。（實際200M以上芯片IO電壓會比較低，多采用1.5－2.5V。）
標簽： 分
上傳時間： 2013-10-17
上傳用戶：zhishenglu
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