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變頻技術(shù)(shù)

傳輸線與電路觀點詳解

•1-1 傳輸線方程式 •1-2 傳輸線問題的時域分析 •1-3 正弦狀的行進(jìn)波 •1-4 傳輸線問題的頻域分析 •1-5 駐波和駐波比 •1-6 Smith圖 •1-7 多段傳輸線問題的解法 •1-8 傳輸線的阻抗匹配

標(biāo)簽： 傳輸線電路

上傳時間： 2013-11-21

上傳用戶：laomv123
周期性擴頻的Boost變換器中非線性現(xiàn)象的研究

在分析了Boost變換器精確離散迭代模型的基礎(chǔ)上，首次研究了采用周期性擴頻技術(shù)后Boost變換器中的分叉和混沌現(xiàn)象。通過M文件編程得到了輸出電壓隨著電路參數(shù)變化的分叉圖，驗證了它含有豐富的非線性動力學(xué)行為，而且研究了采用周期性擴頻技術(shù)對變換器中非線性現(xiàn)象的影響。同時，在變換器中電路參數(shù)不變的情況下，研究了周期擴頻技術(shù)的頻率在不同范圍內(nèi)變化時，其中的分叉與混沌現(xiàn)象。本研究為更好地設(shè)計Boost變換器電路提供了一定理論基礎(chǔ)和應(yīng)用價值。

標(biāo)簽： Boost 周期變換器擴頻

上傳時間： 2013-11-03

上傳用戶：子虛烏有
反激式控制器改善了多輸出應(yīng)用的交叉調(diào)節(jié)性能

反激式轉(zhuǎn)換器通常應(yīng)用於具有多個輸出電壓並要求中低輸出功率的電源。配合采用一個反激式轉(zhuǎn)換器，多輸出僅增加極少的成本或復(fù)雜度––– 每個額外的輸出僅要求另一個變壓器繞組、整流器和輸出濾波電容器。

標(biāo)簽： 反激式控制器輸出調(diào)節(jié) 性能

上傳時間： 2013-11-22

上傳用戶：3294322651
采用集成電流檢測來監(jiān)視和保護(hù)汽車系統(tǒng)

對於集成電路而言，汽車是一種苛刻的使用環(huán)境，這裡，引擎罩下的工作溫度範(fàn)圍可寬達(dá) -40°C 至 125°C，而且，在電池電壓總線上出現(xiàn)大瞬變偏移也是預(yù)料之中的事

標(biāo)簽： 集成電流檢測保護(hù) 汽車系統(tǒng)

上傳時間： 2013-11-20

上傳用戶：zhaiye
反激式控制器簡化了低輸入電壓DCDC轉(zhuǎn)換器的設(shè)計

LT®3837 從一個 4.5V 至 20V 輸入獲取工作電壓，但可通過采用一個 VCC 穩(wěn)壓器和 / 或變壓器上的一個偏壓繞組使該轉(zhuǎn)換器的輸入範(fàn)圍向上擴展。

標(biāo)簽： DCDC 反激式控制器輸入電壓轉(zhuǎn)換器

上傳時間： 2013-11-01

上傳用戶：
采用4mmX4mm QFN封裝的通用型TFT LCD偏置電源和白光LED驅(qū)動器

LTC3524 的 2.5V 至 6V 輸入電源範(fàn)圍非常適合於那些從鋰離子電池或者多節(jié)堿性或鎳電池供電的便攜式設(shè)備。LCD 和 LED 驅(qū)動器的工作頻率均為 1.5MHz，因而允許使用纖巧、低成本的電感器和電容器。

標(biāo)簽： 4mmX4mm QFN LCD LED

上傳時間： 2013-11-22

上傳用戶：zzbbqq99n
四相升壓型轉(zhuǎn)換器提供348W功率而無需采用散熱器

在汽車、工業(yè)和電信行業(yè)的設(shè)計師當(dāng)中，使用高功率升壓型轉(zhuǎn)換器的現(xiàn)像正變得越來越普遍。當(dāng)需要 300W 或更高的功率時，必須在功率器件中實現(xiàn)高效率 (低功率損耗)，以免除增設(shè)龐大散熱器和采用強迫通風(fēng)冷卻的需要

標(biāo)簽： 348W 升壓型轉(zhuǎn)換器功率散熱器

上傳時間： 2014-12-01

上傳用戶：lhc9102
透過MOSFET電壓電流最佳化控制傳導(dǎo)性及輻射性EMI

經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們?nèi)绾螌MI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側(cè)MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉(zhuǎn)接器(adapter)來做傳導(dǎo)性及輻射性EMI測試。

標(biāo)簽： MOSFET EMI 電壓電流控制

上傳時間： 2014-09-08

上傳用戶：swing
DDR記憶體電源

CMOS 邏輯系統(tǒng)的功耗主要與時脈頻率、系統(tǒng)內(nèi)各閘極輸入電容及電源電壓有關(guān)，裝置尺寸縮小後，電源電壓也隨之降低，使得閘極大幅降低功耗。這種低電壓裝置擁有更低的功耗和更高的運作速度，因此系統(tǒng)時脈頻率可升高至 Ghz 範(fàn)圍。

標(biāo)簽： DDR 記憶體電源

上傳時間： 2013-10-14

上傳用戶：immanuel2006
折衷選擇輸入電容鏈波電流的線壓范圍

透過增加輸入電容，可以在獲得更多鏈波電流的同時，還能藉由降低輸入電容的壓降來縮小電源的工作輸入電壓範(fàn)圍。這會影響電源的變壓器圈數(shù)比以及各種電壓與電流應(yīng)力(current stresscurrent stress current stresscurrent stress current stress current stress )。電容鏈波電流額定值越大，應(yīng)力越小，電源效率也就越高。

標(biāo)簽： 輸入電容電流

上傳時間： 2013-11-11

上傳用戶：jelenecheung