阻容降壓原理
標(biāo)簽： 阻容降壓
上傳時(shí)間： 2013-11-13
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數(shù)字電子技朮
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上傳時(shí)間： 2013-10-09
上傳用戶(hù)：1101055045
阻容降壓式電源:將交流市電轉(zhuǎn)換為低壓直流的常規(guī)方法是采用變壓器降壓后再整流濾波，當(dāng)受體積和成本等因素的限制時(shí)，最簡(jiǎn)單實(shí)用的方法就是采用電容降壓式電源。與變壓器降壓相比，電容降壓（也可理解成電容限流）的電源體積小、經(jīng)濟(jì)、可靠、效率高，缺點(diǎn)是不如變壓器降壓的電源安全。通過(guò)電容器把交流電引入負(fù)載中，對(duì)地有220V電壓，人易觸電，但若用在不需人體接觸的電路內(nèi)部電路電源中，本缺點(diǎn)也可克服。如冰箱電子溫控器或遙控電源的開(kāi)/關(guān)等電源都是用電容器降壓而制成的。
上傳時(shí)間： 2013-11-23
上傳用戶(hù)：wxqman
文中提出了一種應(yīng)用于印刷電路板的新穎二維電磁帶隙（MS-EBG）結(jié)構(gòu),其單位晶格由折線(xiàn)縫隙組合與正方形貼片橋接構(gòu)成,以抑制同步開(kāi)關(guān)噪聲。結(jié)果表明,抑制深度為-30 dB時(shí),與傳統(tǒng)L-bridged EBG結(jié)構(gòu)比較,新EBG結(jié)構(gòu)的阻帶寬度增加1.3 GHz,相對(duì)帶寬提高了約10%,能夠有效抑制0.6～5.9 GHz的同步開(kāi)關(guān)噪聲。
標(biāo)簽： 同步開(kāi)關(guān)噪聲 電磁 帶隙結(jié)構(gòu)
上傳時(shí)間： 2013-11-07
上傳用戶(hù)：qimingxing130
結(jié)合大功率LED熱流模型和結(jié)構(gòu)，我們不難看出，影響大功率LED熱阻的主要因素有：1. LED晶片的導(dǎo)熱能力;2. 固晶粘合膠的導(dǎo)熱能力以及粘合的品質(zhì);3. 器件(包括晶片)熱通道的長(zhǎng)度;4. 灌封材料的熱導(dǎo)能力;5. 熱沉的熱導(dǎo)能力。
標(biāo)簽： LED 導(dǎo)熱 傳熱 散熱技術(shù)
上傳時(shí)間： 2013-11-11
上傳用戶(hù)：caoyuanyuan1818
當(dāng)今電子系統(tǒng)如高端處理器及記憶體，對(duì)電源的需求是趨向更低電壓、更高電流的應(yīng)用。同時(shí)、對(duì)負(fù)載的反應(yīng)速度也要提高。因此功率系統(tǒng)工程師要面對(duì)的挑戰(zhàn)，是要設(shè)計(jì)出符合系統(tǒng)要求的細(xì)小、價(jià)廉但高效率的電源系統(tǒng)。而這些要求都不是傳統(tǒng)功率架構(gòu)能夠完全滿(mǎn)足的。Vicor提出的分比功率架構(gòu)(Factorized Power Architecture FPA)以及一系列的整合功率元件，可提供革命性的功率轉(zhuǎn)換方案，應(yīng)付以上提及的各項(xiàng)挑戰(zhàn)。這些功率元件稱(chēng)為V•I晶片。
上傳時(shí)間： 2013-11-15
上傳用戶(hù)：yan2267246
晶片wafer 平面工藝詳細(xì)介紹
標(biāo)簽： wafer 晶片 工藝 詳細(xì)介紹
上傳時(shí)間： 2013-11-21
上傳用戶(hù)：jesuson
格力空調(diào)控制器編碼規(guī)則
標(biāo)簽： 格力空調(diào) 分 遙控器 紅外碼
上傳時(shí)間： 2014-12-24
上傳用戶(hù)：lnnn30
提高PIC16C711單片機(jī)片內(nèi)AD分辨率的方法。
上傳時(shí)間： 2013-11-11
上傳用戶(hù)：kang1923
HCS08HCS12系列單片機(jī) 飛思卡爾公司的 HCS08/HCS12 系列 MCU，因其速度快、功能強(qiáng)、功耗小、價(jià) 格低等特點(diǎn)，在業(yè)界得到了廣泛的應(yīng)用。 在 HCS08/HCS12 系列 MCU 中，飛思卡爾引入了新的片上調(diào)試技術(shù)——BDM。 這種調(diào)試技術(shù)由于其優(yōu)越的性能而逐漸被業(yè)界接受，成為廣泛使用的MCU在線(xiàn)編程 調(diào)試方法。針對(duì) BDM 技術(shù)，國(guó)外公司提供了功能強(qiáng)大的編程調(diào)試器，但價(jià)格高昂， 難以被國(guó)內(nèi)廣大用戶(hù)接受；國(guó)內(nèi)一些高校也進(jìn)行了相關(guān)研究開(kāi)發(fā)，但是研發(fā)的編程調(diào) 試器大多存在以下三個(gè)問(wèn)題：一是隨著飛思卡爾MCU總線(xiàn)頻率的不斷提高，這些編 程調(diào)試器已經(jīng)不能適應(yīng)與高頻率MCU的通信的要求；二是無(wú)法與飛思卡爾的集成開(kāi) 發(fā)環(huán)境 CodeWarrior 兼容，使用很不方便；三是由于采用 USB1.1 協(xié)議，導(dǎo)致整體通 信速度很慢。 本文對(duì)國(guó)內(nèi)外已有的HCS08/HCS12 編程調(diào)試器進(jìn)行了深入的技術(shù)分析，綜合目 前微控制器的最新發(fā)展技術(shù)，提出了采用USB2.0 通信接口的編程調(diào)試器硬件及底層 驅(qū)動(dòng)的設(shè)計(jì)方案，實(shí)現(xiàn)了一種新型高效的適用于飛思卡爾 HCS08/HCS12 系列 MCU 的 USBDM（Universal BDM，通用 BDM編程調(diào)試器)，有效地解決了國(guó)內(nèi)編程調(diào)試 器普遍存在的頻率瓶頸及通信速度。同時(shí)，本文在研究CodeWarrior的通信接口規(guī)范 的基礎(chǔ)上，剖析了CodeWarrior中通信接口函數(shù)的功能，實(shí)現(xiàn)了作者編程調(diào)試器體系 中的通信函數(shù)，使之適用于 CodeWarrior 開(kāi)發(fā)環(huán)境。USBDM 編程調(diào)試器通信函數(shù)動(dòng) 態(tài)鏈接庫(kù)的設(shè)計(jì)，不僅便于使用編程調(diào)試器進(jìn)行二次開(kāi)發(fā)，也方便了驅(qū)動(dòng)程序的更新。
上傳時(shí)間： 2013-10-28
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