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超聲測(cè)距技術(shù)

  • 上窮碧落下黃泉 - 源碼追蹤經驗談 (PDF 繁體中文 26頁) 侯捷觀點 剖析名家源碼

    上窮碧落下黃泉 - 源碼追蹤經驗談 (PDF 繁體中文 26頁) 侯捷觀點 剖析名家源碼,是讓自己技術躍升的捷徑。但是大系統的源碼非常龐大(Unix, Linux, Java, STL, MFC, VCL, Qt...),閱讀要有閱讀的方法。本文從動機、對象、前提、書籍、態度、工具、方法、瓶頸、價值、附加價值等方向加以討論。

    標簽: 繁體

    上傳時間: 2016-01-13

    上傳用戶:cooran

  • 「新聞群聚」就是一項需要人力介入的新聞服務

    「新聞群聚」就是一項需要人力介入的新聞服務,而為了使其更為自動化,我們將文件分群(document clustering)的技術應用在新聞文件上,達到新聞分群(news clustering)的目的。

    標簽:

    上傳時間: 2014-01-24

    上傳用戶:731140412

  • 在 Java EE 的藍圖中

    在 Java EE 的藍圖中,JSP Servlet是屬於Web層技術,JSP與Servlet是一體的兩面,您可以使用單獨一項技術來解決動態網頁呈現的需求,但最好的方式是取兩者的長處,JSP是網頁設計人員導向的,而Servlet是程式設計人員導向的,釐清它們之間的職責可以讓兩個不同專長的團隊彼此合作,並降低相互間的牽制作用。

    標簽: Java EE

    上傳時間: 2016-11-15

    上傳用戶:sxdtlqqjl

  • 關於圖像壓縮的

    關於圖像壓縮的,融入了Huffman編碼,Shannon-Fano編碼等技術!

    標簽:

    上傳時間: 2013-12-19

    上傳用戶:康郎

  • Programming the Microsoft Windows driver model繁中版 透過Windows驅動程式的權威們專業的協助

    Programming the Microsoft Windows driver model繁中版 透過Windows驅動程式的權威們專業的協助,學習如何使用簡易的方式來撰寫Windows驅動程式。 Microsoft WDM支援隨插即用(PnP)功能,提供了電源管理能力,並詳述撰寫驅動程式/迷你驅動程式的方法。這本由長時間接觸裝置驅動程式的專家Walter Oney 與Windows核心小組共同合作的書提供了大量很實用的例子、圖表、建議,並一行一行分析範例的程式碼,好讓您能夠清楚了解實際上在撰寫驅動程式時所會發生的問題。另外亦更新了Windows XP及Windows 2000的最新驅動程式技術,又告訴您如何除錯。

    標簽: Windows Programming Microsoft driver

    上傳時間: 2014-01-19

    上傳用戶:cjl42111

  • 幫助系統工程師

    幫助系統工程師,設計者,管理者在電視廣播上可以順利的傳輸類比訊號至數位訊號之基礎技術

    標簽: 系統 工程

    上傳時間: 2014-01-07

    上傳用戶:lht618

  • 演算法是指利用電腦解決問題所需要的具體方法和步驟。也就是說給定初始狀態或輸入數據

    演算法是指利用電腦解決問題所需要的具體方法和步驟。也就是說給定初始狀態或輸入數據,經過電腦程序的有限次運算,能夠得出所要求或期望的終止狀態或輸出數據。本書介紹電腦科學中重要的演算法及其分析與設計技術

    標簽: 算法

    上傳時間: 2017-06-09

    上傳用戶:wys0120

  • FLIR 雷達產品簡介

    文件中詳細介紹 FLIR 雷達產品的各項技術數據

    標簽: FLIR 雷達

    上傳時間: 2015-03-18

    上傳用戶:戴斗笠的神秘人

  • FLIR 雷達 重要技術單元

    文件中詳細列舉出FLIR雷達產品所使用的頻率波段以及發射功率資訊!

    標簽: FLIR 雷達

    上傳時間: 2015-03-18

    上傳用戶:戴斗笠的神秘人

  • ESD Protection in CMOS ICs

    在互補式金氧半(CMOS)積體電路中,隨著量產製程的演進,元件的尺寸已縮減到深次微 米(deep-submicron)階段,以增進積體電路(IC)的性能及運算速度,以及降低每顆晶片的製造 成本。但隨著元件尺寸的縮減,卻出現一些可靠度的問題。 在次微米技術中,為了克服所謂熱載子(Hot-Carrier)問題而發展出 LDD(Lightly-Doped Drain) 製程與結構; 為了降低 CMOS 元件汲極(drain)與源極(source)的寄生電阻(sheet resistance) Rs 與 Rd,而發展出 Silicide 製程; 為了降低 CMOS 元件閘級的寄生電阻 Rg,而發展出 Polycide 製 程 ; 在更進步的製程中把 Silicide 與 Polycide 一起製造,而發展出所謂 Salicide 製程

    標簽: Protection CMOS ESD ICs in

    上傳時間: 2020-06-05

    上傳用戶:shancjb

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