<nav id="0k0yc"></nav> Arduino教程_Arduino圖形化編程軟件_ArduBlock
標(biāo)簽： Arduino ArduBlock 教程 圖形化編程
上傳時(shí)間： 2013-11-24
上傳用戶：pans0ul
為了提高交錯(cuò)并聯(lián)變換器的性能，對(duì)四相交錯(cuò)并聯(lián)雙向DC/DC變換器中不對(duì)稱耦合電感進(jìn)行分析，推導(dǎo)出等效穩(wěn)態(tài)電感和等效暫態(tài)電感的數(shù)學(xué)表達(dá)式。結(jié)合提出的耦合電感結(jié)構(gòu)進(jìn)行不對(duì)稱耦合電感對(duì)稱化研究。通過Saber和3D Maxwell軟件進(jìn)行仿真驗(yàn)證和樣機(jī)實(shí)驗(yàn)，驗(yàn)證了理論分析和仿真結(jié)果的正確性。
標(biāo)簽： 交錯(cuò)并聯(lián) 變換器 耦合電感 對(duì)稱
上傳時(shí)間： 2013-10-19
上傳用戶：wangfei22
為了提高Forward變換器非線性系統(tǒng)的控制性能，采用了精確線性化控制方法。首先采用開關(guān)函數(shù)和開關(guān)周期平均算子建立適合微分幾何方法的仿射非線性系統(tǒng)模型。從理論上證明了該模型滿足系統(tǒng)精確線性化的條件。對(duì)非線性坐標(biāo)變換后得到的線性系統(tǒng)，利用二次型最優(yōu)控制策略推導(dǎo)出非線性狀態(tài)反饋控制律。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，系統(tǒng)具有良好的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)性能，驗(yàn)證了該控制方法的有效性和正確性。
上傳時(shí)間： 2013-11-10
上傳用戶：xywhw1
N+緩沖層設(shè)計(jì)對(duì)PT-IGBT器件特性的影響至關(guān)重要。文中利用Silvaco軟件對(duì)PT-IGBT的I-V特性進(jìn)行仿真。提取相同電流密度下，不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態(tài)壓降，得到了通態(tài)壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線，該仿真結(jié)果與理論分析一致。對(duì)于PT-IGBT結(jié)構(gòu)，N+緩沖層濃度及厚度存在最優(yōu)值，只要合理的選取可以有效地降低通態(tài)壓降。
上傳時(shí)間： 2013-11-12
上傳用戶：thesk123
IGBT驅(qū)動(dòng)電路模塊化設(shè)計(jì)。
標(biāo)簽： IGBT 驅(qū)動(dòng)電路 模塊化設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間： 2013-10-21
上傳用戶：yczrl
經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個(gè)跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們?nèi)绾螌?duì)EMI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個(gè)有著單組輸出+12V/4.1A及初級(jí)側(cè)MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉(zhuǎn)接器(adapter)來做傳導(dǎo)性及輻射性EMI測(cè)試。
上傳時(shí)間： 2014-09-08
上傳用戶：swing
Protel99SE 完全漢化包.rar
上傳時(shí)間： 2014-12-24
上傳用戶：kiklkook
采用射頻等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(RF2PECVD)技術(shù)制備非晶硅(a2Si)NIP 太陽能電池,其中電池的窗口層采用P 型晶化硅薄膜,電池結(jié)構(gòu)為Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / I(a2Si :H) / P(cryst2Si : H) / ITO/ Al。為了使P 型晶化硅薄膜能夠在a2Si 表面成功生長,電池制備過程中采用了H 等離子體處理a2Si 表面的方法。通過調(diào)節(jié)電池P 層和N 層厚度和H 等離子體處理a2Si 表面的時(shí)間,優(yōu)化了太陽能電池的制備工藝。結(jié)果表明,使用H 等離子體處理a2Si 表面5 min ,可以在a2Si 表面獲得高電導(dǎo)率的P 型晶化硅薄膜,并且這種結(jié)構(gòu)可以應(yīng)用到電池上;當(dāng)P 型晶化硅層沉積時(shí)間12. 5 min ,N 層沉積12 min ,此種結(jié)構(gòu)電池特性最好,效率達(dá)6. 40 %。通過調(diào)整P 型晶化硅薄膜的結(jié)構(gòu)特征,將能進(jìn)一步改善電池的性能。
上傳時(shí)間： 2013-11-21
上傳用戶：wanqunsheng
隨著我國通信、電力事業(yè)的發(fā)展，通信、電力網(wǎng)絡(luò)的規(guī)模越來越大，系統(tǒng)越來越復(fù)雜。與之相應(yīng)的對(duì)交流供電的可靠性、靈活性、智能化、免維護(hù)越來越重要。在中國通信、電力網(wǎng)絡(luò)中，傳統(tǒng)的交流供電方案是以UPS或單機(jī)式逆變器提供純凈不間斷的交流電源。由于控制技術(shù)的進(jìn)步、完善，（N+X）熱插拔模塊并聯(lián)逆變電源已經(jīng)非常成熟、可靠；在歐美的通信、電力發(fā)達(dá)的國家，各大通信運(yùn)營商、電力供應(yīng)商、軍隊(duì)均大量應(yīng)用了這種更合理的供電方案。與其它方案相比較，（N+X）熱插拔模塊并聯(lián)逆變電源具有以下明顯的優(yōu)點(diǎn)。
標(biāo)簽： 熱插拔 模塊 并聯(lián) 應(yīng)用前景
上傳時(shí)間： 2014-03-24
上傳用戶：alan-ee
溫度報(bào)警模塊化,基于51單片機(jī)的智能溫度報(bào)警模塊化編程,適合初學(xué)者
標(biāo)簽： 51單片機(jī) 智能溫度 報(bào)警 模塊化編程
上傳時(shí)間： 2013-10-12
上傳用戶：小眼睛LSL
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