基于N溝道MOS管H橋驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)與制作
標(biāo)簽： MOS N溝道 H橋驅(qū)動(dòng) 電路設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間： 2014-08-01
上傳用戶：1109003457
計(jì)數(shù)器是一種重要的時(shí)序邏輯電路，廣泛應(yīng)用于各類數(shù)字系統(tǒng)中。介紹以集成計(jì)數(shù)器74LS161和74LS160為基礎(chǔ)，用歸零法設(shè)計(jì)N進(jìn)制計(jì)數(shù)器的原理與步驟。用此方法設(shè)計(jì)了3種36進(jìn)制計(jì)數(shù)器，并用Multisim10軟件進(jìn)行仿真。計(jì)算機(jī)仿真結(jié)果表明設(shè)計(jì)的計(jì)數(shù)器實(shí)現(xiàn)了36進(jìn)制計(jì)數(shù)的功能。基于集成計(jì)數(shù)器的N進(jìn)制計(jì)數(shù)器設(shè)計(jì)方法簡單、可行，運(yùn)用Multisim 10進(jìn)行電子電路設(shè)計(jì)和仿真具有省時(shí)、低成本、高效率的優(yōu)越性。
標(biāo)簽： 歸零法 N進(jìn)制計(jì)數(shù)器原
上傳時(shí)間： 2013-10-11
上傳用戶：gtzj
在理論模型的基礎(chǔ)上探討了電子勢壘的形狀以及勢壘形狀隨外加電壓的變化, 并進(jìn)行定量計(jì)算, 得出隧穿電壓隨雜質(zhì)摻雜濃度的變化規(guī)律。所得結(jié)論與硅、鍺p-n 結(jié)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量 研究p-n 結(jié)的隧道擊穿中的合理性與實(shí)用性。該理論模型對(duì)研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意義。
上傳時(shí)間： 2013-10-31
上傳用戶：summery
常用的和不常用的各種接插件的封裝尺寸資料，可作PCB參考?！酒嫖墓残蕾p】
標(biāo)簽： 接插件封裝
上傳時(shí)間： 2013-10-11
上傳用戶：88mao
書上永遠(yuǎn)學(xué)不到的接插件知識(shí)（附電路圖詳解）
上傳時(shí)間： 2014-01-22
上傳用戶：大灰狼123456
假如有人將 24V 電源連接到您的 12V 電路上，將發(fā)生什么? 倘若電源線和接地線因疏忽而反接，電路還能安然無恙嗎? 您的應(yīng)用電路是否工作于那種輸入電源會(huì)瞬變至非常高壓或甚至低于地電位的嚴(yán)酷環(huán)境中?即使此類事件的發(fā)生概率很低，但只要出現(xiàn)任何一種就將徹底損壞電路板。
上傳時(shí)間： 2013-12-29
上傳用戶：黃酒配奶茶
N+緩沖層設(shè)計(jì)對(duì)PT-IGBT器件特性的影響至關(guān)重要。文中利用Silvaco軟件對(duì)PT-IGBT的I-V特性進(jìn)行仿真。提取相同電流密度下，不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態(tài)壓降，得到了通態(tài)壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線，該仿真結(jié)果與理論分析一致。對(duì)于PT-IGBT結(jié)構(gòu)，N+緩沖層濃度及厚度存在最優(yōu)值，只要合理的選取可以有效地降低通態(tài)壓降。
上傳時(shí)間： 2013-11-12
上傳用戶：thesk123
經(jīng)由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個(gè)跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調(diào)整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們?nèi)绾螌?duì)EMI產(chǎn)生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個(gè)有著單組輸出+12V/4.1A及初級(jí)側(cè)MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉(zhuǎn)接器(adapter)來做傳導(dǎo)性及輻射性EMI測試。
上傳時(shí)間： 2014-09-08
上傳用戶：swing
在一般的隔離電源中，光耦隔離反饋是一種簡單、低成本的方式。但對(duì)于光耦反饋的各種連接方式及其區(qū)別，目前尚未見到比較深入的研究。而且在很多場合下，由于對(duì)光耦的工作原理理解不夠深入，光耦接法混亂，往往導(dǎo)致電路不能正常工作。本研究將詳細(xì)分析光耦工作原理，并針對(duì)光耦反饋的幾種典型接法加以對(duì)比研究。
標(biāo)簽： 開關(guān)電源 光耦隔離 典型 對(duì)比
上傳時(shí)間： 2013-10-19
上傳用戶：a155166
找一塊電源仔細(xì)看一下，在電源部分中，跨接L-N之間的小方塊（單位是μF）電容就是X電容，通常在是電源入口的第一個(gè)；同樣，在電源部分的跨接L-PE和N-PE之間的藍(lán)色的安規(guī)電容（單位pF）就是Y電容，通常是成對(duì)出現(xiàn)的。 或者你可以形象的看，X電容具有2個(gè)輸入端，2個(gè)輸出端，很象X；Y電容具有一個(gè)輸入端，一個(gè)輸出端以及一個(gè)公共的大地，很象一個(gè)Y 沒有什么概念的，一個(gè)在差模回路上，一個(gè)在共模回路上，X、Y的名稱純粹是一個(gè)稱呼，就象是X和Y軸一樣 X電容主要用于流電源線路中，此時(shí)當(dāng)電容失時(shí)不致產(chǎn)生線間放電。X電容器的測試條件是：在交流電壓的有效值*1.5的電壓下工作100Hour；再加上1KV的高壓測試。Y電容器在一旦失效會(huì)導(dǎo)致放電危險(xiǎn)（尤其是對(duì)外殼）時(shí)是強(qiáng)制使用的。Y類型電容器的測試條件是：在交流電壓的有效值*1.7的電壓下工作100Hour，加上2KV高壓測試。如果電容器用于不接地的II類產(chǎn)品中，則要增加至4KV。
標(biāo)簽： 電源 濾波設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間： 2013-10-24
上傳用戶：1583264429
蟲蟲下載站版權(quán)所有 京ICP備2021023401號(hào)-1
