基于N溝道MOS管H橋驅動電路設計與制作
標簽： MOS N溝道 H橋驅動 電路設計
上傳時間： 2014-08-01
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計數器是一種重要的時序邏輯電路，廣泛應用于各類數字系統中。介紹以集成計數器74LS161和74LS160為基礎，用歸零法設計N進制計數器的原理與步驟。用此方法設計了3種36進制計數器，并用Multisim10軟件進行仿真。計算機仿真結果表明設計的計數器實現了36進制計數的功能。基于集成計數器的N進制計數器設計方法簡單、可行，運用Multisim 10進行電子電路設計和仿真具有省時、低成本、高效率的優越性。
標簽： 歸零法 N進制計數器原
上傳時間： 2013-10-11
上傳用戶：gtzj
在理論模型的基礎上探討了電子勢壘的形狀以及勢壘形狀隨外加電壓的變化, 并進行定量計算, 得出隧穿電壓隨雜質摻雜濃度的變化規律。所得結論與硅、鍺p-n 結實驗數據相吻合, 證明了所建立的理論模型在定量 研究p-n 結的隧道擊穿中的合理性與實用性。該理論模型對研究一般材料或器件的隧道擊穿具有重要的借鑒意義。
標簽： p-n 隧道 擊穿 模型研究
上傳時間： 2013-10-31
上傳用戶：summery
常用的和不常用的各種接插件的封裝尺寸資料，可作PCB參考。【奇文共欣賞】
標簽： 接插件封裝
上傳用戶：88mao
書上永遠學不到的接插件知識（附電路圖詳解）
標簽： 插件 電路圖
上傳時間： 2014-01-22
上傳用戶：大灰狼123456
假如有人將 24V 電源連接到您的 12V 電路上，將發生什么? 倘若電源線和接地線因疏忽而反接，電路還能安然無恙嗎? 您的應用電路是否工作于那種輸入電源會瞬變至非常高壓或甚至低于地電位的嚴酷環境中?即使此類事件的發生概率很低，但只要出現任何一種就將徹底損壞電路板。
標簽： 497 DN 敏感電路 保護
上傳時間： 2013-12-29
上傳用戶：黃酒配奶茶
N+緩沖層設計對PT-IGBT器件特性的影響至關重要。文中利用Silvaco軟件對PT-IGBT的I-V特性進行仿真。提取相同電流密度下，不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態壓降，得到了通態壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線，該仿真結果與理論分析一致。對于PT-IGBT結構，N+緩沖層濃度及厚度存在最優值，只要合理的選取可以有效地降低通態壓降。
標簽： PT-IGBT 緩沖層
上傳時間： 2013-11-12
上傳用戶：thesk123
經由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們如何對EMI產生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我們拿一個有著單組輸出+12V/4.1A及初級側MOSFET AOTF11C60 (αMOSII/11A/600V/TO220F) 的50W電源轉接器(adapter)來做傳導性及輻射性EMI測試。
標簽： MOSFET EMI 電壓電流 控制
上傳時間： 2014-09-08
上傳用戶：swing
在一般的隔離電源中，光耦隔離反饋是一種簡單、低成本的方式。但對于光耦反饋的各種連接方式及其區別，目前尚未見到比較深入的研究。而且在很多場合下，由于對光耦的工作原理理解不夠深入，光耦接法混亂，往往導致電路不能正常工作。本研究將詳細分析光耦工作原理，并針對光耦反饋的幾種典型接法加以對比研究。
標簽： 開關電源 光耦隔離 典型 對比
上傳時間： 2013-10-19
上傳用戶：a155166
找一塊電源仔細看一下，在電源部分中，跨接L-N之間的小方塊（單位是μF）電容就是X電容，通常在是電源入口的第一個；同樣，在電源部分的跨接L-PE和N-PE之間的藍色的安規電容（單位pF）就是Y電容，通常是成對出現的。 或者你可以形象的看，X電容具有2個輸入端，2個輸出端，很象X；Y電容具有一個輸入端，一個輸出端以及一個公共的大地，很象一個Y 沒有什么概念的，一個在差模回路上，一個在共模回路上，X、Y的名稱純粹是一個稱呼，就象是X和Y軸一樣 X電容主要用于流電源線路中，此時當電容失時不致產生線間放電。X電容器的測試條件是：在交流電壓的有效值*1.5的電壓下工作100Hour；再加上1KV的高壓測試。Y電容器在一旦失效會導致放電危險（尤其是對外殼）時是強制使用的。Y類型電容器的測試條件是：在交流電壓的有效值*1.7的電壓下工作100Hour，加上2KV高壓測試。如果電容器用于不接地的II類產品中，則要增加至4KV。
標簽： 電源 濾波設計
上傳時間： 2013-10-24
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