由于高重復(fù)頻率固體開關(guān)在加速器、雷達(dá)發(fā)射機(jī)、高功率微波和污染控制等領(lǐng)域存在的潛在優(yōu)勢，美國、英國、日本和韓國等都對(duì)固體開關(guān)技術(shù)進(jìn)行了大量研究，從而成為近年脈沖功率界研究的重點(diǎn)1。從固體元件電路結(jié)構(gòu)上，固體開關(guān)可以分成兩種類型：串聯(lián)結(jié)構(gòu)和累加器結(jié)構(gòu)。采用串聯(lián)結(jié)構(gòu)的固體開關(guān)生產(chǎn)廠家中，比較著名的有LLN...
1前言萊鋼型鋼廠大型生產(chǎn)線傳動(dòng)系統(tǒng)采用西門子SIMOVERT MASTER系列PWM交-直-交電壓型變頻器供電，變頻器采用公共直流母線式結(jié)構(gòu)；冷床傳輸鏈采用4臺(tái)電機(jī)單獨(dú)傳動(dòng)，每臺(tái)電機(jī)分別由獨(dú)立的逆變單元控制，逆變單元的控制方式為無速度編碼器的矢量控制，相互之間依靠速度給定的同時(shí)性保持同步。自2005...
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）絕緣柵雙極型品體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFEt高輸入阻抗和GT的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。IGB綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和...
IGBT是MOSFET和GTR的復(fù)合器件，它具有開關(guān)速度快、熱穩(wěn)定性好、驅(qū)動(dòng)功率小和驅(qū)動(dòng)電路簡單的特點(diǎn)，又具有通態(tài)壓降小、耐壓高和承受電流大等優(yōu)點(diǎn).IGBT作為主流的功率輸出器件，特別是在大功率的場合，已經(jīng)被廣泛的應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域。本文在介紹了1GBT結(jié)構(gòu)、工作特性的基礎(chǔ)上，針對(duì)風(fēng)電變流器實(shí)驗(yàn)平臺(tái)和岸...
5KW_PCS逆變器_并網(wǎng)充放電，并網(wǎng)離網(wǎng)切換STM32F103為主控主控平臺(tái)：STM32F103RCT6逆變拓?fù)洌喝珮蚬δ埽翰⒕W(wǎng)充電、放電；并網(wǎng)離網(wǎng)自動(dòng)切換；485通訊，在線升級(jí)；描述：本方案適用于戶用儲(chǔ)能系統(tǒng)，提供完善的通訊協(xié)議適配BMS和上位機(jī) &nbs...
