IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）
絕緣柵雙極型品體管，是由BJT（雙極型三極管）
和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有MOSFEt高輸入阻抗和GT的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。IGB綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅動功率小而飽和壓降低。成為功率半導體器件發(fā)展的主流，廣泛應用于風電、光伏、電動汽車、智能電網(wǎng)等行業(yè)中。在電動汽車行業(yè)中，電機控制器、輔助動力系統(tǒng)，電動空調中，IGBT有著廣泛的使用，大功率IGB多應用于電機控制器中，由于電動汽車電機控制器工作環(huán)境干擾比較大，IGBT的門極分布電容及實際開關中存在的米勒效應等寄生參數(shù)的直接影響到驅動電路的可靠性1電機控制器在使用過程中，在過流、短路和過壓的情況下要對1GBT實行比較完善的保護。過流會引起電機控制器的溫度上升，可通過溫度傳感器來進行檢測，并由相應的電路來實現(xiàn)保護；過壓一般發(fā)生在IGBT關斷時，較大的di/dt會在寄生電感上產生了較高的電壓，可通過采用緩沖電路來鉗制，或者適當降低開關速率。短路故障發(fā)生后瞬時就會產生極大的電流，很快就會損壞1GBT，主控制板的過流保護根本來不及，必須由硬件電路控制驅動電路瞬間加以保護。
因此驅動器的設計過程中，保護功能設計得是否完善，對系統(tǒng)的安全運行尤其重要。
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